AM75DL9608HGT70FT,AM75DL9608HGT70FT pdf中文资料,AM75DL9608HGT70FT引脚图,AM75DL9608HGT70FT电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与AM75DL9608HGT70FT相近的元器件有：AM75DL9608HGT75FT、AM75DL9608HGB75FT、AM75DL9608HGT75FS、AM75DL9608HGB75FS、AM75DL9608HGT70FS、AM75DL9608HGB70FS、AM75DL9608HGB70FT。描述及对比如下：

型号	AM75DL9608HGT70FT	AM75DL9608HGT75FT	AM75DL9608HGB75FT	AM75DL9608HGT75FS	AM75DL9608HGB75FS	AM75DL9608HGT70FS	AM75DL9608HGB70FS	AM75DL9608HGB70FT
描述	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SPANSION	SPANSION	SPANSION	SPANSION	SPANSION	SPANSION	SPANSION	SPANSION
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,
针数	73	73	73	73	73	73	73	73
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
其他特性	PSEUDO STATIC RAM IS ORGANIZED AS 512K X 16; CONTAINS ADDITIONAL 2M X 16 FLASH	PSEUDO STATIC RAM IS ORGANIZED AS 512K X 16; CONTAINS ADDITIONAL 2M X 16 FLASH	PSEUDO STATIC RAM IS ORGANIZED AS 512K X 16; CONTAINS ADDITIONAL 2M X 16 FLASH	PSEUDO STATIC RAM IS ORGANIZED AS 512K X 16; CONTAINS ADDITIONAL 2M X 16 FLASH	PSEUDO STATIC RAM IS ORGANIZED AS 512K X 16; CONTAINS ADDITIONAL 2M X 16 FLASH	PSEUDO STATIC RAM IS ORGANIZED AS 512K X 16; CONTAINS ADDITIONAL 2M X 16 FLASH	PSEUDO STATIC RAM IS ORGANIZED AS 512K X 16; CONTAINS ADDITIONAL 2M X 16 FLASH	PSEUDO STATIC RAM IS ORGANIZED AS 512K X 16; CONTAINS ADDITIONAL 2M X 16 FLASH
JESD-30 代码	R-PBGA-B73	R-PBGA-B73	R-PBGA-B73	R-PBGA-B73	R-PBGA-B73	R-PBGA-B73	R-PBGA-B73	R-PBGA-B73
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	11.6 mm	11.6 mm	11.6 mm	11.6 mm	11.6 mm	11.6 mm	11.6 mm	11.6 mm
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	73	73	73	73	73	73	73	73
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	250	250	250	250	250	250	250	250
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1

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5G无线接入网成为通信服务商面临的最大挑战: 5G，即第五代无线通信，正在全球范围内扩展开来，通信服务提供商(CSP)都在争先恐后地在各自市场上...; zqy1111 RF/无线

为何在数字信号处理系统价格如此低廉而且功能如此强大时，仍推荐模拟信号处理?: 解答：因为有些时候模拟信号处理价格甚至更为低廉，而且可以完成数字信号处理不能完成的功能。模拟信号处理...; 1ying 汽车电子

外部中断实验

#include reg52.h typedef unsigned int u16; typedef unsigned char u8; sbit key = P3^2;// sbit led = P1^0;// //延时函数 void delay(u16 num) { u16 x,y; for (x=num; x 0; x--) for (y=110; y 0; y--); }...[详细]
OPPO Reno6系列或近期推出标准版的配天玑900芯片

据报道，OPPO 正致力于推出 Reno6 系列智能手机。型号为 PEQM00、PEPM00 和 PENM00 的 OPPO 手机可能会以 Reno6、Reno6 Pro 和 Reno6 Pro+ 等名字在中国市场发布。最新的发现表明，该系列的标准版本可能配备了全新的天玑 900 芯片，而 Pro 款则可能配备了天玑 1200。据悉，天玑 900 可能会提供比骁龙 768G 更好的性能。虽然...[详细]
瞬时通断测量仪测量方法

继电器在电子产品中被广泛使用，它通常被用作控制开关，控制电信号通断过程，由于其内部有弹簧、触点一类的机械元件，结构较为复杂，其工作的可靠性能对电子产品质量影响较大，许多工程技术人员需要在使用之前对其进行可靠性试验，其中振动和冲击试验是最常使用的试验方式。瞬时通断测量仪是为配合此试验而产生的设备，在继电器抖动试验过程中，它可准确无误地检测出继电器每路触点瞬时出现的误动作，本文研究对此类设备的测量方...[详细]
昆工科技储能产业园一期5GWh铝基铅炭储能电池项目投产

12月12日，昆工科技储能产业园一期5GWh铝基铅炭储能电池项目投产仪式在陆良县举行，省委常委、市委书记李石松出席并宣布投产。昆明理工大学党委书记唐家华，曲靖市委副书记、市长李先祥共同为昆明理工大学国家创新人才培养示范基地、昆明理工大学国家高校学生科技创 ... ...[详细]
自动选择工作模式的宽范围稳压器

图1 所示电路可在外部 DAC（未示出）控制下为 EEPROM 提供编程电压。您可以用一个电位器来代替该DAC，以建立从12 V电源上工作并能提供 0V"32V 可变输出电压的通用电源。如图1所示，凌特科技公司 (Linear Technology) 的 LT1072HV型可变升压开关稳压器 IC1，驱动一个由运放 IC2、升压级Q3及发射极跟随器达灵顿晶体管Q2组成的 A 类放大器。电阻器R9和...[详细]
西部数据不再阻止本恩资本收购可获东芝新芯片

