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COM140T

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Omnirel Corp

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Omnirel Corp
包装说明
HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
HIGH RELIABILITY
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
14 A
最大漏源导通电阻
0.12 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-257AA
JESD-30 代码
R-MSFM-P3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
METAL
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
56 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
PIN/PEG
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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参数对比
与COM140T相近的元器件有:COM240T、COM340T、COM440T。描述及对比如下:
型号 COM140T COM240T COM340T COM440T
描述 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.59ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN
厂商名称 Omnirel Corp Omnirel Corp Omnirel Corp Omnirel Corp
包装说明 HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 200 V 400 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 14 A 14 A 10 A 8 A
最大漏源导通电阻 0.12 Ω 0.21 Ω 0.59 Ω 0.9 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-257AA TO-257AA TO-257AA TO-257AA
JESD-30 代码 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 56 A 56 A 40 A 32 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
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