5962R9676602QXX,5962R9676602QXX pdf中文资料,5962R9676602QXX引脚图,5962R9676602QXX电路-Datasheet-电子工程世界

文档预览

HS-81C55RH, HS-81C56RH

Data Sheet

August 2000

File Number

3039.2

Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM

The HS-81C55/56RH are radiation hardened RAM and I/O

chips fabricated using the Intersil radiation hardened Self-

Aligned Junction Isolated (SAJI) silicon gate technology.

Latch-up free operation is achieved by the use of epitaxial

starting material to eliminate the parasitic SCR effect seen in

conventional bulk CMOS devices.

The HS-81C55/56RH is intended for use with the

HS-80C85RH radiation hardened microprocessor system.

The RAM portion is designed as 2048 static cells organized

as 256 x 8. A maximum post irradiation access time of

500ns allows the HS-81C55/56RH to be used with the

HS-80C85RH CPU without any wait states. The

HS-81C55RH requires an active low chip enable while the

HS-81C56RH requires an active high chip enable. These

chips are designed for operation utilizing a single 5V power

supply.

Speciﬁcations for Rad Hard QML devices are controlled

by the Defense Supply Center in Columbus (DSCC). The

SMD numbers listed here must be used when ordering.

Detailed Electrical Speciﬁcations for these devices are

contained in SMD 5962-96766. A “hot-link” is provided

on our homepage for downloading.

http://www.intersil.com/spacedefense/space.asp

Features

• Electrically Screened to SMD # 5962-96766

• QML Qualiﬁed per MIL-PRF-38535 Requirements

• Radiation Hardened EPI-CMOS

- Total Dose. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 krad(Si) (Max)

- Transient Upset . . . . . . . . . . . . . . . . . .>1 x 10

rad(Si)/s

- Latch-Up Free . . . . . . . . . . . . . . . . . . >1 x 10

rad(Si)/s

• Electrically Equivalent to Sandia SA 3001

• Pin Compatible with Intel 8155/56

• Bus Compatible with HS-80C85RH

• Single 5V Power Supply

• Low Standby Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .200µA Max

• Low Operating Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mA/MHz

• Completely Static Design

• Internal Address Latches

• Two Programmable 8-Bit I/O Ports

• One Programmable 6-Bit I/O Port

• Programmable 14-Bit Binary Counter/Timer

• Multiplexed Address and Data Bus

• Self Aligned Junction Isolated (SAJI) Process

• Military Temperature Range . . . . . . . . . . . -55

C to 125

Ordering Information

ORDERING NUMBER

5962R9676601QXC

5962R9676601QYC

5962R9676601VXC

5962R9676601VYC

5962R9676602QXC

5962R9676602QYC

5962R9676602VXC

5962R9676602VYC

INTERNAL

MKT. NUMBER

HS1-81C55RH-8

HS9-81C55RH-8

HS1-81C55RH-Q

HS9-81C55RH-Q

HS1-81C56RH-8

HS9-81C56RH-8

HS1-81C56RH-Q

HS9-81C56RH-Q

TEMP. RANGE

(

-55 to 125

Functional Diagram

IO/M

AD0 - AD7

CE OR CE

†

ALE

RESET

TIMER CLK

TIMER OUT

TIMER

PORT C

PC0 - PC5

VDD (10V)

GND

256 x 8

STATIC

RAM

PORT A

PA0 - PA7

PORT B

PB0 - PB7

†

81C55RH = CE

81C56RH = CE

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

1-888-INTERSIL or 321-724-7143

Intersil and Design is a trademark of Intersil Corporation.

HS-81C55RH, HS-81C56RH

Pinouts

40 LEAD DUAL-IN-LINE METAL SEAL PACKAGE (SBDIP)

MIL-STD-1835 CDIP2-T40

TOP VIEW

PC3

PC4

TIMER IN

RESET

PC5

TIMER OUT

IO / M

CE or CE

†

40 VDD

39 PC2

38 PC1

37 PC0

36 PB7

35 PB6

34 PB5

33 PB4

32 PB3

31 PB2

30 PB1

29 PB0

28 PA7

27 PA6

26 PA5

25 PA4

24 PA3

23 PA2

22 PA1

21 PA0

PC3

PC4

TIMER IN

RESET

PC5

TIMER OUT

IO/M

CE OR CE

ALE

AD0

AD1

AD2

AD3

AD4

AD5

AD6

AD7

GND

VDD

PC2

PC1

PC0

PB7

PB6

PB5

PB4

PB3

PB2

PB1

PB0

PA7

PA6

PA5

PA4

PA3

PA2

PA1

PA0

42 LEAD CERAMIC METAL SEAL FLATPACK PACKAGE

INTERSIL OUTLINE K42.A

TOP VIEW

RD 9

WR 10

ALE 11

AD0 12

AD1 13

AD2 14

AD3 15

AD4 16

AD5 17

AD6 18

AD7 19

GND 20

†

81C55RH = CE

81C56RH = CE

HS-81C55RH, HS-81C56RH

Pin Descriptions

SYMBOL

RESET

TYPE

NAME AND FUNCTION

Reset:

Pulse provided by the HS-80C85RH to initialize the system (connect to HS-80C85RH RESET OUT).