　　知情人士透露，东芝和西部数据即将就法律纠纷达成和解。根据和解协议，西部数据将放弃阻止东芝作价180亿美元出售闪存业务，作为交换，双方的合资协议将会扩大。知情人士表示，作为和解协议的一部分，西部数据计划放弃在美国的仲裁申请，不再阻止由贝恩资本领导的财团对东芝芯片业务的收购。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。　　自从东芝今年早些时候宣布将出售芯片业务，以弥...[详细]
苹果将于9月12日发布iPhone 8

集微网消息，道琼斯通讯社周一报导，苹果将于 9 月 12 日举办大型 iPhone 8 发布会。除了众所期盼的 iPhone 8 之外，预期苹果另将宣布系列产品，包括二款 iPhone 更新产品，可能命名为 iPhone 7s 与 iPhone 7s Plus。报导指出，苹果并将宣布一款新型 4K 苹果电视机顶盒，可支持较目前款式更为鲜艳的视觉效果，以及一款新型 Apple Watch。报...[详细]
来自供应链消息：诺基亚2/7/9将于2018年初发布

最近有消息称HMD将继续推出一系列诺基亚手机，涵盖了入门和高端机型，但具体发布时间还有待确认。　　此前有消息称诺基亚2和9将是HMD即将推出的新款手机，但可能还会有一款中端机，名为诺基亚7。不过，新的报道称，我们可能必须要等到明年才能见到这些新的诺基亚智能手机，消息来自于HMD处理诺基亚物流的供应链管理人员。　　据爆料人称，诺基亚2，7和9是HMD第二批Android智能手机的一部分，它们...[详细]
Lithium Werks Nanophosphate阴极粉末可电池中的钴含量

Lithium Werks, B.V.宣布计划并开始向锂电池生产商出售世界知名的Nanophosphate®阴极粉末。Lithium Werks也乐于为其低成本LFP制造工艺专利全球组合提供授权。德克萨斯奥斯汀和荷兰恩斯赫德, Sept. 17, 2020 (GLOBE NEWSWIRE) -- Lithium Werks很高兴地宣布他们将销售获得专利和专有权的世界领先的Nanophosp...[详细]
将二极管边缘终端的长度缩短至1/5以下

富士电机与香港科技大学组成的研究小组在 ISPSD 2016 上发布了可缩小二极管的边缘终端（Eedge Termination）区域的新技术。与以往设置保护环的边缘终端相比，该技术可使边缘终端的长度缩短至1/5以下。随着二极管不断实现微细化，作为元件发挥作用的主动区域越来越小，边缘终端在二极管芯片中所占的比例则越来越大。尤其是输出电流较小的二极管，边缘终端所占的比例更大。在用于白色家...[详细]
VR、AI、机器人齐助力，博物馆有了智慧新模样！

今天是5月18日，又一个“国际博物馆日”，你对博物馆都了解多少呢？我们知道，博物馆是民族历史文化的重要载体！对于人们来说，博物馆的存在不仅能保护文物，同时也还能传递价值，意义非同凡响。但近年来，传统博物馆对于大家的吸引力似乎正在不断下降。一些博物馆不仅连网红景点都比不上，同时有关文物损坏和失窃的消息还总是不绝于耳。这些现状无不表明，博物馆的发展已经迎来转型期。那么，要如何才能让博物馆旧貌换...[详细]
野“芯”勃勃，比亚迪布局芯片市场

谈到比亚迪，大家更熟悉的是其汽车。尤其是最近几年推出的几款电动车，因而其汽车制造商的名头更为大家所熟知，但其实比亚迪是靠做电池起家的。根据比亚迪财报，他们还从事二次充电池及光伏业务、手机部件及组装业务、以及包含传统燃油汽车及新能源汽车在内的汽车业务。最让笔者佩服的是，为了推进业务的发展，比亚迪在更上游的芯片领域也有不少的布局。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。野“芯”勃勃，比亚...[详细]
智驾浪潮下 2017汽车电子后装市场7大趋势

说到科技圈这两年的热点，智能驾驶和车联网无疑是其中之一。作为一项与人们日常出行紧密相关的一项应用，汽车智能化已经成为刚性需求。而伴随着这股热潮，车载电子后装市场也在迅猛发展。那在2017年，汽车电子后装市场又有哪些值得关注的趋势呢？　　汽车保有量迅速增长，后装市场助力汽车电子发展　　自2010年以来，全球汽车市场增速进入稳步增长阶段，预计至2020年全球汽车市场保有量超14亿。在国内，随...[详细]
工信部副部长尚冰：TD-LTE是中移动最重要事情

1月10日消息，知情人士透露，在出席中国移动2013年工作会议时，工信部副部长尚冰在讲话中表示，2013年将是TD-LTE这个产业发展的难得机遇，几大部委正在研究进一步加大支持TD-LTE力度的相关政策，业内预计，无论中国联通和中国电信是否在4G上准备好，2013年发放TD-LTE牌照将成定局。　　“推动TD-LTE产业发展，是今年中国移动最重要的一件事情。”尚冰在会上如此说。这一点与中...[详细]
英特尔：十年前对低能耗芯片嗤之以鼻

　　6月13日国际报道当地时间本周三，英特尔首席技术官贾斯汀·拉特纳（Justin Rattner）称，英特尔的工程技术人员早在十年前就已开始摆弄低能耗芯片，但这一设计因遭到公司决策层的否定而夭折。　　拉特纳在英特尔“研究节”上发言时说，凌动（Atom）芯片（英特尔面向手机的低能耗芯片）的设计理念起源于英特尔实验室1999年的一个研究项目，但当时的这一理念没有得到公司决策层的肯定。　　...[详细]