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CZT4033TR13LEADFREE

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Central Semiconductor

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Central Semiconductor
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
1 A
基于收集器的最大容量
20 pF
集电极-发射极最大电压
80 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
100
JESD-30 代码
R-PDSO-G4
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
4
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
2 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
10
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
100 MHz
VCEsat-Max
0.5 V
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参数对比
与CZT4033TR13LEADFREE相近的元器件有:CZT4033TRLEADFREE、CZT4033TR、CZT4033TR13、CZT4033BK、CZT4033BKLEADFREE。描述及对比如下:
型号 CZT4033TR13LEADFREE CZT4033TRLEADFREE CZT4033TR CZT4033TR13 CZT4033BK CZT4033BKLEADFREE
描述 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合 不符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
Reach Compliance Code compliant compliant unknown unknown unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
基于收集器的最大容量 20 pF 20 pF 20 pF 20 pF 20 pF 20 pF
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 100 100 100 100 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e3 e3 e0 e0 e0 e3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 2 W 2 W 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 10
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V
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