增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:2 运放类型:J-FET 各通道功耗:- 压摆率(SR):1.8 V/us 电源电压:±4.5V ~ 18V
厂商名称:ADI(亚德诺半导体)
下载文档型号 | AD648JRZ-REEL7 | AD648KRZ | AD648JRZ | AD648JNZ |
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描述 | 增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:2 运放类型:J-FET 各通道功耗:- 压摆率(SR):1.8 V/us 电源电压:±4.5V ~ 18V | IC OPAMP JFET 1MHZ 8SOIC | 增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:2 运放类型:J-FET 各通道功耗:- 压摆率(SR):1.8 V/us 电源电压:±4.5V ~ 18V | 增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:2 运放类型:J-FET 各通道功耗:- 压摆率(SR):1.8 V/us 电源电压:±4.5V ~ 18V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C | 0°C ~ 70°C | 0°C ~ 70°C | - |