2N7000TR4,2N7000TR4 pdf中文资料,2N7000TR4引脚图,2N7000TR4电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与2N7000TR4相近的元器件有：2N7000TR1、2N7000TR2、2N7000TR3、2N7000TA、BS170LTA、BS170LTR1、BS170LTR4、BS170LTR2、BS170LTR3。描述及对比如下：

型号	2N7000TR4	2N7000TR1	2N7000TR2	2N7000TR3	2N7000TA	BS170LTA	BS170LTR1	BS170LTR4	BS170LTR2	BS170LTR3
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A
最大漏源导通电阻	5 Ω	5 Ω	5 Ω	5 Ω	5 Ω	5 Ω	5 Ω	5 Ω	5 Ω	5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	5 pF	5 pF	5 pF	5 pF	5 pF	5 pF	5 pF	5 pF	5 pF	5 pF
JEDEC-95代码	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	-	-
包装说明	-	-	-	-	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

什么是单板: 我在《华为EMC资料》一书中看到了频繁地说到单板：单板层数，单板电源层数，单板信号层数，等等非常不...; afreebird 嵌入式系统

关于浪涌电压保护电路．: 各位朋友好：　　　哪位有关于浪涌电压保护电路的资料，请共享下，谢谢！！　我的邮箱是zjf820...; louis0712 嵌入式系统

哈佛结构: 哈佛结构　　哈佛结构是一种将程序指令存储和数据存储分开的存储器结构。中央处理器首先到程序指令...; yuandayuan6999 单片机

LED行业竞争白热化，各大厂商拿什么取胜呢？打扰了。: LED行业竞争白热化，各大厂商拿什么取胜呢？打扰了。 LED行业竞争白热化，各大厂商拿什么取胜呢？打...; 雪山飞狐电源技术

【EEWORLD大学堂】玩转LaunchPad及TI MSP430G2XX系列超值单片机！！！: 你是不是正拿着MSP430 LaunchPad一点点摸索？你是不是正酝酿一个详细的计划来玩转La...; EEWORLD社区微控制器 MCU

开关电源设计（第三版）PDF 扫描版 540页: 开关电源设计（第三版）PDF 扫描版 540页很不错的书，值得一看。感谢分...; wangerxian 电源技术

贸泽荣获Amphenol Corporation卓越电子商务分销商称号

专注于引入新品的全球电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布荣获其重要合作伙伴Amphenol Corporation的卓越电子商务分销商称号。Amphenol是全球互连行业知名企业，其27个产品线的所有产品在贸泽均有备货。贸泽凭借客户数、销售与新品引入 (NPI) 量的惊人增长，荣获了Amphenol 2018年度卓越电子商务分销商大奖。 A...[详细]
苹果美区官网再次上架iPhone SE

今日早晨，苹果面向iOS正式版用户推送了iOS 12.2版本更新，本次更新带来了全新的动画表情、改进隔空投放、改进Apple Pay等功能，不过用户心心念念的iPhone SE 2并没有出现。　　不过，苹果美区官网再次上架了iPhone SE——32GB和128GB版本，均为无锁版。售价方面，32GB版本售价249美元，128GB版本售价299美元。　　不过需要注意的是...[详细]
LM4702功放模块的应用及设计方案

LM4702 功放模块的应用及设计方案　　这是一个全新高性能音频芯片系列的首款产品，供电电压范围宽，还设有静音功能和多种保护功能，既适用于高级家用音响系统，也符合专业级音响设备的严格要求。 IC LM4702（图1）。 LM4702 pdf datasheet 　　LM4702芯片实际上是一款适用于高供电电压的音频功放驱动IC，内含两组独立的音频放大及驱动部分，只要外接少量的...[详细]
时域时钟抖动分析(上)一

本系列文章共有三部分，“第 1 部分”重点介绍如何准确地估算某个时钟源的抖动，以及如何将其与 ADC 的孔径抖动组合。在“第 2 部分”中，该组合抖动将用于计算 ADC 的 SRN，然后将其与实际测量结果对比。“第 3 部分”将介绍如何通过改善 ADC 的孔径抖动来进一步增加 ADC 的 SNR，并会重点介绍时钟信号转换速率的优化。　　采样过程回顾　　根据 Nyquist-Shannon...[详细]
PicoBlaze处理器IP Core的原理与应用

摘要：详细分析8位微处理器IP core PicoBlaze的结构、原理与设计方案；介绍PicoBlaze的指令集和调试工具pblazeIDE，讨论PicoBlaze的编程方案和应用设计实例；列举几种PicoBlaze的应用方案。关键词：PicoBlaze 微处理器知识产权内核 1 概述 PicoBlaze 8位微处理器是Xilinx公司为Virtex系列FPGA、Spartan-Ii...[详细]
SPI接口的工作原理及优缺点分析

　　SPI（Serial Peripheral Interface，串行外设接口）是Motorola公司提出的一种同步串行数据传输标准，在很多器件中被广泛应用。　　1. 接口　　SPI接口经常被称为4线串行总线，以主/从方式工作，数据传输过程由主机初始化。如图1所示，其使用的4条信号线分别为：　　1） SCLK：串行时钟，用来同步数据传输，由主机输出；　　2） MOSI：主机输出从机输...[详细]
SIEMENS 验证工具助力快速开发更安全、更可靠的车辆

