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BFG590W/XT/R

Transistor

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)

厂商官网:https://www.nxp.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明
,
Reach Compliance Code
unknown
最大集电极电流 (IC)
0.2 A
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
60
JESD-609代码
e0
最高工作温度
150 °C
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.5 W
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
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参数对比
与BFG590W/XT/R相近的元器件有:BFG590WT/R。描述及对比如下:
型号 BFG590W/XT/R BFG590WT/R
描述 Transistor Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 60 60
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.5 W 0.5 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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