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BAV-99S-E6433

Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switching Diode 200mA

器件类别：半导体    分立半导体   

厂商名称：Infineon(英飞凌)

厂商官网：http://www.infineon.com/

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BAV-99S-E6433 在线购买

供应商：

器件：BAV-99S-E6433

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器件参数
参数名称
属性值
产品种类
Product Category
Diodes - General Purpose, Power, Switching
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
RoHS
Details
产品
Product
Switching Diodes
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-363-6
Peak Reverse Voltage
85 V
Max Surge Current
4.5 A
If - Forward Current
0.2 A
Configuration
Double Dual Series
Recovery Time
4 ns
Vf - Forward Voltage
1.25 V
Ir - Reverse Current
0.15 uA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Reel
系列
Packaging
Cut Tape
高度
Height
0.9 mm
长度
Length
2 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10000
类型
Type
Switching Diode
宽度
Width
1.25 mm
单位重量
Unit Weight
0.000265 oz
文档预览
BAV99...
Silicon Switching Diode
•
For high-speed switching applications
•
Series pair configuration
•
BAV99S / U: For orientation in reel see
package information below
•
Pb-free (RoHS compliant) package
1)
•
Qualified according AEC Q101
BAV99
BAV99W
!
BAV99S
BAV99U
$
#
, "
"
, !
, 
,
, 
,


