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2N6057LEADFREE

Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Central Semiconductor

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
TO-204AA
包装说明
TO-3, 2 PIN
针数
2
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
12 A
集电极-发射极最大电压
60 V
配置
DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)
750
JEDEC-95代码
TO-3
JESD-30 代码
O-MBFM-P2
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
2
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
MATTE TIN (315)
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
10
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
4 MHz
Base Number Matches
1
参数对比
与2N6057LEADFREE相近的元器件有:2N6059LEADFREE、2N6050LEADFREE、2N6051LEADFREE、2N6052LEADFREE、2N6058LEADFREE。描述及对比如下:
型号 2N6057LEADFREE 2N6059LEADFREE 2N6050LEADFREE 2N6051LEADFREE 2N6052LEADFREE 2N6058LEADFREE
描述 Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA
包装说明 TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN
针数 2 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code _compli _compli _compli _compli _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A
集电极-发射极最大电压 60 V 100 V 60 V 80 V 100 V 80 V
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 750 750 750 750 750 750
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260
极性/信道类型 NPN NPN PNP PNP PNP NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10 10 10
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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