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DF2S30FS(TL3NMB,E)

Zener Diode, 30V V(Z), 6.67%, Silicon, Unidirectional

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Toshiba(东芝)

厂商官网：http://toshiba-semicon-storage.com/

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
包装说明
R-PDSO-F2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-F2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性
UNIDIRECTIONAL
标称参考电压
30 V
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
最大电压容差
6.67%
工作测试电流
2 mA
Base Number Matches
1
文档预览
DF2S30FS
ESD Protection Diodes
Silicon Epitaxial Planar
DF2S30FS
1. Applications
•
ESD Protection
This product is designed for protection against electrostatic discharge (ESD) and is not intended for any other
purpose, including, but not limited to, voltage regulation.
Note:
2. Packaging and Internal Circuit
1: Cathode
2: Anode
SOD-923
1: Cathode
2: Anode
fSC
The SOD-923 package is recommended.
Package
SOD-923
fSC
Product name
DF2S30FS,L3M (Note 1)
DF2S30FS,L3J , DF2S30FS,L3F
Note 1: The product name of the devices housed in the SOD-923 package are suffixed with
the "M".
Start of commercial production
1
2006-05
2014-07-18
Rev.3.0
DF2S30FS
3. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, T
a
= 25
)
25
Characteristics
Electrostatic discharge voltage (IEC61000-4-2)(Contact)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
ESD
T
j
T
stg
Rating
±8
150
-55 to 150
Unit
kV
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
4. Electrical Characteristics (Unless otherwise specified, T
a
= 25
)
25
V
RWM
: Working peak reverse
voltage
V
Z
: Zener voltage
V
BR
: Reverse breakdown voltage
Z
Z
: Dynamic impedance
I
Z
: Zener current
I
BR
: Reverse breakdown current
I
R
: Reverse current
V
C
: Clamp voltage
I
PP
: Peak pulse current
R
DYN
: Dynamic resistance
I
F
: Forward current
V
F
: Forward voltage
Fig. 4.1 Definitions of Electrical Characteristics
Characteristics
Working peak reverse voltage
Zener voltage
(Reverse breakdown voltage)
Dynamic impedance
Reverse current
Total capacitance
Symbol
V
RWM
V
Z
(V
BR
)
Z
Z
I
R
C
t
Note
I
Z
= 2 mA
(I
BR
)
I
Z
= 2 mA
(I
BR
)
Test Condition
Min
28.0
Typ.
30.0
7
Max
23
32.0
150
0.5
Unit
V
V
Ω
µA
pF
V
RWM
= 23 V
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
2
2014-07-18
Rev.3.0
DF2S30FS
5. Guaranteed ESD Protection (Note)
Test Condition
IEC61000-4-2 (Contact discharge)
ESD Protection
±8
kV
Note:
Criterion: No damage to devices.
6. Marking
Fig. 6.1 Marking
7. Land Pattern Dimensions (for reference only)
Fig. 7.1 SOD-923 (unit: mm)
Fig. 7.2 fSC (unit: mm)
3
2014-07-18
Rev.3.0
DF2S30FS
8. Characteristics Curves (Note)
Fig. 8.1 I
Z
- V
Z
(I
BR
- V
BR
)
Fig. 8.2 I
R
- V
R
Fig. 8.3 C
t
- V
R
Note:
The above characteristics curves are presented for reference only and not guaranteed by production test,
unless otherwise noted.
4
2014-07-18
Rev.3.0
DF2S30FS
Package Dimensions
Unit: mm
The shapes and dimensions of the package vary, depending on the manufacturing plant. For details, contact the
Toshiba sales representative.
Weight: 0.55 mg (typ.)
Package Name(s)
TOSHIBA: 1-1AH1A
Nickname: SOD-923
5
2014-07-18
Rev.3.0
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参数对比
与DF2S30FS(TL3NMB,E)相近的元器件有：DF2S30FS,L3M、DF2S30FS,L3F、DF2S30FS,L3F(T、DF2S30FS(TL3PSE,E)、DF2S30FS(TL3,T)、DF2S30FS(TL3NMB)、DF2S30FS(TL3CNOI,E。描述及对比如下：
型号 DF2S30FS(TL3NMB,E) DF2S30FS,L3M DF2S30FS,L3F DF2S30FS,L3F(T DF2S30FS(TL3PSE,E) DF2S30FS(TL3,T) DF2S30FS(TL3NMB) DF2S30FS(TL3CNOI,E
描述 Zener Diode, 30V V(Z), 6.67%, Silicon, Unidirectional TVS DIODE 23V SOD923 VOLTAGE REGULATOR DIODE Zener Diode Zener Diode, 30V V(Z), 6.67%, Silicon, Unidirectional Zener Diode, 30V V(Z), 6.67%, Silicon, Unidirectional Zener Diode, 30V V(Z), 6.67%, Silicon, Unidirectional Zener Diode, 30V V(Z), 6.67%, Silicon, Unidirectional
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
二极管类型 ZENER DIODE ZENER DIODE ZENER DIODE ZENER DIODE ZENER DIODE ZENER DIODE ZENER DIODE ZENER DIODE
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
包装说明 R-PDSO-F2 - - - R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
配置 SINGLE - - - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - - - SILICON SILICON SILICON SILICON
JESD-30 代码 R-PDSO-F2 - - - R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
元件数量 1 - - - 1 1 1 1
端子数量 2 - - - 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C - - - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - - - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性 UNIDIRECTIONAL - - - UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
标称参考电压 30 V - - - 30 V 30 V 30 V 30 V
表面贴装 YES - - - YES YES YES YES
技术 ZENER - - - ZENER ZENER ZENER ZENER
端子形式 FLAT - - - FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL - - - DUAL DUAL DUAL DUAL
最大电压容差 6.67% - - - 6.67% 6.67% 6.67% 6.67%
工作测试电流 2 mA - - - 2 mA 2 mA 2 mA 2 mA
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