2SA1727F5TLPQ,2SA1727F5TLPQ pdf中文资料,2SA1727F5TLPQ引脚图,2SA1727F5TLPQ电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与2SA1727F5TLPQ相近的元器件有：2SA1727F5TLP、2SA1727F5TLN、2SA1727F5TLNQ、2SA1727F5TLNP、2SA1727F5TLQ。描述及对比如下：

型号	2SA1727F5TLPQ	2SA1727F5TLP	2SA1727F5TLN	2SA1727F5TLNQ	2SA1727F5TLNP	2SA1727F5TLQ
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A
集电极-发射极最大电压	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	82	82	56	56	56	120
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e2	e2	e2	e2	e2	e2
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
功耗环境最大值	10 W	10 W	10 W	10 W	10 W	10 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	10
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	12 MHz	12 MHz	12 MHz	12 MHz	12 MHz	12 MHz
VCEsat-Max	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

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51单片机入门 - 并行I/O口扩展实例（74LS244/74LS373/4071）

并行I/O口扩展实例 //《51单片机原理及应用（第二版）——基于Keil C与Proteus》第四章例4.4 I/O口不能完全用于输入/输出操作，当需要扩展外部存储器时，P0、P2口用作地址总线和数据总线，此时能用的I/O口就只有P1和P3口，如果再使用串行通信，I/O口就不够使用了，需要扩展I/O口两种方式： ① 采用普通锁存器、三态门等芯片来进行简单的扩展（如74LS373或74LS...[详细]
如何利用官方移植例子，创建一个自己demo工程

之前挖了图解 freeRTOS 的坑，挖了坑就得填。今天就从使用开始，先把freeRTOS用起来。先聊一聊在 STM32 F407上的如何电灯，如果只用freeRTOS点灯，无疑有点杀鸡用牛刀的感觉。但是想用freeRTOS做产品，先照类似步骤则可以验证最小系统，验证freeRTOS是否能正确跑起来，再在此基础上开始做应用开发，就把任务分解了。本文主要梳理一下如何利用官方移植例子，创建一个自...[详细]
东芝将拆分为三家公司

日经中文网11月9日报道，东芝正在考虑按主要业务将企业分割成三部分。东芝将把自己和下属企业从事的业务分成基础设施、器件及半导体存储器，重组成3家企业，分别上市，力争2年后实现。这是日本第一家大企业完全分割上市的案例，将在日本的产业界成为历史性转折点。图片来源：日经中文网东芝的下属企业从事发电设备、交通系统、电梯、硬盘（HDD）及半导体等多项业务。2020财年（截至2021年3月）...[详细]
MSP430F1612 第一个程序，点亮一个LED灯

I/O操作 MSP430有6组IO端口，其中P1和P2具有中断功能，其他端口不具备中断功能。而点亮一个LED灯只需要控制一个引脚的高低电平即可。这里不需要用到中断功能。那在这里，我们编码涉及的寄存器只有4个，分别是PxIN、PxOUT、PxDIR和PxSEL。而且MSP430F1612的IO功能并不需要配置时钟，所以整个程序只需要配置4个IO端口的寄存器和看门狗寄存器。对4个寄存器的描述分别如...[详细]
高效非反向降压-升压转换器设计技巧

介绍降压-升压转换器被广泛应用于工业用个人计算机 (IPC)，销售点 (POS) 系统，和汽车启停系统。在这些应用中，输入电压可以高于或低于所需的输出电压。基本反向降压-升压转换器具有一个相对于接地的负输出电压。单端初级电感器转换器 (SEPIC)，Zeta转换器和双开关降压-升压转换器具有正向或非反向输出。然而，与基本反向降压-升压转换器相比，所有这三个非反向拓扑结构具有额外的功率元件，并...[详细]
stm32存储结构& 存储器映射

1 STM32系统结构要想深刻理解STM32的存储器，需要首先知道STM32的系统结构。如Figure 1，是STM32系统结构框图。根据STM32 Reference manual (RM0008)中的描述，如图：可以得知STM32系统结构的组成，每一个模块更为详细的内容，请参考相关文档。 RM0008文档中可以看出，STM32采用的是Cortex-M3内核，...[详细]
51单片机中断系统详解（定时器、计数器）

51单片机中断级别中断源默认中断级别序号（C语言用） INT0---外部中断0 最高 0 T0---定时器/计数器0中断第2 1 INT1---外部中断1 第3 2 T1----定时器/计数器1中断第4 3 TX/RX---串行口中断第5 4 T2---定时器/计数器2中断最低 5 中断允许寄存器IE 位序号 DB7...[详细]
一种能量感知型无线传感器网络跨层式通信协议