Input high on this line resets the chip and initializes the three I/O ports to input mode. The width of RESET

pulse should typically be two HS-80C85RH clock cycle times.

Address/Data:

Three-state Address/Data lines that interface with the CPU lower 8-bit Address/Data Bus. The

8-bit address is latched into the address latch inside the HS-81C55 and HS-81C56RH on the falling edge of

ALE. The address can be either for the memory section or the I/O section depending on the IO/M input. The

8-bit data is either written into the chip or read from the chip, depending on the WR or RD input signal.

Chip Enable:

On the HS-81C55RH, this pin is CE and is ACTIVE LOW. On the HS-81C56RH, this pin is CE

and is ACTIVE HIGH.

Read Control:

Input low on this line with the Chip Enable active enables and AD0 - AD7 buffers. If IO/M pin

is low, the RAM content will be read out to the AD bus. Otherwise the content of the selected I/O port or

command/status registers will be read to the AD bus.

Write Control:

Input low on this line with the Chip Enable active causes the data on the Address/Data bus to

be written to the RAM or I/O ports and command/status register, depending on IO/M.

Address Latch Enable:

This control signal latches both the address on the AD0 - AD7 lines and the state of

the Chip Enable and IO/M into the chip at the falling edge of ALE.

I/O Memory:

Selects memory if low and I/O and command/status registers if high.

Port A:

These 8 pins are general purpose I/O pins. The in/out direction is selected by programming the

command register.

Port B:

These 8 pins are general purpose I/O pins. The in/out direction is selected by programming the

command register.

Port C:

These 6 pins can function as either input port, output port, or as control signals for PA and PB.

Programming is done through the command register. When PC0 - PC5 are used as control signals, they will

provide the following:

PC0 - A INTR (Port A Interrupt)

PC1 - ABF (Port A Buffer Full)

PC2 - A STB (Port A Strobe)

PC3 - B INTR (Port B Interrupt)

PC4 - B BF (Port B Buffer Full)

PC5 - B STB (Port B Strobe)

Timer Input:

Input to the counter-timer.

Timer Output:

This output can be either a square wave or a pulse, depending on the timer mode.

Voltage:

+5V.

Ground:

Ground reference.

AD0 - AD7

I/O

CE or CE

ALE

IO/M

PA0 - PA7 (8)

PB0 - PB7 (8)

PC0 - PC7 (8)

I/O

TIMER IN

TIMER OUT

VDD

GND

HS-81C55RH, HS-81C56RH

Waveforms

READ

CE (81C55RH)

CE (81C56RH)

IO/M

tAD

0-7

tAL

ALE

tLL

tLC

tCC

tRV

tRIDE

tRD

tCL

tRDF

ADDRESS

tLA

DATA VALID

WRITE

CE (81C55RH)

CE (81C56RH)

IO/M

0-7

tAL

ALE

tLL

ADDRESS

tLA

tDW

DATA VALID

tCL

tLC

tCL

tCC

tWD

tRV

HS-81C55RH, HS-81C56RH

Waveforms

(Continued)

STROBED INPUT

tSBF

STROBED

tSS

INTR

tRDI

tSI

tRBE

tPSS

INPUT DATA

FROM PORT

tPHS

STROBED OUTPUT

tSBE

STROBE

tWBF

INTR

tWI

tWP

OUTPUT DATA

TO PORT

tSI

参数对比

与5962R9676602QXX相近的元器件有：5962R9676602VYX、5962R9676602VXX、5962R9676601QXX、5962R9676601VXX、5962R9676602QYX、5962R9676601QYX、5962R9676601VYX、5962-01-363-9538。描述及对比如下：

