71L024L70BF,71L024L70BF pdf中文资料,71L024L70BF引脚图,71L024L70BF电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与71L024L70BF相近的元器件有：71L024L70PZI、71L024L100BFI、71L024L100PZ、71L024L100BF、71L024L100PZI、71L024L70BFI、71L024L70PZ。描述及对比如下：

型号	71L024L70BF	71L024L70PZI	71L024L100BFI	71L024L100PZ	71L024L100BF	71L024L100PZI	71L024L70BFI	71L024L70PZ
描述	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32	Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32	Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	7 X 9 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	8 X 13.40 MM, TSOP1-32	7 X 9 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	8 X 13.40 MM, TSOP1-32	7 X 9 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	8 X 13.40 MM, TSOP1-32	7 X 9 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46	8 X 13.40 MM, TSOP1-32
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	70 ns	70 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	70 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B46	R-PDSO-G32	R-PBGA-B46	R-PDSO-G32	R-PBGA-B46	R-PDSO-G32	R-PBGA-B46	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	46	32	46	32	46	32	46	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	TSOP1	LFBGA	TSOP1	LFBGA	TSOP1	LFBGA	TSOP1
封装等效代码	BGA48,6X8,30	TSOP32,.46	BGA48,6X8,30	TSOP32,.46	BGA48,6X8,30	TSOP32,.46	BGA48,6X8,30	TSOP32,.46
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A
最小待机电流	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
最大压摆率	0.025 mA	0.025 mA	0.018 mA	0.018 mA	0.018 mA	0.018 mA	0.025 mA	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING
端子节距	0.75 mm	1.27 mm	0.75 mm	1.27 mm	0.75 mm	1.27 mm	0.75 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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Gartner发布2023-2024年八大网络安全趋势预测

2023年4月18日 – Gartner近日公布的网络安全重要趋势预测显示，半数首席信息安全官（CISO）将采取以人为本的设计，旨在减少网络安全运营中的摩擦；大型企业将重点执行零信任计划；半数网络安全领导者将尝试使用网络风险量化机制来推动决策，但会以失败告终。在近日召开的Gartner安全与风险管理峰会的开幕主旨演讲中，Gartner高级研究总监Richard Addiscott和咨询部门...[详细]
网店收税传闻来袭：淘宝卖家1年或缴税400亿

5月30日，业界传出电商网店将被征收5%营业税的消息，在电商界犹如扔下了一颗原子弹。　　日前，《每日经济新闻》记者就此事先后向国家工商总局市场司司长刘红亮、财政部财政科学研究所所长贾康、财政部财政科学研究所副所长刘尚希等求证，但或许基于话题本身的敏感性，上述人士基本以“不知情”回应。　　如果传闻为真，阿里巴巴生态中的C2C系将可能成为征税重点区。　　年内开征可能性不大　　今年“两会...[详细]
现场总线和以太网结合方案实现工业自动化系统的数字化

前言：以计算机在工业控制和管理中的应用为主要标志的工业自动化技术在过去二十年间有了长足的进步。进人90年代以来，作为工业控制数字化、智能化与网络化典型代表的现场总线（Field Bus—FB）技术发展迅速、影响巨大，引起了工程技术界的普遍兴趣与重视，被誉为工业自动化领域具有革命性的新技术。 1、现场总线的概念：所谓现场总线，是指将现场设备（如数字传感器、变送器、仪表与执行机构等）与工业...[详细]
充电桩即将纳入CCC强制管控范围？企业该如何应对？

关于充电桩是否即将纳入CCC（中国强制性产品认证）强制管控范围，以及企业应如何应对的问题，可以从以下几个方面进行分析和回答：一、充电桩纳入CCC强制管控范围的现状现状概述：截至目前（2024年8月），根据公开信息，充电桩尚未被明确纳入CCC强制管控范围。然而，这并不意味着充电桩的质量和安全性不受监管，而是可能通过其他方式或标准进行管理。市场监管总局一直在加强对关系人民群众身体健...[详细]
论道“工业大数据”发展，看三一成功转型升级

物理信息系统和智能化分析的出现，为我们实现生产管理和工厂转型升级提供了新的思路，今天衡量制造业的水平已经不仅仅关注其产品的生产制造能力，而是为客户更进一步创造价值的能力。近日，一场面向智能制造领域的工业大数据应用制造沙龙汇，在湖南长沙的三一重工产业园举办，本次沙龙邀请了众多业内知名专家学者，制造领域的企业高管、工业大数据专业服务机构等70余位大数据专业人士共同就三一重工在智能制造领域的成功升级...[详细]
ST推出用于非接触智能卡读写器的新芯片组

非接触式IC卡又称射频卡，由IC芯片、感应天线组成，封装在一个标准的PVC卡片内，芯片及天线无任何外露部分。是世界上最近几年发展起来的一项新技术，它成功的将射频识别技术和IC卡技术结合起来，结束了无源（卡中无电源）和免接触这一难题，是电子器件领域的一大突破。卡片在一定距离范围（通常为5-10mm）靠近读写器表面，通过无线电波的传递来完成数据的读写操作。 ST公司日前发布了一个新的...[详细]
直流开关电源的新技术应用与发展

