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BUK7K52-60EX

MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Nexperia

厂商官网:https://www.nexperia.com

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器件:BUK7K52-60EX

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Nexperia
厂商名称
Nexperia
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数
8
制造商包装代码
SOT1205
Reach Compliance Code
compliant
雪崩能效等级(Eas)
11.6 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (ID)
15.4 A
最大漏源导通电阻
0.045 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G6
元件数量
2
端子数量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
71 A
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与BUK7K52-60EX相近的元器件有:934067954115。描述及对比如下:
型号 BUK7K52-60EX 934067954115
描述 MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK
厂商名称 Nexperia Nexperia
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SOP-8
Reach Compliance Code compliant not_compliant
雪崩能效等级(Eas) 11.6 mJ 11.6 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 15.4 A 15.4 A
最大漏源导通电阻 0.045 Ω 0.045 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 2 2
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 71 A 71 A
参考标准 AEC-Q101; IEC-60134 AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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