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2SC4129A

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FP, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ROHM(罗姆半导体)

厂商官网:https://www.rohm.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
TO-220FP
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknow
其他特性
HIGH VOLTAGE
外壳连接
ISOLATED
最大集电极电流 (IC)
5 A
集电极-发射极最大电压
400 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
16
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
30 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
15 MHz
Base Number Matches
1
文档预览
Transistors
2SC4061K / 2SC3415S / 2SC4015 / 2DC3271F
2SC4938 / 2SC4129
(96-172-C52)
(96-188-C55)
309
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参数对比
与2SC4129A相近的元器件有:2SC4129/A、2SC4129B。描述及对比如下:
型号 2SC4129A 2SC4129/A 2SC4129B
描述 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FP, 3 PIN 5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP, TO-220FP, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FP, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 不符合
零件包装代码 TO-220FP TO-220FP TO-220FP
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 16 16 25
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
其他特性 HIGH VOLTAGE - HIGH VOLTAGE
最大功率耗散 (Abs) 30 W - 30 W
标称过渡频率 (fT) 15 MHz - 15 MHz
端子面层 - NOT SPECIFIED Tin/Lead (Sn/Pb)
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