BUZ45A,BUZ45A pdf中文资料,BUZ45A引脚图,BUZ45A电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与BUZ45A相近的元器件有：BUZ45、BUZ45B、BUZ84A、BUZ53A、BUZ84、BUZ36、BUZ16、BUZ54、BUZ54A。描述及对比如下：

型号	BUZ45A	BUZ45	BUZ45B	BUZ84A	BUZ53A	BUZ84	BUZ36	BUZ16	BUZ54	BUZ54A
描述	Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA	Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA	Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA	Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 800V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1000V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V	500 V	800 V	1000 V	800 V	200 V	50 V	1000 V	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8.3 A	9.6 A	10 A	6 A	2.6 A	5.3 A	22 A	60 A	5.1 A	4.5 A
最大漏极电流 (ID)	8.3 A	9.6 A	10 A	6 A	2.6 A	5.3 A	22 A	48 A	5.1 A	4.5 A
最大漏源导通电阻	0.8 Ω	0.6 Ω	0.5 Ω	1.5 Ω	5 Ω	2 Ω	0.12 Ω	0.018 Ω	2 Ω	2.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	170 pF	170 pF	170 pF	140 pF	55 pF	140 pF	200 pF	750 pF	40 pF	40 pF
JEDEC-95代码	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AE	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W	125 W	125 W	125 W	75 W	125 W	125 W	125 W	125 W	125 W
最大功率耗散 (Abs)	125 W	125 W	125 W	125 W	75 W	125 W	125 W	125 W	125 W	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	33 A	38 A	40 A	24 A	10 A	21 A	88 A	192 A	20 A	18 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	570 ns	570 ns	570 ns	570 ns	220 ns	570 ns	440 ns	890 ns	690 ns	690 ns
最大开启时间（吨）	195 ns	195 ns	195 ns	230 ns	105 ns	230 ns	155 ns	290 ns	205 ns	205 ns
厂商名称	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS	-	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS

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山东滨州联通：农村宽带服务普及提速在行动

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关于MDK软件不能模拟仿真STM32的问题解决方法

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物联网时代的安全“铁壁”：人工智能攻与防

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安森美半导体推出预配置开发套件提供简易构建助听器方法

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工业控制机柜的作用有哪些

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老巨头重返中国　新故事能走多久？

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全新无线技术WiGig将面世比WiFi快10倍以上

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微软更新Xbox应用：iOS用户可在设备上玩主机游戏

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ZDS2022示波器百集实操视频之85：如何正确测量电源纹波

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奥迪携手汉能，打造全太阳能的纯电动汽车

　　汉能宣布旗下美国全资子公司阿尔塔设备公司与奥迪股份公司签订薄膜太阳能电池技术战略合作备忘录。双方将合作开展“奥迪/汉能薄膜太阳能电池研发项目”，计划于2017年底合作推出首辆集成薄膜太阳能全景玻璃车顶的奥迪原型样车。　　本次合作第一步将推出薄膜太阳能全景车顶解决方案，旨在延长车辆行驶里程，提高用电便利性。此后，将凭借双方技术合力，逐步研发利用薄膜太阳能技术为奥迪电动汽车提供主驱动力，助...[详细]
基于DDS跳频信号源的设计与实现

0 引言跳频通信具有较强的抗干扰、抗多径衰落、抗截获等能力，已广泛应用于军事、交通、商业等各个领域。频率合成器是跳频系统的心脏，直接影响到跳频信号的稳定性和产生频率的准确度。目前频率合成主要有三种方法：直接模拟合成法、锁相环合成法和直接数字合成法(DDS)。直接模拟合成法利用倍频(乘法)、分频(除法)、混频(加法与减法)及滤波，从单一或几个参考频率中产生多个所需的频率。该方法频率转换时间快...[详细]
只需少量元件的廉价波峰检测器

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自制交流LED节能延时灯

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TI推出面向IoT应用的SimpleLink™ Wi-Fi 系列

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北京时间4月21日上午消息，日本日经BP咨询公司(Nikkei BP Consulting)今天发布的“亚洲品牌2012”调查报告显示，亚洲新兴市场更看好诺基亚(微博)，而成熟市场更加认同苹果。　　本次调查共涉及60个国际品牌和40个区域性品牌，共涵盖亚洲地区的8个国家和地区。虽然调查范围包括中国大陆，但中国大陆的品牌并未包含在内。　　该调查显示，尽管诺基亚最近表现不佳，但在印度、印度...[详细]