1 高频开关电源组成原理高频开关整流器一般是先将交流电直接经二极管整流、滤波成直流电，再经过开关电源变换成高频交流电，通过高频变压器变压隔离后，由快速恢复二极管高频整流、电感电容滤波后输出，见图1。 1．1 主电路从交流电网输入、直流输出的全过程，包括： (1)输入滤波器：其作用是将电网存在的杂波过滤，同时也阻碍本机产生的杂波反馈到公共电网。 ...[详细]
LG发布可卷曲OLED电视

集微网消息，1月8日，LG在2019 CES开幕前举行企业发布会，发布了可卷曲OLED电视。这款可卷曲OLED电视可以卷起来藏在一个盒子内，这个盒子即成为音箱。当电视从盒子中向上卷出、展示一半屏幕时，它可以显示音乐、时间、天气、智能家居等信息。与去年相比，今年LG发布的可卷曲OLED电视已是真正的商品。 LG还发布了8K OLED电视，采用第二代α9处理器，基于人工智能算法技术，提升画质与...[详细]
指纹锁市场大核心技术成产业研发重点

据了解，指纹锁是一种以人体指纹为识别载体和手段的智能锁具，它是计算机信息技术、电子技术、机械技术和现代五金工艺的完美结晶。指纹锁作为门禁识别的衍生产品，依赖于生物识别的技术发展，国外已经逐步兴起进入更多的家庭当中。对于我们国内市场而言，指纹锁的普及率远不及它的名声那样红火。然而对于安防市场，指纹锁仍有可爆发的市场潜力。　　　　指纹锁应需而生　　　　指纹锁作为第三代安全产品，打破...[详细]
Silicon Labs以其优秀企业管理及创新技术再受青睐

Silicon Labs以其优秀企业管理及创新技术再受青睐 2021年共获颁全球及囯內等十余个行业奖项中国，北京 – 2021年12月27日 – Silicon Labs（亦称“芯科科技”）在全球半导体联盟（Global Semiconductor Alliance，GSA）日前举行的在线颁奖典礼上，再次荣获最受尊敬上市半导体公司奖（年营业额在5亿到10亿美金之间），这是Sili...[详细]
密度更大续航增加？专家：这才是固态电池最大的优势

说起固态电池，现在可是新能源车企研究的重点，谁能在这个领域取得突破，几乎就可以像当初的特斯拉一样，重新定义消费者对新能源车的认识，甚至有可能会改变消费者对电动汽车的印象，提高自身的品牌知名度，带来的利益也是难以估计的。当下，不管是传统车企还是造车新势力，都加入了研发固态电池的队伍之中。对于广大消费者来说，都认为固态电池所能带来的改变就是电池的能量密度会更大，自然续航也会增加，从现在5...[详细]
怎样选择示波器采样率

　　选择示波器采样率取决于被测对象。在带宽满足的前提下,希望最小采样间隔(采样率的倒数)能够捕捉到您需要的信号细节。业界有些关于采样速率经验的公式,但基本上都是针对示波器带宽得出的,实际应用中,最好不用示波器测相同频率的信号。若在选型时,对正弦波选择示波器带宽应是被测正弦信号频率的3倍以上,采样率是带宽的4到5倍,也即实际上是信号的12到15倍;若是其它波形,要保证采样率足以捕获信号细节。　　若...[详细]
乘用车DHT专用控制器的阳光解决方案

从技术线路图2.0中可以看出，在未来，与新能源车一样，混合动力汽车也会呈现出一个可持续的发展，它的市场销量占比也将逐年升高。从表上可以看出，到2025年混合动力节能汽车将占到乘用车的50%-60%，预计规模有一千万辆。随着双积分政策的引导，NEV积分比例逐年升高，这预示着新能源汽车在乘用车领域的销量将迎来增长势头。在双积分政策里面可以降低油耗车的核算比例，意味着鼓励企业生产低...[详细]
云维保干货分享：生产设备点检的作用与点检内容

云维保干货分享：生产设备点检的作用与点检内容设备会随着生产运行而逐渐劣化，其结果将产生磨损、污损和耗损，以致造成故障，使设备的性能，精度下降，导致产品质量下降、减产以及生产废品。因此，设备管理必须从掌握设备状态开始，即要对设备进行必要的“点检”。今天就由我们云维保设备全生命周期管理专家来为大家讲授设备点检的知识吧。一、设备点检的作用在设备管理中，掌握设备的基础信息与状况是设备管...[详细]
西澳大利亚2000MWh Collie BESS的第一阶段已完成

Collie BESS的建设于2024年3月开始（上图）。图片：Neoen。　　法国独立电力生产商Neoen今天（10月29日）证实，位于西澳大利亚州的219MW/877MWh Collie电池储能系统（BESS）的第一阶...[详细]