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3SK132A-T2BU36

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-59, 4 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:NEC(日电)

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
NEC(日电)
包装说明
PLASTIC, SC-59, 4 PIN
Reach Compliance Code
unknown
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最大漏极电流 (ID)
0.025 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
0.03 pF
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
R-PDSO-G4
元件数量
1
端子数量
4
工作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)
20 dB
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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参数对比
与3SK132A-T2BU36相近的元器件有:3SK132A-T1BU36、3SK132A-T1BU35、3SK132A-LU36、3SK132A-LU35、3SK132A-T2BU35。描述及对比如下:
型号 3SK132A-T2BU36 3SK132A-T1BU36 3SK132A-T1BU35 3SK132A-LU36 3SK132A-LU35 3SK132A-T2BU35
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-59, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-59, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-59, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-59, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-59, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-59, 4 PIN
包装说明 PLASTIC, SC-59, 4 PIN PLASTIC, SC-59, 4 PIN PLASTIC, SC-59, 4 PIN PLASTIC, SC-59, 4 PIN PLASTIC, SC-59, 4 PIN PLASTIC, SC-59, 4 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大漏极电流 (ID) 0.025 A 0.025 A 0.025 A 0.025 A 0.025 A 0.025 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 0.03 pF 0.03 pF 0.03 pF 0.03 pF 0.03 pF 0.03 pF
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4 4
工作模式 DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 20 dB 20 dB 20 dB 20 dB 20 dB 20 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
厂商名称 NEC(日电) - NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
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