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CZT5551ETR13

Transistor

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Central Semiconductor

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Central Semiconductor
包装说明
,
Reach Compliance Code
compliant
最大集电极电流 (IC)
0.6 A
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
25
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
最高工作温度
150 °C
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
2 W
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)
100 MHz
文档预览
CZT5551E
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
NPN SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
SOT-223 CASE
APPLICATIONS:
General purpose switching and amplification
Telephone applications
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
High Collector Breakdown Voltage 250V
Low Leakage Current 50nA MAX
Low Saturation Voltage 100mV MAX @ 50mA
Complementary Device: CZT5401E
SOT-223 Surface Mount Package
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
250
220
6.0
600
2.0
-65 to +150
62.5
UNITS
V
V
V
mA
W
°C
°C/W
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Power Dissipation
Continuous Collector Current
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
ICBO
TEST CONDITIONS
VCB=120V
VCB=120V, TA=100°C
VEB=4.0V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
250
220
6.0
75
100
1.00
1.00
MIN
MAX
50
50
50
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
mV
mV
V
V
BVCBO
BVCEO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
BVEBO
IEBO
Enhanced specification
R1 (1-March 2010)
CZT5551E
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
NPN SILICON TRANSISTOR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
hfe
NF
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=50mA
VCE=10V, IC=150mA
VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=200μA, RS=10Ω,
f=10Hz to 15.7kHz
120
120
75
25
100
300
6.0
20
50
200
8.0
dB
MHz
pF
pF
300
Enhanced specification
SOT-223 CASE - MECHANICAL OUTLINE
LEAD CODE:
1) Base
2) Collector
3) Emitter
4) Collector
MARKING:
FULL PART NUMBER
R1 (1-March 2010)
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
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参数对比
与CZT5551ETR13相近的元器件有:CZT5551EBK、CZT5551EBKLEADFREE、CZT5551ETR、CZT5551ETR13LEADFREE、CZT5551ETRLEADFREE。描述及对比如下:
型号 CZT5551ETR13 CZT5551EBK CZT5551EBKLEADFREE CZT5551ETR CZT5551ETR13LEADFREE CZT5551ETRLEADFREE
描述 Transistor Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 Transistor Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 Transistor Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A
配置 Single SINGLE Single SINGLE Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 25 25 120 25 120 120
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 2 W 2 W 2 W 2 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
厂商名称 Central Semiconductor - - Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
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