型号	5962R9676602QXX	5962R9676602VYX	5962R9676602VXX	5962R9676601QXX	5962R9676601VXX	5962R9676602QYX	5962R9676601QYX	5962R9676601VYX	5962-01-363-9538
描述	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDIP40, CERAMIC, DIP-40	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDFP42, FP-42	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDIP40, CERAMIC, DIP-40	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDIP40, CERAMIC, DIP-40	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDIP40, CERAMIC, DIP-40	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDFP42, FP-42	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDFP42, FP-42	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDFP42, FP-42	5962-01-363-9538
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	not_compliant
JESD-30 代码	R-CDIP-T40	R-XDFP-F42	R-CDIP-T40	R-CDIP-T40	R-CDIP-T40	R-XDFP-F42	R-XDFP-F42	R-XDFP-F42	R-XDIP-T40
端子数量	40	42	40	40	40	42	42	42	40
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	CERAMIC
封装代码	DIP	DFP	DIP	DIP	DIP	DFP	DFP	DFP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class V	38535Q/M;38534H;883B
表面贴装	NO	YES	NO	NO	NO	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	FLAT	FLAT	FLAT	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
零件包装代码	DIP	DFP	DIP	DIP	DIP	DFP	DFP	DFP	-
包装说明	DIP,	DFP,	DIP,	DIP,	DIP,	DFP,	DFP,	DFP,	-
针数	40	42	40	40	40	42	42	42	-
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	-
最长访问时间	500 ns	500 ns	500 ns	500 ns	500 ns	500 ns	500 ns	500 ns	-
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	-
内存密度	2048 bit	2048 bit	2048 bit	2048 bit	2048 bit	2048 bit	2048 bit	2048 bit	-
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	-
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	-
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	-
字数	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words	-
字数代码	256	256	256	256	256	256	256	256	-
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-
组织	256X8	256X8	256X8	256X8	256X8	256X8	256X8	256X8	-
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	-
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	-
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	-
端子面层	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	-
总剂量	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-	-
端子节距	-	1.27 mm	-	-	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm

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移动传感、大数据与资本的碰撞

由深迪半导体（上海）有限公司主办，上海千人计划联谊会协办的首届“移动大数据与资本峰会”于2014年12月12日在上海东郊宾馆隆重举行。会议吸引了阿里、腾讯、联想、IBM、中国移动、高通、英特尔等移动大数据领域相关企业，德丰杰、赛富、J.P.摩根、上海股权托管交易中心、平安、国泰君安、齐鲁证券、海通、光大、六禾等投资界机构和企业，以及CCTV、新华社、SMG等多家媒体的广泛参与和积极关注。 ...[详细]
高通推出支持卫星通信的全新物联网解决方案，提供不间断的远程监测和资产追踪功能

要点： • 高通技术公司与非地面网络服务提供商Skylo合作推出全新调制解调器，为物联网终端跨卫星和蜂窝网络提供超低功耗和卓越连接。 • 全新调制解调器符合3GPP Release 17标准，支持地球静止轨道（GEO）或地球同步轨道（GSO）卫星的卫星通信，能够在全球范围实现连接，并提供便捷的终端设置和定位功能。 • 两款芯片组均支持Qualcomm Aware™平台，该...[详细]
新一代机皇现身？Windows手机刷成安卓

相信大家一定对HTC HD2不陌生，被称为刷机神器，可以刷Windows系统、安卓2.3— 6.0，Ubuntu手机系统等。不过今天，诺基亚的一款手机“继承”了HD2刷机神器称号，就是Lumia 525。经过XDA大神的折腾可以刷机到安卓6.0。Lumia 525是一款经典的采用Windows Phone 8系统手机，它配置的是4英寸800×480分辨率IPS显示屏、高通骁龙 S4处理器、...[详细]
LED显示屏发光材料的几种形式介绍

　　目前由于高亮度的蓝色及纯绿色半导体晶片制造技术主要掌握在日本，美国等少数公司手中，造成价格比较昂贵。应用于显示屏的led发光材料有以下几种形式：　　①LED发光灯(或称单灯) 　　一般由单个LED晶片，反光碗，金属阳极，金属阴极构成，外包具有透光聚光能力的环氧树脂外壳。可用一个或多个（不同颜色的）单灯构成一个基本像素，由于亮度高，多用于户外显示屏。　　②LED点阵模块　　由若干...[详细]
价格暴涨60% 提高半导体硅片国产化率刻不容缓

从今年初开始，半导体产业的关键材料之一硅晶圆的价格便不断上涨，且涨价趋势正快速从12英寸硅片向8英寸与6英寸蔓延。另有消息称，台积电、联电等代工龙头企业日前已与日本信越(ShinEtsu)、SUMCO等硅晶圆主要供应商签订 1～2 年短中期合约，其中12英寸硅片签约价已提高到每片120美元，相比去年年底的75美元上涨60%。硅晶圆一直是我国半导体产业链的一大短板，目前国内企业只能达到4～6英...[详细]
《彭博社》：苹果的关税减免造福众人独独缺了美国

