5962-9062008MXX,5962-9062008MXX pdf中文资料,5962-9062008MXX引脚图,5962-9062008MXX电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与5962-9062008MXX相近的元器件有：5962-9062005MYX、5962-9062001MYX、5962-9062006MYX、5962-9062011MXX、5962-9062009MXX、5962-9062012MXX、5962-9062007MXX、5962-9062004MYX。描述及对比如下：

型号	5962-9062008MXX	5962-9062005MYX	5962-9062001MYX	5962-9062006MYX	5962-9062011MXX	5962-9062009MXX	5962-9062012MXX	5962-9062007MXX	5962-9062004MYX
描述	Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, CERAMIC, DIP-48	Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, CERAMIC, DIP-48	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, CERAMIC, DIP-48	Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, CERAMIC, DIP-48
零件包装代码	LCC	DIP	DIP	DIP	LCC	LCC	LCC	LCC	DIP
包装说明	QCCN,	DIP, DIP48,.6	DIP, DIP48,.6	DIP, DIP48,.6	QCCN,	QCCN, LCC52,.75SQ	QCCN,	QCCN, LCC52,.75SQ	DIP, DIP48,.6
针数	52	48	48	48	52	52	52	52	48
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	45 ns	45 ns	55 ns	35 ns	45 ns	35 ns	35 ns	55 ns	55 ns
JESD-30 代码	S-CQCC-N52	R-GDIP-T48	R-GDIP-T48	R-GDIP-T48	S-CQCC-N52	S-CQCC-N52	S-CQCC-N52	S-CQCC-N52	R-GDIP-T48
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	52	48	48	48	52	52	52	52	48
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	QCCN	DIP	DIP	DIP	QCCN	QCCN	QCCN	QCCN	DIP
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	NO	YES	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1
I/O 类型	-	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	-	COMMON	COMMON
端口数量	-	2	2	2	-	2	-	2	2
输出特性	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	-	DIP48,.6	DIP48,.6	DIP48,.6	-	LCC52,.75SQ	-	LCC52,.75SQ	DIP48,.6
电源	-	5 V	5 V	5 V	-	5 V	-	5 V	5 V
最大待机电流	-	0.015 A	0.015 A	0.015 A	-	0.015 A	-	0.015 A	0.015 A
最小待机电流	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	-	0.12 mA	0.12 mA	0.17 mA	-	0.17 mA	-	0.12 mA	0.12 mA
端子节距	-	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	-	1.27 mm	-	1.27 mm	2.54 mm

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怎样用数字万用表丈量直流电阻

　　1、量程挑选　　量程选小了闪现屏上会闪现“1.”，此刻应换用较大的量程;反之，量程选大了的话，闪现屏上会闪现一个挨近于的“0”数，此刻应换用较之小的量程。　　2、怎样读数　　闪现屏上闪现的数字再加上下边挡位挑选的单位便是它的读数。要提示的是在“200”挡时单位是“Ω”，在“2K~200K”挡时单位是“KΩ”,在“2M~2000M”挡时单位是“MΩ”。　　3、假定被测电阻值超出...[详细]
格芯和高通签订先进5G射频前端产品交付协议

格芯和高通合作打造前沿5G解决方案，提供突破性网络覆盖范围和出色的移动性 2021年9月15日，圣迭戈——全球领先的提供功能丰富的半导体制造商格芯（GF）和高通技术公司子公司Qualcomm Global Trading PTE. Ltd.今日宣布，双方正通过扩展射频领域的成功合作，打造数千兆比特速率5G射频前端产品，为最新一代5G产品提供高速蜂窝网络、卓越网络覆盖和出色能效，同时满足用户...[详细]
基于uClinux的嵌入式多功能信息交互终端

信息交互终端是一种以信息交流为主要目的,为个性化用户提供信息处理、存储和查询等功能的嵌入式设备。与个人电脑机相比,该设备结构简单、功能专一、操作简单。目前,信息交互终端主要应用于银行、移动通信和视频会议等领域。 1) 银行金融终端。银行金融终端是一种以通过网络进行金融交易为主要功能的低端设备,能24 小时为客户提供服务,即客户能够随时通过该终端实现存取款、转帐、查询等操作。目前该类型终端已经走...[详细]
触摸屏控制器性能指标信噪比的测量方案

触摸屏控制器制造商经常拿各种规格和标准来使自己的产品与众不同。其中最常提到的就是信噪比(SNR)。然而，当噪声存在时，即使数字上看起来不错，也并不意味着SNR就是一个很好的系统性能指标。这篇文章将讨论什么是信噪比，它是如何计算的，它对系统性能意味着什么，是否能很好的度量触摸性能。什么是信噪比? 信噪比是触摸屏控制器的性能指标，现在已经作为行业标准被大家接受。信噪比的问题是没有任何行业标准的...[详细]
基于LabVIEW的多路时序控制脉冲发生器设计

　　0 引言　　在过程控制和自动测量中，经常需要一些时序控制脉冲来触发和关闭不同的控制单元和功能部件的工作。时序脉冲信号的产生，传统上一般采用硬件方式实现，早期大多采用计数器和寄存器进行设计，近年普遍采用可编程逻辑器件(PFGA)或数字信号处理器(DSA)。采用硬件方式实现的时序脉冲信号发生器存在仪器功能单一，信号输出通道路数较少，参数调节不方便，仪器的升级换代困难等缺点；而采用基于Lab...[详细]
串联或并联白光LED的供电方案：电荷泵与升压型DC-DC转换

