AD648KRZ

IC OPAMP JFET 1MHZ 8SOIC

器件标准： Rohs认证

参数参数对比

器件参数

参数名称

属性值

放大器类型

J-FET

电路数

压摆率

1.8 V/µs

增益带宽积

1MHz

电流 - 输入偏置

3pA

电压 - 输入失调

300µV

电流 - 电源

340µA

电流 - 输出/通道

15mA

电压 - 电源，单/双（±）

±4.5 V ~ 18 V

工作温度

0°C ~ 70°C

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装

8-SOIC

参数对比

与AD648KRZ相近的元器件有：AD648JRZ、AD648JNZ、AD648JRZ-REEL7。描述及对比如下：

型号	AD648KRZ	AD648JRZ	AD648JNZ	AD648JRZ-REEL7
描述	IC OPAMP JFET 1MHZ 8SOIC	增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：2 运放类型：J-FET 各通道功耗：- 压摆率（SR）：1.8 V/us 电源电压：±4.5V ~ 18V	增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：2 运放类型：J-FET 各通道功耗：- 压摆率（SR）：1.8 V/us 电源电压：±4.5V ~ 18V	增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：2 运放类型：J-FET 各通道功耗：- 压摆率（SR）：1.8 V/us 电源电压：±4.5V ~ 18V
工作温度	0°C ~ 70°C	0°C ~ 70°C	-	0°C ~ 70°C

热门器件

器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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