《彭博社》专栏作家Tim Culpan认为，虽然美国给予苹果Mac Pro部分元件关税减免，但这只能带来表面的好处，就如同贸易战以来的情况一样，实际上的获利者并不是美国，而是其他国家。贸易战开打以来，美国总统特朗普一直希望能让美国公司戒掉对中国供应链的依赖，虽然官方也开放公司申请关税豁免，但惠普（HP）以及戴尔（Dell）等公司都在寻找转移供应链的机会。根据美国政府的要求，若想要获得关税豁免...[详细]
机车视频监控系统的实现方案

摘要：本文分析了在机车上配置视频监控系统的必要性，比较了GPRS、CDMA、WLAN三种无线网络的优劣，得出了CDMA 最适合于开发本系统的结论。本文论述了建立在硬盘录像机和无线视频传输模块基础上的系统实现方案，分别描述了车载端、视频服务器、远程监控端的软硬件结构。　　1. 引言　　随着我国铁路事业的不断发展，机车行驶的速度越来越快，确保机车行驶的平稳安全已经成为铁路运输部门工作的重中...[详细]
led灯带用万用表怎么检测_led灯带用电量如何计算

　　步骤：　　1.首先把指针万用表的量程开关拨到Rx10千欧档上；　　2.把黑表笔插头插在负插座孔内，红表笔插头插在正插座孔内；　　3.用黑表笔去接单个LED灯珠的正极、用红表笔去接单个灯珠的负极；　　4.若是点亮灯珠是正常的，若不亮说明此灯珠基本上就是坏的。　　led灯带用电量如何计算　　LED灯带的耗电量可以通过如下公式来计算：LED灯带功率*使用时间=LED灯带的耗电...[详细]
关于二维/石墨烯材料及电子器件测试介绍

纳米材料电学测试方案将在本文中阐述，包括《纳米线/碳纳米管测试方案》、《二维/石墨烯材料测试方案》。纳米材料电学测试SMU 应用场景、测试特点及选型原则的示意图，结合被测纳米材料或纳米电子器件的类型及测试要点，选择最适合的SMU。4200 – SCS 几乎适用于全部种类的纳米材料的测试，当然，某些特殊的源表更适合一些特殊的应用。纳米线/碳纳米管及电子器件测试纳米线（Nano Wire）为...[详细]
我们在一堆谍照中发现了锤子T3/坚果这些秘密

最近，网上出现不少关于锤子旗舰手机T3以及新坚果U2的新闻，其中包括关于坚果U2的配置，锤子T3的真机图等消息。小编在喝了一口白花蛇草水之后，决定整理一下关于这两款新机的曝光资料。也来简单地阐述一下自己对这些消息的看法。秘密1：坚果U2用骁龙625/有2GB以及3GB RAM版本　　话说先前@安兔兔就曝光了坚果手机U2的配置，称这款手机搭载了骁龙650六核处理器，并且有2+16GB...[详细]
RISC-V内核出货量明年翻番，后年再翻倍

据德勤报道，RISC-V是一种用于芯片设计的开源指令集架构，正在产生可能演变成未来浪潮的涟漪。为此Deloitte Global 预测，RISC-V 处理内核的市场将在 2022 年比 2021 年翻一番，并且在 2023 年将再次翻番，因为 RISC-V 处理内核的可服务目标市场继续扩大。不过随后，其收入增长将更加缓慢，正如开源解决方案所预期的那样。尽管如此，RISC-V 的收入可能会在...[详细]
霍尼韦尔发布智能空气净化器Air Touch-S：售价2999元

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21世纪大学新型参考教材系列集成电路B 荒井 159页

集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。 ...[详细]
英特诺发布2021上半年财报，利润实现创纪录增长

2021年8月2日，瑞士圣安东尼奥——近日，世界领先的物料处理解决方案供应商英特诺集团正式发布2021年上半年财报。财报显示，英特诺集团2021年上半年订单额显著增长了60.1%（以本币计算增长61.0%），经营业绩（息税前利润，EBIT）同比强劲增长39.5%，净利润同比增长40.4%。 • 订单额达4.216亿瑞士法郎（同比增长60.1%）。 • 销售额增至2.72亿瑞士法郎（同...[详细]
我国集成电路布图设计登记明显超过国外

信息产业部所做的集成电路布图设计知识产权态势分析表明，中国集成电路布图设计登记明显超过国外，其比重达到80.93%，国外所占比重为19.17%。其中，尤其以上海表现突出，登记量达到500多件，占半数左右。 28日，记者从上海举行的“2007年度电子信息产业标准与知识产权峰会”上了解到，截至2007年7月6日，中国集成电路布图设计登记总量为1374件，其中国内1112件，所占比重达到80.93%，...[详细]