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BLF521

TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-4, FET RF Small Signal

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：NXP(恩智浦)

厂商官网：https://www.nxp.com

器件标准：  

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
包装说明
CERAMIC PACKAGE-4
针数
4
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1 A
最大漏极电流 (ID)
1 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
O-CRDB-F4
元件数量
1
端子数量
4
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
ROUND
封装形式
DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
10 W
最大功率耗散 (Abs)
10 W
最小功率增益 (Gp)
10 dB
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
文档预览
PHILIPS VDMOS RF-POWER TRANSISTORS
CROSS REFERENCE LIST
PHILIPS VDMOS vs MOTOROLA TMOS TRANSISTORS
V
(V)
28
28
28
28
50
28
28
28
28
28
28
28
28
28
12.5
12.5
28
32
28
50
50
50
50
50
28
28
50
50
50
50
50
50
f
(MHz)
500
500
500
400
400
400
400
500
500
500
960
500
500
500
500
500
500
225
175
225
108
108
225
175
225
225
28
108
30
30
30
30
P
L
(W)
150
150
100
100
150
100
150
80
40
20
20
20
5
4
4
2
2
300
300
250
300
300
200
300
300
200
150
150
600
600
150
150
G
P
(dB)
>10
>10
8.8 typ
12 typ
14 typ
10 typ
12
>11
14, 17 typ
>11
7 typ
13.5
>13
16
>10
>10
16
>12
12
>14, 16 typ
>20
18 typ
13 typ
14
>10
14 typ
>20
19 typ
21 typ
17 typ
18
17 typ
(%)
(at P
L
)
>50
>50
55 typ
60 typ
50 typ
55 typ
55
>50
50, 60 typ
>50
50 typ
50
>50
55 typ
>50
>50
55 typ
>55
50
>50, 55 typ
>60
80 typ
55 typ
50
>55
65 typ
>35
70 typ
45 typ
45 typ
40
45 typ
Impedance data
Input / Load
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Different Package
Different Package
Almost identical package
Almost identical package
Philips Type
UHF
BLF548
Motorola Type
MRF275G
MRF275L
MRF177
MRF176GU
MRF175LU
MRF175GU
Operation
Class-B
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Class-B
Class-AB
Class-B
Class-B
Class-AB
Class-B
Class-AB
Class-AB
Class-B
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Class-B
Class-C
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Class-B
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Package
SOT262A2
375-04, STYLE 2
333-04, STYLE 2
744A-01, STYLE 1
375-04, STYLE 2
333-04, STYLE 1
375-04, STYLE 2
SOT268A
412-01, STYLE 1
SOT171A
319-07, STYLE 3
SOT171A
249-06, STYLE 3
SOT409A
SOT172D
305A-01, STYLE 2
SOT262A1
375-04, STYLE 2
SOT262A1
375-04, STYLE 2
375-04, STYLE 2
SOT262A1
375-04, STYLE 2
SOT121B
368-03, STYLE 2
368-03, STYLE 2
211-11, STYLE 2
211-11, STYLE 2
Comments
Different Package
Different Package
Different Supply Voltage
Different Package
BLF546
MRF166W
BLF544
MRF166C
BLF542
MRF160
BLF404
BLF521
MRF158
VHF
BLF368
MRF141G
BLF278
MRF176GV
MRF151G
BLF248
MRF175GV
BLF177
MRF157
MRF154
MRF151
MRF150
Different Package
Almost identical package , Different Supply Voltage
Different Supply Voltage
SEMICONDUCTORS NIJMEGEN
VERSION 1.1
PHILIPS VDMOS RF-POWER TRANSISTORS
CROSS REFERENCE LIST
PHILIPS VDMOS vs MOTOROLA TMOS TRANSISTORS
V
(V)
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
28
50
50
50
50
28
28
28
28
12.5
12.5
28
28
28
28
12.5
f
(MHz)
28
108
150
30
30
108
150
150
175
225
150
175
150
175
150
150
28
108
28
30
175
150
175
150
500
175
28
28
175
150
175
P
L
(W)
150
150
125
150
150
80
80
80
60
>24, 30 typ
80
30
30
30
45
30
30
30
8
30
15
15
5
5
4
2
30
8
5
5
2
G
P
(dB)
>17
14 typ
9
18, 22 typ
15
>16
11, 13 typ
13 typ
>14
>14, 16.5 typ
13 typ
>14
14 typ
>13
17
13
24 typ
20 typ
>24
18 typ
>13
16 typ
>13
11
>10
>10
20 typ
24
>13
11
>10
(%)
(at P
L
)
>35
70 typ
50
40
-
>55
55, 60 typ
65 typ
>55
-
65 typ
>55
54 typ
>50
60
60 typ
40 typ
65 typ
-
40 typ
>50
60 typ
>50
55 typ
>50
>50
40 typ
-
>50
55 typ
>50
Impedance data
Input / Load
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Avail.
Almost identical package
Almost identical package
Almost identical package
Almost identical package
Different Package
Philips Type
VHF
BLF147
Motorola Type
Operation
Class-AB
Class-B
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Class-B
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Class-A
Class-AB
Class-B
Class-AB
Class-B
Class-AB
Class-AB
Class-AB
Class-B
Class-A
Class-AB
Class-B
Class-AB
Class-B
Class-AB
Class-AB
Class-B
Class-AB
Class-A
Class-B
Class-AB
Class-B
Package
SOT121B
211-11, STYLE 2
211-11, STYLE 2
211-11, STYLE 2
SOT121B
211-11, STYLE 2
316-01, STYLE 2
SOT161A
SOT119A
316-01, STYLE 2
SOT279A
319B, STYLE 1
SOT123A
211-07, STYLE 2
211-07, STYLE 2
SOT123A
211-07, STYLE 2
SOT123A
211-07, STYLE 2
SOT123A
211-07, STYLE 2
SOT409A
SOT409A
SOT123A
SOT123A
211-07, STYLE 2
SOT409A
Comments
MRF174
MRF141
MRF140
BLF246
MRF173
MRF173CQ
BLF246B
BLF346
MRF173CQ
BLF245B
MRF136Y
BLF245
MRF171A
MRF137
BLF175
MRF148A
BLF244
MRF136
BLF242
MRF134
BLF404
BLF202
HF
BLF145
BLF242
MRF134
BLF202
SEMICONDUCTORS NIJMEGEN
VERSION 1.1
查看更多>
参数对比
与BLF521相近的元器件有：BLF246B、BLF542、BLF404。描述及对比如下：
型号 BLF521 BLF246B BLF542 BLF404
描述 TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-4, FET RF Small Signal TRANSISTOR 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FET RF Power TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, SOT-171A, 6 PIN, FET RF Power TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, SMD, 8 PIN, FET RF Power
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 CERAMIC PACKAGE-4 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6 SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8
Reach Compliance Code unknown compliant compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 40 V 65 V 65 V 40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1 A 8 A 1.5 A 1.5 A
最大漏极电流 (ID) 1 A 8 A 1.5 A 1.5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 O-CRDB-F4 R-CDFM-F8 R-CDFM-F6 R-CDSO-G8
元件数量 1 2 1 1
端子数量 4 8 6 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 DISK BUTTON FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT GULL WING
端子位置 RADIAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
针数 4 - 6 8
外壳连接 SOURCE ISOLATED ISOLATED -
功耗环境最大值 10 W 130 W 20 W -
最大功率耗散 (Abs) 10 W 130 W - 8.3 W
最小功率增益 (Gp) 10 dB 14 dB 13 dB -
厂商名称 - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
热门器件
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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