E210,E210 pdf中文资料,E210引脚图,E210电路-Datasheet-电子工程世界

型号	E210	2N4944	EN930	E211	PN4303-18	PN4393-18	PN4391-18	EN918	PN4392-18
描述	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,15MA I(DSS),TO-106VAR	TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-106	TRANSISTOR,BJT,NPN,45V V(BR)CEO,30MA I(C),TO-106	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20MA I(DSS),TO-106VAR	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,10MA I(DSS),TO-92	TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal	TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal	TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-106	TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant	unknown	unknown	unknown	compliant	unknow
极性/信道类型	N-CHANNEL	NPN	NPN	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	NPN	N-CHANNEL
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	-	-	不符合	-
FET 技术	JUNCTION	-	-	JUNCTION	JUNCTION	JUNCTION	JUNCTION	-	JUNCTION
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	-	-	e0	-
最高工作温度	125 °C	150 °C	125 °C	125 °C	150 °C	-	-	125 °C	-
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.22 W	0.2 W	0.35 W	0.36 W	-	-	0.2 W	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
配置	-	Single	Single	-	-	SINGLE	SINGLE	Single	SINGLE
厂商名称	-	-	National Semiconductor（TI ）	-	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）

GSM手机射频系统分析与研究（三）: 零中频优缺点分析后来随着发展又出现直接变频的方式，现在国内，以国际上很多采用的是直接一次变频的...; JasonYoo RF/无线

紧急求助一个STM32的问题，跪求大神帮助啊！: 我设计了一个板子是有模拟部分数字部分其中模拟部分通过±12V供电数字部分是STM32F103...; Ben讨厌苦咖啡 stm32/stm8

“C2000+TMS570” 双芯片方案在汽车电驱动功能安全上的应用: 随着新能源汽车的迅猛发展和汽车电子系统越来越复杂，汽车的功能安全越来越备受重视，可靠性的要求...; Aguilera DSP 与 ARM 处理器

折腾一天了，EVC应用程序下载到模拟器失败.: 初次接触winCE开发，在EVC下面写了简单的helloworld程序，配置信息为STANDARD...; tsz 嵌入式系统

求解运放THS4052ID异常发烫: AD5621+THS4052ID 希望输出电压范围-10V到+5V，调试时运放的+-12V电流10...; yshldq114 模拟电子

求助: 最近想做一个纯电路实现的功率检测器，思路是这样的，使用运放将电流量转化为电压量（平转），然后将同一...; 1906519950 模拟电子

猫芯发布！双11期间预计有60多款搭载的新品发售

10月18日下午，天猫精灵总裁彭超透露多项业务进展，2021年天猫精灵日活跃带屏设备增长超150%，AIoT生态日活跃用户增长超100%。在此基础上探索人格化、懂情感、跨场景的下一代智能终端。登顶全球6大权威榜单的达摩院大模型AliceMind，已引入天猫精灵并升级语音搜索推荐、百科问答等场景体验。彭超介绍，团队正在与不同领域技术专家合作，从阿里科技板块吸收转化更多前沿技术，打造一套有记忆、懂...[详细]
IPS面板占比明年有望再提升5%占比，经济效益更大

电子网消息，据台湾工商时报报道，IHS Markit预计，笔记型电脑中的IPS广视角面板的渗透率持续拉高，预期今年度的占比为37％，比去年度大增10个百分点，明年可望提升至42％。由于生产IPS面板可带来更高的销售价格和更大的产能利用率，对于面板厂的经济效益更大。 2017年笔电面板出货量预计将比去年增加5％，达到1.77亿片，而今年笔记型电脑出货量预计将持平。由于担心较高的库存会拖累明年的...[详细]
51单片机对无线模块nRF24L01简单的控制收发程序

它的一些物理特性如工作频段、供电电压、数据传输速率就不详细介绍了，直接上代码。 1.首先是发送端： // Define SPI pins #include reg51.h #define uchar unsigned char /***************************************************/ #define TX_ADR_WIDTH 5 // 5字...[详细]
LSI ：全面推进新一代数据中心

创新与变革在过去，条条道路通数据中心。企业数据中心作为网络、存储和计算服务的配置点，应位于关键任务功能区域的中心，原因很简单：为成千上万的用户提供大规模、集中化服务的成本如此之高，只能通过物理配置所需资源的方法进行管理。如今，所有这一切已经发生了改变。随着对运作效率、可持续业务操作、动态业务多元化和成本竞争力的要求不断增长，尽管数据中心的角色与过去相差无...[详细]
ST推出新款MasterGaN4器件，实现高达200瓦的高能效功率变换

中国，2021年4月15日——意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品，MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题，简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。Mas...[详细]
单片机快速将库函数版代码移植为寄存器代码方法

现在单片机开发越来越多用的是库函数版本的，寄存器版本使用越来越少了。但是在有些项目中使用库函数会导致程序运行速度比较慢，没有直接操作寄存器运行起来速度快。所以在对时间要求比较严格的项目中，还是需要使用寄存器来开发。如果不能够找到寄存器相关示例代码的时候，开发起来还是比较困难的。今天就来总结一个快速将库函数移植为寄存器的方法，这个方式为通用方法，在任何单片机上都可以使用。现在就用一个...[详细]
变多变平变松家电市场销售节奏十年巨变

