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CY93L422DC

Standard SRAM, 256X4, 60ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Rochester Electronics

厂商官网:https://www.rocelec.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Rochester Electronics
包装说明
DIP,
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
60 ns
JESD-30 代码
R-GDIP-T22
长度
27.432 mm
内存密度
1024 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端子数量
22
字数
256 words
字数代码
256
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
75 °C
最低工作温度
组织
256X4
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码
DIP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
座面最大高度
5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL EXTENDED
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
10.16 mm
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参数对比
与CY93L422DC相近的元器件有:CY93L422ADC、CY93422ADC、CY93422APC、CY93422DC、CY93422PC、CY93422ADM。描述及对比如下:
型号 CY93L422DC CY93L422ADC CY93422ADC CY93422APC CY93422DC CY93422PC CY93422ADM
描述 Standard SRAM, 256X4, 60ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22 Standard SRAM, 256X4, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22 Standard SRAM, 256X4, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22 Standard SRAM, 256X4, 35ns, CMOS, PDIP22, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-22 Standard SRAM, 256X4, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22 Standard SRAM, 256X4, 45ns, CMOS, PDIP22, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-22 Standard SRAM
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
包装说明 DIP, DIP, DIP, DIP, DIP, DIP, ,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
最长访问时间 60 ns 45 ns 35 ns 35 ns 45 ns 45 ns -
JESD-30 代码 R-GDIP-T22 R-GDIP-T22 R-GDIP-T22 R-PDIP-T22 R-GDIP-T22 R-PDIP-T22 -
长度 27.432 mm 27.432 mm 27.432 mm 28.067 mm 27.432 mm 28.067 mm -
内存密度 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit -
内存宽度 4 4 4 4 4 4 -
功能数量 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 22 22 22 22 22 22 -
字数 256 words 256 words 256 words 256 words 256 words 256 words -
字数代码 256 256 256 256 256 256 -
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 75 °C 75 °C 75 °C 75 °C 75 °C 75 °C -
组织 256X4 256X4 256X4 256X4 256X4 256X4 -
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY -
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE -
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL -
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V -
表面贴装 NO NO NO NO NO NO -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS -
温度等级 COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL -
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm -
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