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BUZ100-E3046

Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:SIEMENS

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SIEMENS
零件包装代码
TO-220AB
包装说明
IN-LINE, R-PSIP-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
雪崩能效等级(Eas)
285 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
50 V
最大漏极电流 (ID)
60 A
最大漏源导通电阻
0.018 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
450 pF
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
240 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
525 ns
最大开启时间(吨)
210 ns
Base Number Matches
1
参数对比
与BUZ100-E3046相近的元器件有:BUZ100-E3045、BUZ100-E3044。描述及对比如下:
型号 BUZ100-E3046 BUZ100-E3045 BUZ100-E3044
描述 Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 285 mJ 285 mJ 285 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V 50 V
最大漏极电流 (ID) 60 A 60 A 60 A
最大漏源导通电阻 0.018 Ω 0.018 Ω 0.018 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 450 pF 450 pF 450 pF
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 250 W 250 W 250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 240 A 240 A 240 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 525 ns 525 ns 525 ns
最大开启时间(吨) 210 ns 210 ns 210 ns
厂商名称 SIEMENS - SIEMENS
Base Number Matches 1 1 -
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