Datenblatt / Data sheet
Schnelle-Dioden-Modul
Fast Diode Modul
DD61S
Key Parameters
V
RRM
I
FAVM
I
FSM
V
T0
r
T
R
thJC
Base plate
Weight
1200V…1400V
61A (T
C
=100°C)
1900A
1,0V
2,2mΩ
0,305K/W
20mm
200g
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Druckkontakt-Technologie für hohe
Zuverlässigkeit
Industrie-Standard-Gehäuse
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Features
Pressure contact technology for high reliability
Industrial standard package
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Gleichrichter für UPS
Batterieladegleichrichter
Entkopplungsdioden
Typical Applications
Rectifier for drives applications
Rectifiers for UPS
Battery chargers
Decoupling diodes
1
2
3
content of customer DMX code
serial number
SAP material number
Internal production order number
datecode (production year)
datecode (production week)
DMX code
digit
1..5
6..12
13..20
21..22
23..24
DMX code
digit quantity
5
7
8
2
2
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
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Datenblatt / Data sheet
Schnelle-Dioden-Modul
Fast Diode Modul
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
T
C
= +100°C
T
C
= +84°C
T
vj
= +45 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= +45 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DD61S
DD61S12K
DD61S14K
T
vj
= -40°C... T
vj max
DD61S14K-K
V
RRM
1200 V
1400 V
1300 V
1500 V
120 A
61 A
76 A
1900 A
1600 A
18050 A²s
12800 A²s
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Nachlaufladung
Lag charge
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 230A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
T
vj
= T
vj max
i
FM
= 120A, -di
F
/dt = 100A/µs
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
v
F
V
(TO)
r
T
i
R
Q
S
max.
1,62 V
1,0 V
2,2 mΩ
max.
40 mA
46 µAs
V
ISOL
3,0 KV
2,5 kV
prepared by: AG
approved by: ML
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revision:
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Schnelle-Dioden-Modul
Fast Diode Modul
DD61S
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R
thJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,310
0,620
0,305
0,610
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Thermische Eigenschaften
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
UL-gelistet
UL listed
0,08 °C/W
0,16 °C/W
+150 °C
-40...+150°C °C
-40...+150°C °C
Mechanische Eigenschaften
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AlN
Toleranz ±15%
Toleranz +5%/-10%
M1
M2
G
typ.
4
4
Nm
Nm
200 g
14 mm
f = 50 Hz
file-No.
50 m/s²
E 83335
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Schnelle-Dioden-Modul
Fast Diode Modul
DD61S
Maßbild
1
2
3
1
2
3
DD
DD-K
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Schnelle-Dioden-Modul
Fast Diode Modul
DD61S
R,T – Werte
R,Tau-Glieder des Elements
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[°C/W]
0,0102
0,0329
0,0805
0,0741
0,072
τ
n
[s]
0,00112
0,0175
0,322
1,21
7,5
n
max
n=1
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
½
R
–t
thn
1 -e
n
Transienter Wärmewiderstand
Z
thJC
[°C/W]
0,70
0,60
0,50
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
0,001
Θ=
rec 60°
rec 120°
rec 180°
sin 180°
DC
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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