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3N60L-TM3-R

3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD

厂商官网:http://www.unisonic.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码
TO-251
包装说明
IN-LINE, R-PSIP-T3
针数
3
Reach Compliance Code
compli
雪崩能效等级(Eas)
200 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3 A
最大漏极电流 (ID)
3 A
最大漏源导通电阻
3.6 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-251
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
12 A
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与3N60L-TM3-R相近的元器件有:3N60G-TM3-R。描述及对比如下:
型号 3N60L-TM3-R 3N60G-TM3-R
描述 3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码 TO-251 TO-251
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
雪崩能效等级(Eas) 200 mJ 200 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3 A 3 A
最大漏极电流 (ID) 3 A 3 A
最大漏源导通电阻 3.6 Ω 3.6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-251 TO-251
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 12 A 12 A
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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