“五一”、“十一”等节假日历来都是家电销售的黄金时段，这也是家电行业人士多年以来的共识。然而，近几年传统旺季的销售成绩单已经大不如前。　　奥维云网推总数据显示，今年五一促销期间彩电零售量为176万台，同比下降13.0%，销额为64亿元，同比小幅下降2.5%。此外，经历了4月份多轮促销的铺垫，五一冰箱、洗衣机市场的出货能力也在下降。　　多家家电企业销售负责人在接受中国家电网记者采访时表示，近...[详细]
空气产品公司将为三星电子西安第二座3D V-NAND芯片厂供气

全球领先的工业气体供应商——空气产品公司今天宣布将为三星电子位于西安市的第二座半导体工厂供应工业气体。位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一，也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。空气产品公司西安工厂自2014年起开始服务于这一项目，目前运作两座大型空气分离装置...[详细]
工业级无人机现在和未来可能都不会出现垄断者

“未来会想要做消费级无人机市场吗？” “不想，除非大疆不干了。” 自去年一片红海之后，面对消费级无人机市场，创业者们别说干上一干，连想他们都懒得再想。再来，观察近几年来全球无人机的融资情况会发现无人机领域融资在2015年达到顶峰，而同时也是从 2015年后，无人机的融资开始出现了断崖式下滑。对于如何把蛋糕做大的问题，大家已经思考很久。产品升级、转换市场，创业者们很自然地从扎堆消费级无人机过...[详细]
四川雅安芦山4.5级地震无人伤亡，电视地震预警备受关注

5月2日15时57分，四川省雅安芦山发生4．5级地震。目前，从雅安市防震减灾服务中心地震灾害损失评估系统判断，无人员伤亡，无直接经济损失。此次地震发生前，由成都高新减灾研究所与应急管理部门联合建设的“大陆地震预警网”成功预警该次地震，同步向政府、社区、学校、电视、手机等发出地震预警信息，雅安市、成都市、眉山市、阿坝州等4个市（州）的109所学校提前0秒至23秒发出预警。图源：中国地震台网速...[详细]
英飞凌携手IMEC 合作开发汽车79 GHz CMOS雷达传感器芯片

全球领先的微电子研究中心IMEC与半导体制造商英飞凌科技股份公司近日宣布，双方正合作开发CMOS传感器芯片。根据在布鲁塞尔举行的年度IMEC技术论坛（ITF Brussels 2016）上公布的协议，英飞凌与IMEC将携手开发针对汽车雷达应用的高度集成型CMOS工艺79 GHz传感器芯片。在这一合作中，双方将结合IMEC面向雷达应用的高频系统、电路和天线设计等方面的先进专业技术，以及英飞凌在雷达传...[详细]
芯和半导体凌峰：系统级封装SiP趋势给EDA带来了巨大挑战

2021年5月21日，中国系统级封装大会在上海正式举行。大会主席、芯和半导体创始人兼CEO凌峰发表主题演讲表示，系统级封装（SiP）是后摩尔时代的关键技术，在5G、数据中心、高性能计算和AI等领域发挥重要作用。但多芯片引发的互连问题、系统问题以及EDA工具等问题都是行业正在面临的挑战。凌峰首先指出，随着模组的应用越来越多，手机射频前端SiP化已经不可阻挡；另外随着人工智能（AI）技术、大...[详细]
打造中德智能产业合作样板

集微网消息（文/小如）在12月8日~10日的中德智能制造产业化合作峰会上，南京未来科技城弗劳恩霍夫激光研究所（ILT）、工业制造研究所（IPT）中德创新及展示中心项目（以下简称“中德创新及展示中心项目”）正式签约，该项目将重点推进激光技术、智能制造及生产等方向的核心技术。（来源：新华报业网）据悉，中德创新及展示中心是南京未来科技城与弗劳恩霍夫ILT、IPT等智能制造相关的各大研究所合作...[详细]
康谋分享 | 自动驾驶联合仿真——功能模型接口FMI（二）

FMU中时间概念的连续性和离散性实际上是变量的属性。并且FMU都能够包含连续时间的变量或是离散时间的变量。在模型交换类型和联合仿真类的FMU通信中可以看到这一点。在FMI2.0中通过通信点来进行数据交换的通信结构是离散的。一、模型交换：导入工具提供求解器仿真工具之间模型集成非常紧密。在导入工具和模型之间的接口非常复杂。导入工具必须提供合适的求解器。二、联合仿真...[详细]
裁员席卷全美科技业哀鸿遍野

据国外媒体报道，由于销售下滑及对各经济领域将迎来更大困难的预期，美国企业开始加快了裁员步伐。　　仅在本周，美国雇主们就宣布了至少33000人的裁员计划，其中AT&T周四宣布裁员1.2万人，占员工总数的4%，维亚康姆裁员850人，约占员工总数的7%。　　今年美国已裁减了大约120万个工作岗位。本周五美国政府将公布月度就业报告，经济学家预计，11月份裁员总数达35万人。这个数字不包括周...[详细]