摘要：白光LED被普遍用作便携设备LCD的背光源，原因是他们复杂程度较低、花费较少且尺寸小于CCFL背光源。PDA、手机和数码相机等便携设备已逐步过渡到彩色LCD显示屏，因此，越来越多的产品需要背光源。本文讨论用于串联或并联白光LED供电的电荷泵和电感升压转换方案，采用电压调节或电流调节控制器。本文还讨论了对尺寸、效率、电池寿命及LED匹配的折衷考虑。随着手机、PDA及数码相机越来越多地使用彩...[详细]
拉卡拉手环评测：赢了荣耀手环3和小米手环2

北京市市政一卡通公司对外宣布，市民可以在春节后购买到具备一卡通功能的手环，除了可在公交、地铁、市郊铁路、公共自行车租赁服务上使用，还能在部分超市、自动售货机等处使用。如今，不少消费者已经抛弃了伴随多年的钱包和银行卡。他们只需要一部手机或者一个手环，便可以为购物买单，为交通付款，而这些便利还只是冰山一角。随着科技的进步，人们的生活将会产生更大的改变。而为人们生活带来这些便利的技...[详细]
自动驾驶及电动汽车零部件将有巨大的利润增量空间

　　自2016年起，国外自动驾驶行业进入投融资爆发期，2019年国外投融资热度不减。从融资事件数量来看，2019年国外自动驾驶行业融资事件稳重有升，全年共发生46起融资事件，从融资金额来看，2019年行业融资总额为49.3亿元。而国内外融资规模扩大的背后，是多国想要分食自动驾驶“大蛋糕”的野心。　　目前，美国有10个州成为自动驾驶项目的落地点，其中加利福尼亚州和亚利桑那州较集中。据不完全统...[详细]
介绍几种汽车内外部照明LED驱动器的解决方案

　　LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。近年来，其应用领域不断拓宽，从传统的便携设备背光向中大尺寸LCD显示器/液晶电视背光、汽车及通用照明等领域不断迈进。本文将专门介绍适合于汽车照明应用的各种LED驱动器方案，并探讨一些典型应用。　　1 LED为汽车照明应用提供众多优势　　LED在汽车中的应用领域非常广泛，但可...[详细]
Diodes 推出适合LCD背光应用的MOSFET

Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装，具有高功率处理和快速开关功能，可满足高效CCFL驱动器架构的要求。 Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表示：“30V 额定双N沟道DMN3024LSD 采用SO8 封装，适用于推挽式逆变器，可比分立式元件节省更多的空间。...[详细]
【简要解析】LED洗墙灯的基本参数和工作原理

LED 洗墙灯英文名Ledwashwalllamp，又叫线型LED投光灯等等，因为其外形为长条形，大多数都是铝质外壳的洗墙灯，也称为LED铝条灯和LED线条灯，主要也是用来做建筑装饰照明之用，还有用来勾勒大型建筑的轮廓，其技术参数与LED投光灯大体相似，相对於LED投光灯的圆形结构，LED洗墙灯的条形结构的散热装置显得更加好处理一点。　　一、大功率LED洗墙灯的基本参数　　LED洗墙灯...[详细]
数百家领先物联网企业就无管局征求意见稿进行研讨

2018年1月11日，来自全国各地及海外的一百多家物联网行业企业、用户单位和科研机构代表齐聚北京，共同参与了“为物联网未来发声——物联网微功率频谱应用研讨会”。与会代表针对工业和信息化部无线电管理局近期发布的《微功率短距离无线电发射设备技术要求（征求意见稿）》展开研讨，结合我国各种物联网应用的实际情况和未来发展趋势，提出了各自的反馈意见并形成了十点共识，以进一步推动国内各类主体在物联网领域内的不...[详细]
ABB i-bus EIB系统在智能建筑中的应用

通过对一个实际应用项目的详细分析，说明了ABB i-bus EIB系统在智能建筑应用中体现出来的巨大优势。欧洲安装总线(EIB，European Installation Bus)在亚洲称为电气安装总线（Electrical Installation Bus），是电气布线领域使用范围最广的行业规范和产品标准。EIB标准的制定，不仅提高了人们的生活水准，更标志着多家产品的兼容性和新旧产品的兼容...[详细]
光量子计算机诞生,陆朝阳:这个时代需要仰望星空的年轻人

5月3日，中国科学家向世界宣布：世界上第一台超越早期经典计算机的光量子计算机诞生了！这是中国科学院院士、中国科学技术大学教授潘建伟及其同事陆朝阳、朱晓波等，联合浙江大学王浩华教授研究组攻关突破的成果。与此同时，35岁的陆朝阳收到了又一条消息——他荣获第21届中国青年五四奖章。 “很荣幸获得这份荣誉，这是对潘建伟团队工作的肯定，体现了国家对科技工作者的重视。”陆朝阳身上有着明显的中科大人的气质，他...[详细]
基于ASPICE模型的汽车软件开发质量管理设计

前言当前汽车领域正处于一个极具挑战性的历史时刻，随着电动化、智能化、网联化和共享化等不断变化的应用场景，大量新兴的业务和技术需求急速增长，汽车正日益成为软件密集型的复杂系统，汽车行业的大部分创新都是基于电子和软件。现代汽车可以有100多个电子控制模块，这些控制模块通过汽车智能电子架构，一起执行数十亿字节的软件，同时通过车联网实现车与车、车与云端的相互连接。汽车智能网联时代的到来，越来越依赖于汽...[详细]