CY93422APC,CY93422APC pdf中文资料,CY93422APC引脚图,CY93422APC电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Rochester Electronics

包装说明

DIP,

Reach Compliance Code

unknown

最长访问时间

35 ns

JESD-30 代码

R-PDIP-T22

长度

28.067 mm

内存密度

1024 bit

内存集成电路类型

STANDARD SRAM

内存宽度

功能数量

端子数量

字数

256 words

字数代码

256

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

75 °C

最低工作温度

组织

256X4

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

DIP

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

并行/串行

PARALLEL

座面最大高度

5.08 mm

最大供电电压 (Vsup)

5.5 V

最小供电电压 (Vsup)

4.5 V

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL EXTENDED

端子形式

THROUGH-HOLE

端子节距

2.54 mm

端子位置

DUAL

宽度

10.16 mm

参数对比

与CY93422APC相近的元器件有：CY93L422ADC、CY93422ADC、CY93422DC、CY93422PC、CY93L422DC、CY93422ADM。描述及对比如下：

型号	CY93422APC	CY93L422ADC	CY93422ADC	CY93422DC	CY93422PC	CY93L422DC	CY93422ADM
描述	Standard SRAM, 256X4, 35ns, CMOS, PDIP22, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-22	Standard SRAM, 256X4, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22	Standard SRAM, 256X4, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22	Standard SRAM, 256X4, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22	Standard SRAM, 256X4, 45ns, CMOS, PDIP22, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-22	Standard SRAM, 256X4, 60ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22	Standard SRAM
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
包装说明	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
最长访问时间	35 ns	45 ns	35 ns	45 ns	45 ns	60 ns	-
JESD-30 代码	R-PDIP-T22	R-GDIP-T22	R-GDIP-T22	R-GDIP-T22	R-PDIP-T22	R-GDIP-T22	-
长度	28.067 mm	27.432 mm	27.432 mm	27.432 mm	28.067 mm	27.432 mm	-
内存密度	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	-
内存宽度	4	4	4	4	4	4	-
功能数量	1	1	1	1	1	1	-
端子数量	22	22	22	22	22	22	-
字数	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words	-
字数代码	256	256	256	256	256	256	-
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-
最高工作温度	75 °C	75 °C	75 °C	75 °C	75 °C	75 °C	-
组织	256X4	256X4	256X4	256X4	256X4	256X4	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	-
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	-
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	-
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	-
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	-
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	-
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-
温度等级	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	-
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	-
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	-