CR6AF8LEADFREE,CR6AF8LEADFREE pdf中文资料,CR6AF8LEADFREE引脚图,CR6AF8LEADFREE电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与CR6AF8LEADFREE相近的元器件有：CR6AF10LEADFREE、CR6AF1LEADFREE、CR6AF1BK、CR6AF2LEADFREE、CR6AF4BK、CR6AF6LEADFREE、CR6AF4LEADFREE、CR6AF6BK、CR6AF2BK。描述及对比如下：

型号	CR6AF8LEADFREE	CR6AF10LEADFREE	CR6AF1LEADFREE	CR6AF1BK	CR6AF2LEADFREE	CR6AF4BK	CR6AF6LEADFREE	CR6AF4LEADFREE	CR6AF6BK	CR6AF2BK
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2	PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
针数	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2
制造商包装代码	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106
Reach Compliance Code	compliant	compliant	not_compliant	unknown	compliant	unknown	compliant	compliant	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
应用	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3	e3	e3	e0	e3	e0	e3	e3	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
相数	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	800 V	1000 V	100 V	100 V	200 V	400 V	600 V	400 V	600 V	200 V
最大反向恢复时间	0.5 µs	0.5 µs	0.2 µs	0.2 µs	0.2 µs	0.2 µs	0.5 µs	0.2 µs	0.5 µs	0.2 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	TIN LEAD	MATTE TIN (315)	TIN LEAD	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	-	不含铅	不含铅	-	-
是否Rohs认证	符合	符合	符合	-	符合	-	符合	符合	-	-
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	-	-	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	-	260	-	260	260	-	-
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	-	10	-	10	10	-	-
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1	1	-	-

如何在WinCE上播放midi文件: 定制系统后，用WinCE上自带的播放器只能播放mp3,wma等格式的音频，但是我需要在WinCE上播...; sinoxia WindowsCE

怎么样在原理图里添加测试点: 各位高手，在原理图里怎么添加测试点，是那种圆点的测试点，能加封装吗，能直接导进去PCB里吗，要是在P...; papermay PCB设计

如何选择电磁继电器: 1、选择额定工作电压与额定工作电流选用电磁继电器时，首先应选择继电器线圈额定电压是交流还...; tiankai001 综合技术交流

RFX2401C RFAXIS 射频前端放大芯片: 专注于为无线连接和蜂窝移动市场提供创新型新一代射频(RF)解决方案的无晶圆半导体公司RFaxis日前...; zhao123966 RF/无线

单片机人生-最彪悍的一生传记: 某天某日某产房,你诞生了(power up , 上电运行),结果你不哭,医生把你提起来,屁股上狠狠...; daijun 单片机

ARM和单片机有什么区别？: 【ARM和单片机有什么区别？】 1、软件方面这应该是最大的区别了。引入了操作系统。为什么引入操作系...; 俏鼠戏帅喵 51单片机

多传感器信息融合技术在车载自诊断系统的研究

摘要：随着汽车行业的发展，对汽车的性能检测、维修、管理提出更高的要求。通过分析多传感器数据融合技术故障诊断方法及汽车诊断系统(故障预测与健康管理)的特点，在不改变当前汽车智能检测系统硬件组成的情况下，将多传感器信息融合技术运用到汽车诊断系统，并且比较智能化分析系统的故障，以及记录下全部传感器和驱动器的数据，实现对汽车系统的实时状态监测、健康评估和故障诊断。关键词：故障分析；诊断系统；信息融合；...[详细]
uboot移植详解

参考：《嵌入式Linux应用开发完全手册》韦东山编著第15章移植 U-boot http://xgc94418297.blog.163.com/blog/static/112966040200952971543686/ uboot是一段小程序，它在系统上电是开始执行，初始化硬件设备；准备好软件环境；最后调用操作系统内核。这里主要分析移植过程。 U-boot中有几千个文件，要想...[详细]
东芝新社长力挺亏损中电视与PC：不抛弃不放弃

北京时间8月8日消息，据国外媒体报道，东芝新任社长兼首席执行官田中久雄（Hisao Tanaka）周三在接受采访时表示，作为日本的一家大型集团，东芝并不需要效仿同行砍掉亏损业务，东芝不会放弃亏损中的电视机和PC业务。今年6月当选东芝社长兼首席执行官的田中久雄表示，东芝并不需要消防裁撤了亏损业务，以专注于更具有潜力业务的同行。相反，东芝应当庆幸公司当前的规模，并加以利用。针对所谓的“...[详细]
视科普聚焦无序抓取的“解题思路

广告摘要声明广告对于工业机器人来说，3D视觉可以赋予工业机器人拥有智慧“双眸，让工业机器人对散乱摆放、姿势各异的物体实现智能路径规划。作为一家拥有外国基因的3D视觉企业，视科普立足于3D视觉赛道，聚焦于无序抓取，是一家拥有丰富经验的3D视觉解决方案供应商。在3D视觉行业进入快速发展的阶段时，视科普一直专注于产品的研发。视科普充分融合了海外深厚的3D视觉、机器人技术与本体化服务能力，...[详细]
模糊控制比例因子与空调系统稳定性关系的研究

摘要 介绍了两输入、单输出的模糊控制系统的仿真，讨论了比例因子（ke、kec、ku)对系统响应的影响，着重研究了比例因子与系统稳定性之间的关系，并在此基础上提出了空调系统比例因子的设计原则。关键词 空气调节器模糊控制比例因子稳定性模糊逻辑控制（FLC）是近年来控制学术界一个引人注目的研究领域，并且已经成功地应用在空调系统中。实践证明，...[详细]
教你如何用一个GPIO数字接口也能测量温度的简单方式