0 引言无线传感器网络(Wireless Sensor Networks，WSN)是一种特殊的无线自组织通信网络。其区别于传统无线自组织网络的特点包括：节点数量特别巨大、节点硬件功能简单、应用场境复杂、各种资源受限等。能量资源受限是WSN主要的瓶颈之一。能量感知型WSN协议重点强调高效利用能量的重要性，其设计思想主要是在WSN各层协议中引入能量优化算法，通过控制整个网络的能耗平...[详细]
半导体封装设备巨头ASM投资3千万美元成都设立研发中心

　　昨日下午3时许，全球半导体封装设备巨头香港上市公司ASM太平洋科技公司与成都高新区签署投资合作协议，投资3000万美元在高新区设立半导体设备研发中心，未来三年内拟在天府软件园建两座研发大楼。　　根据协议，ASM公司将在成都设立半导体封装测试设备研发基地，首期投资超过3000万美元，先期租用天府软件园，再征地自建研发中心。这有助于拓展成都的半导体产业链，显著提升成都高新区半导体研发、设计能...[详细]
笙科推出低功耗GPS射频接收器

笙科电子(AMIC Communication Corp.)日前发布该公司第一代卫星定位系统(GPS)射频接收芯片(RF receiver IC)A7282，并已开始量产出货。该芯片提供一个高整合度、低耗电卫星定位解决方案，并且具有较好的价格竞争力。该芯片采用32-lead QFN 5X5mm包装，并且整合LNA，镜像抑制混频器(image rejected mixer)，中频(IF)带通滤...[详细]
可用于电流检测监控的单电源差分放大器AD8210

AD8210是一款单电源差分放大器，非常适合放大大共模电压中的微弱差分电压。它的输入共模电压范围是-2 V 至 +65 V，电源电压典型值为5 V。 AD8210采用SOIC封装，工作温度范围是−40°C至+125°C。 AD8210在整个温度范围内具有出色的交流和直流性能，使得测量环路中的误差最小。其最大失调漂移与增益漂移分别为8 µV/°C与20 ppm/°C。采用5V电源供电时，通...[详细]
欣旺达为华为新智能机荣耀3C供应锂电池

大智慧阿思达克通讯社1月1日讯，华为推出千元智能手机荣耀3C，目前已公开销售了两轮。华为手机电池传统供应商之一的欣旺达，31日（周二）在投资者互动平台上表示，公司是华为荣耀3C锂离子电池模组的供应商之一。公开资料显示，12月16日，华为正式公布将推出售价798元的智能机荣耀3C，该款手机采用2300mAh可拆卸式的锂离子电池。欣旺达一位内部人士曾向大智慧表示，目前...[详细]
一个单片机ADC的挖坑填坑之旅

本文来解析一个盆友在使用STM32采集电池电压踩过的坑。以STM32F4 的ADC属于逐次逼近SAR 型ADC为例进行分析，参考STM32F405xx Datasheet，对于如何编写ADC程序就不做描述了。先描述一下坑采集电池电压，利用两个电阻将电池电压分压，然后送入单片机，当电阻如上分别取4M欧/1M欧时，ADC采集到的ADC值与万用表测得的ADC输入端相差很大，取30K欧以...[详细]
三星成美国手机份额冠军华为国内夺魁

根据市场调查机构凯度集团公布的数据，今年第二季度三星成为美国市场智能手机的霸主，市场占有率为36.2%（一季度为32.9%）。三星成美国手机份额冠军（图片来源gsmarena）　　iPhone在美国市场的份额也上升了4.7个百分点达到34%，这其中iPhone 7和7 Plus贡献很大。为三星贡献最多销量的产品则是三星S8和S7，另外三星A系列和J系列的市场表现也不错。　　在中国市场...[详细]
德承工业平板电脑 HMI应用的全方位解决方案

强固型嵌入式电脑品牌 – Cincoze德承，旗下的Display Computing – CRYSTAL产品线是专为应对各种严苛环境中的HMI应用而设计。包含了三大系列 : 适用于室內恶劣环境的工业平板电脑、满足戶外高亮度需求的阳光下可视平板电脑，以及与设备机柜无缝整合的开放式架构平板电脑。全系列不仅具备工业级强固保护与符合众多国际标准，还提供从运算效能、屏幕尺寸、显示比例到触控方式等近...[详细]