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2N5012

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:SSDI

厂商官网:http://www.ssdi-power.com/

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器件:2N5012

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器件参数
参数名称
属性值
零件包装代码
TO-5
包装说明
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数
3
Reach Compliance Code
compli
最大集电极电流 (IC)
0.5 A
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
30
JEDEC-95代码
TO-5
JESD-30 代码
O-MBCY-W3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
2 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
35 MHz
Base Number Matches
1
参数对比
与2N5012相近的元器件有:2N5011。描述及对比如下:
型号 2N5012 2N5011
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
零件包装代码 TO-5 TO-5
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JEDEC-95代码 TO-5 TO-5
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 35 MHz 35 MHz
Base Number Matches 1 1
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