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2SA1189

Silicon PNP Epitaxial

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Hitachi (Renesas )

厂商官网:http://www.renesas.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code
unknow
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
250
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
JESD-609代码
e0
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
0.4 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
标称过渡频率 (fT)
130 MHz
Base Number Matches
1
参数对比
与2SA1189相近的元器件有:2SA1188。描述及对比如下:
型号 2SA1189 2SA1188
描述 Silicon PNP Epitaxial Silicon PNP Epitaxial
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 250 250
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e0
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.4 W 0.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
标称过渡频率 (fT) 130 MHz 130 MHz
Base Number Matches 1 1
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