在关注机器健康和其他物联网(IoT)解决方案的现代应用中，随着检测功能的日趋普及，对更简单的接口以及更少的I/O和更小的器件尺寸的需求也随之增长。连接到单个微处理器或FPGA的器件密度不断增加，而应用空间（以及由此导致的I/O引脚数量）却受到限制。在理想情况下，所有应用都需要一个ASIC来提供小巧的集成式解决方案。 Q:如果系统中的FPGA/微处理器上只剩下一个GPIO，该如何进行模拟测量？...[详细]
Linux操作系统的嵌入式领域面临新挑战

与在服务器和桌面系统的风风火火比较起来，Linux在嵌入式领域似乎总是不温不火，是生不逢时，还是另有隐情？最近几年，Linux操作系统在桌面和服务器系统等领域的应用取得了很大的成功。它的存在已经对这些领域中的传统霸主，例如微软的Windows和Sun公司的SunOS/Solaris操作系统等造成了极大的威胁。这主要得益于其较低的使用开销和更高的应用性能：现在，Linux操作系统加高端奔腾...[详细]
德国并不是加热欧洲太阳能市场的唯一国家

据iSuppli公司，虽然德国作为新增太阳能安装之王获得了光伏(PV)市场的王冠，但欧洲其它国家也在扩大自己的2010年及未来光伏计划。实际上，欧洲其它可以替代德国成为投资热点的地区大量涌现，意大利和法国的投资回报(ROI)就非常吸引人。iSuppli公司已经看到，大多数德国太阳能投资者涌向这些国家，以拓宽投资范围。但是，虽然投资者希望这些国家能变成第二个德国，但这些国...[详细]
Google 正式回应 Android Market 木马事件，远程删除手机上的木马程序

Android Market 出现 DreamDroid 木马程序的消息引发强烈反响，毕竟没人喜欢将移动设备有限的机能浪费在杀毒软件上。Google 在上周早些时候发现此事，并将相关程序下架。昨天 Google 对此事做出正式回应，要点如下：损失共有 58 个带有木马的程序被传上 Android Market 在被 Google 清除之前，这些程序被下载到大约 26 万部...[详细]
Littelfuse宣布推出汽车用瞬态抑制二极管阵列

Littelfuse公司，近日宣布推出两个符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)系列。 AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔断、高性能过电压保护器件，最适合用于电源接口、乘客充电接口以及LED照明模块和低速I/O。 AQHV / AQHV-C系列瞬态抑制二极管阵列 200W分立型AQHV系列(单向)和AQHV-C(双向)产品可保护敏感型设备免因静电放电(E...[详细]
微软泄密：高通研发骁龙830芯片明年上市

腾讯科技讯 2016年，高通的骁龙820系统芯片，成为高端旗舰手机芯片的“代名词”，智能手机厂商趋之若鹜，甚至出现供应紧张的消息。而据外媒最新消息，微软在一份文档中意外“泄密”——高通可能已经在研发2017年的旗舰芯片骁龙830。据美国多家科技媒体报道，骁龙820芯片受到了手机厂商的哄抢，而搭载该系统芯片的旗舰手机，最近才刚刚开始送达消费者的手中。不过各种迹象看来，高通已经在提前...[详细]
三星:新Galaxy旗舰机中国销售势头良好

据路透社报道，周三，三星电子表示，其新款Galaxy旗舰智能手机在中国的销售势头良好，该公司有信心扭转其近期在中国这个全球最大智能手机市场的颓势。　　三星在中国的市场份额已经从2013年的20%跌至目前的不足1%，因为华为等快速增长的中国竞争对手在应对最新趋势方面显得更加灵活。　　三星电子联席首席执行官高东真（DJ Koh）在公司年度股东大会上表示：“过去两年，我们在中...[详细]
中小尺寸TFT LCD面板恐陷负成长

由于AMOLED技术崛起，AMOLED面板在手机领域渗透率提高，压缩原本TFT LCD面板空间，此外像是平板计算机等其他应用出货下滑，市调单位估计，全球中小尺寸TFT LCD面板出货量逐年下滑，自明年开始的四年间、年复合成长率约为-6.9％。 2015年起韩厂三星显示器、LGD以及日厂Japan Display皆大幅缩减中小尺寸TFT LCD面板产能，转向扩增AMOLED产能。手机应用受AMO...[详细]
基于Teseo II芯片的汽车导航系统设计

TeseoII是针对多卫星导航系统开发的单芯片IC系列(STA8088)。除GPS与伽利略卫星信号外，这些IC还能处理格洛纳斯(全球卫星导航系统)的数据。这些参考设计涵盖各种不同的GPS、伽利略与格洛纳斯组合，在1569至1607MHz范围符合L1/E1标准。由于格洛纳斯所用卫星数量相对较多，从而显著提高了导航性能，尤其适用于大城市中狹窄街道等不利环境。　　格洛纳斯使用一个边频带，与GP...[详细]
TMS320C55x DSP并行处理技术分析与应用

　　TMS320C55x DSP是一种高性能的数字信号处理器，其强大的并行处理能力能够进一步提高其运算能力。本文介绍了C55xDSP的内核结构以及用户自定义并行指令时必须遵守如下3条并行处理基本规则，并介绍了6种典型的并行处理应用。利用本文介绍的方法使用并行处理能力将有效提高程序执行效率，同时降低系统功耗。　　德州仪器公司(TI)的TMS320C55x(简称C55x)DSP内核是在TMS3...[详细]