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BDV64B

Transistor,

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)

厂商官网:https://www.nxp.com/

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器件:BDV64B

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明
,
Reach Compliance Code
unknown
最大集电极电流 (IC)
12 A
配置
DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)
1000
JESD-609代码
e0
最高工作温度
150 °C
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
125 W
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)
0.1 MHz
参数对比
与BDV64B相近的元器件有:BDV64C、BDV64A。描述及对比如下:
型号 BDV64B BDV64C BDV64A
描述 Transistor, Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 12 A 12 A 12 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 1000 1000 1000
JESD-609代码 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 125 W 125 W 125 W
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz
Is Samacsys - N N
Base Number Matches - 1 1
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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