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BUR20R1

Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:TT Electronics plc

厂商官网:http://www.ttelectronics.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
TT Electronics plc
包装说明
HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
50 A
集电极-发射极最大电压
125 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
10
JEDEC-95代码
TO-204AE
JESD-30 代码
O-MBFM-P2
JESD-609代码
e1
元件数量
1
端子数量
2
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN SILVER COPPER
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
10 MHz
参数对比
与BUR20R1相近的元器件有:BUR20、BUR20-JQR-BR1、BUR20-JQR-B、BUR20-JQR。描述及对比如下:
型号 BUR20R1 BUR20 BUR20-JQR-BR1 BUR20-JQR-B BUR20-JQR
描述 Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN bipolar npn device in a hermetically sealed to3 metal package. Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 TT Electronics plc TT Electronics plc TT Electronics plc TT Electronics plc TT Electronics plc
包装说明 HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A
集电极-发射极最大电压 125 V 125 V 125 V 125 V 125 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10 10 10 10
JEDEC-95代码 TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz
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器件捷径:
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