!
Type
BAV99
BAV99S
BAV99U
BAV99W
1
Pb-containing
Package
SOT23
SOT363
SC74
SOT323
Configuration
series
dual series
dual series
series
Marking
A7s
A7s
A7s
A7s
package may be available upon special request
1
2007-09-19
BAV99...
Maximum Ratings
at
T
A
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Diode reverse voltage
Peak reverse voltage
Forward current
Non-repetitive peak surge forward current
t
= 1 µs
t
= 1 ms
t
= 1 s, single
t
= 1 s, double
Total power dissipation
BAV99,
T
S
≤
28°C
BAV99S,
T
S
≤
85°C
BAV99U,
T
S
≤
113°C
BAV99W,
T
S
≤
110°C
Junction temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Parameter
Junction - soldering point
1)
BAV99
BAV99S
BAV99U
BAV99W
1
For
Symbol
V
R
V
RM
I
F
I
FSM
Value
80
85
200
4.5
1
0.5
0.75
Unit
V
mA
A
P
tot
330
250
250
250
T
j
T
stg
Symbol
R
thJS
≤
360
≤
260
≤
150
≤
160
150
-65 ... 150
mW
°C
Value
Unit
K/W
calculation of
R
thJA please refer to Application Note Thermal Resistance
2
2007-09-19
BAV99...
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ. max.
DC Characteristics
85
-
-
V
Breakdown voltage
V
(BR)
I
(BR)
= 100 µA
Reverse current
V
R
= 70 V
V
R
= 25 V,
T
A
= 150 °C
V
R
= 70 V,
T
A
= 150 °C
Forward voltage
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 100 mA
I
F
= 150 mA
V
F
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
715
855
1000
1200
1250
I
R
-
-
-
-
-
-
0.15
30
50
mV
µA
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25°C, unless otherwise specified
Symbol
Values
Unit
Parameter
min.
typ. max.
AC Characteristics
-
-
1.5 pF
Diode capacitance
C
T
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Reverse recovery time
I
F
= 10 mA,
I
R
= 10 mA, measured at
I
R
= 1mA,
R
L
= 100
Ω
Test circuit for reverse recovery time
D.U.T.
t
rr
-
-
4
ns
Pulse generator:
t
p
= 100ns,
D
= 0.05,
t
r
= 0.6ns,
R
i
= 50Ω
Oscillograph
Ι
F
EHN00019
Oscillograph:
R
= 50,
t
r
= 0.35ns
C
≤
1pF
3
2007-09-19
BAV99...
Reverse current
I
R
=
ƒ
(T
A
)
V
R
= Parameter
10
5
nA
Forward Voltage
V
F
=
ƒ
(T
A
)
I
F
= Parameter
1.0
BAV 99
EHB00078
V
F
10
4
V
Ι
F
= 100 mA
I
R
10 mA
10
3
0.5
70 V
25 V
1 mA
0.1 mA
10
2
10
1
0
25
50
75
100
°C
150
0
0
50
100
T
A
C
T
A
150
Forward current
I
F
=
ƒ
(V
F
)
T
A
= 25°C
BAV 99
EHB00076
Forward current
I
F
=
ƒ
(T
S
)
BAV99
250
mA
150
Ι
F
mA
200
175
100
I
F
150
125
100
typ
max
50
75
50
25
0
0
0.5
1.0
V
V
F
1.5
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
4
2007-09-19
BAV99...
Forward current
I
F
=
ƒ
(T
S
)
BAV99S
250
mA
Forward current
I
F
=
ƒ
(T
S
)
BAV99U
250
mA
200
175
200
175
I
F
150
125
100
75
50
25
0
0
I
F
90 105 120
°C
150
125
100
75
50
25
0
0
15
30
45
60
75
150
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
Forward current
I
F
=
ƒ
(T
S
)
BAV99W
250
mA
Permissible Puls Load
R
thJS
=
ƒ
(t
p
)
BAV99
10
3
200
10
2
150
125
100
75
R
thJS
175
I
F
10
1
10
0
50
25
0
0
10
-1 -7
10
-6
-5
-4
D = 0,5
0,2
0,1
0,05
0,02
0,01
0,005
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
10
10
10
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
T
P
5
2007-09-19
查看更多>
参数对比
与BAV-99S-E6433相近的元器件有：BAV-99W-E6327、BAV-99S-E6327、BAV-99-E6327、BAV99SH6327XT、BCR-191W-E6327、BAV-99S-H6827、BAV-99-B5003。描述及对比如下：
型号 BAV-99S-E6433 BAV-99W-E6327 BAV-99S-E6327 BAV-99-E6327 BAV99SH6327XT BCR-191W-E6327 BAV-99S-H6827 BAV-99-B5003
描述 Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switching Diode 200mA Diodes - General Purpose, Power, Switching 80 V 200 mA Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.2A Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA
产品种类
Product Category		 Diodes - General Purpose, Power, Switching Diodes - General Purpose, Power, Switching Diodes - General Purpose, Power, Switching Diodes - General Purpose, Power, Switching Diodes - General Purpose, Power, Switching Bipolar Transistors - Pre-Biased Diodes - General Purpose, Power, Switching Diodes - General Purpose, Power, Switching
制造商
Manufacturer		 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
RoHS Details Details Details Details Details Details Details Details
产品
Product		 Switching Diodes Switching Diodes Switching Diodes Switching Diodes Switching Diodes - - Switching Diodes
安装风格
Mounting Style		 SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT - SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case		 SOT-363-6 SOT-323-3 SOT-363 SOT-23-3 SOT-363-6 SOT-323-3 - SOT-23-3
Peak Reverse Voltage 85 V 85 V 80 V 85 V 85 V - - 85 V
Max Surge Current 4.5 A 4.5 A 0.75 A 4.5 A 4.5 A - - 4.5 A
If - Forward Current 0.2 A 0.2 A 200 mA 0.2 A 200 mA - - 0.2 A
Configuration Double Dual Series Dual Series Dual Series Dual Series Dual Series Single - Dual Series
Recovery Time 4 ns 4 ns 4 ns 4 ns 4 ns - - 4 ns
Vf - Forward Voltage 1.25 V 1.25 V 1.25 V 1.25 V 1250 mV - - 1.25 V
Ir - Reverse Current 0.15 uA 0.15 uA 50 uA 0.15 uA 50 uA - - 0.15 uA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		 - 65 C - 65 C - 65 C - 65 C - 65 C - 65 C - - 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		 + 150 C + 150 C + 150 C + 150 C + 150 C + 150 C - + 150 C
系列
Packaging		 Cut Tape Reel Reel Cut Tape Reel Cut Tape Reel Cut Tape
高度
Height		 0.9 mm 0.9 mm 0.9 mm 1 mm - 0.9 mm - 1 mm
长度
Length		 2 mm 2 mm 2 mm 2.9 mm - 2 mm - 2.9 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		 10000 3000 3000 1 - 3000 3000 30000
类型
Type		 Switching Diode Switching Diode Switching Diode Switching Diode - - - Switching Diode
宽度
Width		 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm 1.3 mm - 1.25 mm - 1.3 mm
单位重量
Unit Weight		 0.000265 oz - 0.000212 oz 0.000282 oz 0.000265 oz 0.000176 oz - 0.000282 oz
ST是否有计划出M0的低功耗系列
ST是否有计划出M0的低功耗系列，STM32L与NXP 的M0比在...
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器件捷径:
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