简介未来的汽车将会带动众多技术的融合。电气化、传感器、连接性、云计算、大数据和 AI，它们在自动驾驶汽车、车辆与万物 (V2X) 通信以及信息娱乐电子设备的功能安全及其驾驶辅助功能方面都有着紧密的联系。此外，这些车辆是终极的系统体系之体系。在最低层，我们拥有单独的传感器和集成电路。它们在车辆的各个子系统中交互，而这些子系统则构成了车辆本身。但整个体系并未止步于此：车辆不过是总...[详细]
简易锂电池保护IC测试电路的设计

由于锂电池的体积密度、能量密度高，并有高达4.2V的单节电池电压，因此在手机、PDA和数码相机等便携式电子产品中获得了广泛的应用。为了确保使用的安全性，锂电池在应用中必须有相应的电池管理电路来防止电池的过充电、过放电和过电流。锂电池保护IC超小的封装和很少的外部器件需求使它在单节锂电池保护电路的设计中被广泛采用。然而，目前无论是正向（独立开发）还是反向（模仿开发）设计的国产锂电池保护IC由于...[详细]
高频电源电路的保护与系统控制一些常识

高频电源电路的保护与系统控制我们在与许多客户的交谈中经常提起高频电源系统的问题, 今天小就跟随小编简单了解下。中频感应加热电源保护电路主要的作用是在冷却系统、发电机过载和地线中。如果空气和水温太高，或流量太低，流量和温度开关就会切断主断路器，从而关闭线路上的主驱动马达和励磁驱动马达。同样，如果发电机电流或励徽电流超过极定值15%.主断路器或起动器也会断升。如果从发电机输出端到接地装里之间的电阻...[详细]
夏普计划裁员1.1万人出售27亿美元资产

　　夏普一年以来股价走势图。截至2012年9月25日，夏普在过去一年里股价累计下跌66%。过去52周，夏普股价最高788日元，最低164日元。　　新浪科技讯北京时间9月25日下午消息，据日本共同社报道，夏普周二公布重组方案，计划全球裁员10966人，并在明年3月底前出售价值2131亿日元(约合27亿美元)的资产。　　该计划显示，夏普将削减员工工资，并出售部分海外工厂、一家子公司以...[详细]
采用MSP430FR4xx微控制器实现红外遥控的方案设计

红外遥控采用红外（IR）光来传送信息。发射器MCU的调制信号控制IR LED发射红外光。调制能够帮助接收器把需要的信号与所有其他的红外噪声源区分开来。调制的实现过程是用带有有效信息的包络信号对载波信号（通常是一个具有较高频率的方波）进行调制。接收器采用光电二极管把IR光转换为电流。通常使用跨阻抗放大器将电流转换为电压；在解调前，该电压将通过一个增益放大器和滤波器。载波信号在解调过程中去除。...[详细]
英特尔：开展奥运教育弘扬奥运精神

近日，英特尔携手合作伙伴成功举办了一场题为“开学迎奥运，千里共课堂”的别开生面的主题活动。在主题活动上，超过10万名来自百所学校的学生以线上和线下相结合的形式，通过一系列丰富多彩的课堂活动，了解奥运知识，聆听奥运健儿在赛场上的拼搏故事，还有幸与奥运冠军吴静钰“零距离”交流，学习她身上不服输、勇争先的奥运精神。国际奥委会文化与奥林匹克遗产委员会委员侯琨也来到主题活动现场，号召同学们学习奥运知识，了...[详细]
HART协议在智能电磁流量计中的设计应用

1.引言　　HART，即Highway Addressable Remote Transducer，是可寻址远程传感器高速公路的简称，最早由美国 Rosemount公司开发并得到八十多家著名仪表公司的支持,其特点是在不干扰4～20mA模拟信号的同时允许双向数字通讯。符合HART协议的智能电磁流量计不仅可以实现各种流量的检测和就地显示，还可以通过上位计进行远程设定，改变流量计的零点、量...[详细]
股价昨天跳水乐视网50亿融资盘危机隐现

　　在经历资金链风波之后，创业板“网红”乐视网（300104.SZ）股价已愈发风声鹤唳。但当股价绵绵下跌时，该公司融资盘规模不降反升，仍有部分融资客在冲当“敢死队”，反向豪赌。　　12月6日，坊间再传乐视裁员风波。6日下午，乐视网股价极速跳水，一度逼近跌停。而自定增复牌至今，该公司市值已蒸发超400亿元，参与定增的机构更累计浮亏近10亿元。股价的颓势却意外未能吓退“刀口舔血”的融资客。近两...[详细]
触摸屏市场高速发展 iPhone引发多触点热潮

据市场调研公司iSuppli，即将推出的iPhone使触摸屏成了关注焦点，但在苹果推出该款手机以前，触摸屏技术其实已经在快速发展。 iSuppli预测，从2006年到2012年，主要触摸屏技术的销售额将增长近一倍，达到44亿美元，而2006年出货额为24亿美元。下图为iSuppli对2006-2012年八种主要触摸屏技术销售额的预测(单位：百万美元)。这八种主...[详细]