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2N80G-TND-R

N-CHANNEL POWER MOSFET

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD

厂商官网:http://www.unisonic.com.tw/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明
TO-252D, 3/2 PIN
Reach Compliance Code
compli
雪崩能效等级(Eas)
180 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
800 V
最大漏极电流 (ID)
2.4 A
最大漏源导通电阻
6.3 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
9 pF
JEDEC-95代码
TO-252
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
43 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
9.6 A
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与2N80G-TND-R相近的元器件有:2N80G-TM3-R、2N80L-TM3-R、2N80L-TND-R、2N80_15。描述及对比如下:
型号 2N80G-TND-R 2N80G-TM3-R 2N80L-TM3-R 2N80L-TND-R 2N80_15
描述 N-CHANNEL POWER MOSFET 2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD -
包装说明 TO-252D, 3/2 PIN IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 TO-252D, 3/2 PIN -
Reach Compliance Code compli compli compli compli -
雪崩能效等级(Eas) 180 mJ 180 mJ 180 mJ 180 mJ -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 800 V 800 V 800 V 800 V -
最大漏极电流 (ID) 2.4 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A -
最大漏源导通电阻 6.3 Ω 6.3 Ω 6.3 Ω 6.3 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
最大反馈电容 (Crss) 9 pF 9 pF 9 pF 9 pF -
JEDEC-95代码 TO-252 TO-251 TO-251 TO-252 -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 -
元件数量 1 1 1 1 -
端子数量 2 3 3 2 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 43 W 43 W 43 W 43 W -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 9.6 A 9.6 A 9.6 A 9.6 A -
表面贴装 YES NO NO YES -
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON -
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