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2N6903

980mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Intersil ( Renesas )

厂商官网:http://www.intersil.com/cda/home/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, RADIATION HARDENED
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.5 A
最大漏极电流 (ID)
0.98 A
最大漏源导通电阻
3.65 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
20 pF
JEDEC-95代码
TO-205AF
JESD-30 代码
O-MBCY-W3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
8.33 W
最大功率耗散 (Abs)
8.33 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与2N6903相近的元器件有:。描述及对比如下:
型号 2N6903
描述 980mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF
是否Rohs认证 不符合
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE, RADIATION HARDENED
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.5 A
最大漏极电流 (ID) 0.98 A
最大漏源导通电阻 3.65 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 20 pF
JEDEC-95代码 TO-205AF
JESD-30 代码 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 8.33 W
最大功率耗散 (Abs) 8.33 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
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