ED1602E,ED1602E pdf中文资料,ED1602E引脚图,ED1602E电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与ED1602E相近的元器件有：ED1602C、933689700412、933689710412、ED1602D、933689700126。描述及对比如下：

型号	ED1602E	ED1602C	933689700412	933689710412	ED1602D	933689700126
描述	TRANSISTOR 100 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	223	125	125	170	170	125
JEDEC-95代码	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	符合	不符合	-
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-

求pspice8.0: 谁有pspice8.0共享一下啊？求pspice8.0 ...; fighting Microchip MCU

关于射频板PCB的布局、布线原则: 作为一名有逼格的 PCB 设计工程师，一般 PCB 的布局布线规则大家肯定都已经了然于心了。不过，...; btty038 PCB设计

【MSP430共享】MSP430x1xx用户指南: 【MSP430共享】MSP430x1xx用户指南先看看，学习学习…… 感谢楼主分享 ...; ddllxxrr 微控制器 MCU

HFSS: 有懂HFSS的高手没 HFSS 兄弟有啥想不通的么？ HFSS俗称海飞丝，坛子里很多大牛你把...; 智慧眼睛测试/测量

用51芯片做一个自动剃头机: 本人想用51 芯片控制剃头机,既一个自动手来控制刀片,想请教一下高手象这样的程序该如何来编. 用51...; minicrab 嵌入式系统

基于FPGA的直接数字频率合成器的设计和实现: 概述　　直接数字频率合成技术（Direct Digital Frequency Synthesis...; clj2004000 DSP 与 ARM 处理器

Spansion降低对晶圆代工和转包商依赖

　　2008财年上半年与2007财年下半年相比，预计NOR闪存供应商Spansion对晶圆代工厂商和转包商的依赖程度将每季度下降大约5,000万美元。该公司在美国的Fab 25工厂和在日本的SP1工厂生产效率提高，将允许它降低对外部晶圆代工厂商的依赖，尤其是在90纳米产品方面。　　此外，增加新的测试能力之后，生产能力与成品率都明显提高，具体而言就是该公司的65纳米产品，包括MirrorBit...[详细]
韩现代半导体产品大跳水 Q2盈利下滑35.5％

7月31日消息，作为世界第二大内存芯片制造商，韩国现代半导体日前发布了季度收益报告，数据表明在刚刚过去的2007年第二季度中，公司盈利足足下滑了35.5％，主要原因是产业范围供货量过高导致的产品价格大幅度跳水。据国外媒体报道，韩国现代半导体表示，第二季度公司盈利只有2090亿韩元，折合2.276亿美元，要知道该数字在去年同期曾经达到3240亿韩元。...[详细]
熵码科技安全处理器及信任根免费开放试用

(台湾新竹, 2021年7月8日) 去年 6 月，熵码科技推出开放平台-- IP GO，供IC开发人员免费下载IP试用套件进行晶片设计整合、开发具备安全功能的产品，并获得广大迴响。随著各类应用对安全功能的需求日益增加，全新改版升级的 IP GO 2.0 将能服务更广大的族群，满足更多开发者的需求。 IP GO 2.0简化了申请流程，以线上签署用户协议取代法人间繁複的保密协议(NDA)签定流程，让...[详细]
Allegro

Allegro 公司中文名网站 http://www.allegromicro.com/zh 总部地址美国马萨诸塞州伍斯特市中国地址电话传真 E-Mail 官方介绍 Allegro ...[详细]
音频精确延时系统及其实现

引言　　音频的时间延迟传统上使用延迟线或电荷耦合器件实现，这在民用设备中有着广泛的应用。最常见的是卡拉OK机的混响系统，它使用延迟一定时间的信号产生回声的效果。某些专用的BBE器件，如三菱的M58000系列，内部采用了数模和模数转换技术，内置动态RAM存储数据，某些芯片可以通过调整其时钟频率或有专用引脚调整延时量。可调范围在数百毫秒量级，误差在毫秒量级。这些芯片普遍采用较低的采样速率，...[详细]
高通研发NanoRings技术，有望在7nm工艺下解决电容问题

目前，制造先进芯片离不开晶体管，其核心在于垂直型栅极硅，原理是当设备开关开启时，电流就会通过该部位，然后让晶体管运转起来。但业界的共识认为，这种设计不可能永远用下去，一招包打天下，总会到了终结的那天。IBM 就开始着手探索新的设计，并把它命名为 Nanosheets，可能会在未来几年投入使用。而高通则似乎有着不同的想法。联合芯片制造行业的大佬 Applied Meterials、Synop...[详细]
YYH40系列语音合成芯片特点及电路图介绍

基本特点： ①采用自适应增量(8)调制(ADM)方式。 ②YYH40的寻址能力512k位。 ③外接存储器可选择一片或二片DRAM。 ④采样频率为8～32 kbps。 ⑤单电源供电，电源电压为 5v。 ⑥可直接与电话线相连，驱动磁带录音机作为电话留言记录。 ⑦28脚双列直插封装。 YY1140引脚图如下图所示： YYH40引脚图 YYH40应用电路 ...[详细]
华尔街日报：美“反华情绪”致使半导体收购交易延迟

　　全球私募股权基金CanyonBridge收购美国半导体公司的计划在美国政府审查中被延迟。近日，该公司美合伙人Ray Bingham称美“反华情绪”的政策倾向阻碍了此次收购的顺利进行。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。　　半导体企业收购交易整体受阻　　Canyon Bridge 的合伙人称，其对莱迪思半导体的收购纯粹出于商业目的，并且已努力消除美国外国投资委...[详细]
三屏内折叠设计三星革命性旗舰原型机泄露

三星和华为是为数不多的两家明确披露了可折叠手机计划的大厂，两者要踩的发布时间点也比较类似，今年底或者明年上半年。　　对于三星来说，自己做屏、做电池、做CMOS等，优势最为明显，当然，如果他们是处于确立行业标准、暴击iPhone这个角度的话，的确需要细细地打磨，需要在优秀的基础上做到极致，才能重拾更多用户的信任。　　据TheBell报道，接近三星的消息人士透露，其实早在CES ...[详细]
LPC2478 GPIO 输出控制

void main(){ //将P3.25 P3.28 P3.26 P3.29配置成输出模式，默认为上拉输出 //初始化 PINSEL7&=(~(3 18)); FIO3DIR |= 1 25; //P3.25/OUT DIR PINSEL7&=(~(3 24)); FIO3DIR |= 1 28; //P3.28/OUT DIR PINSEL7&=(~(3 20)); FIO3DIR...[详细]
MEMS陀螺仪原理与应用优势分析

消费电子设备早在几年前就开始使用MEMS加速计。从游戏机到手机，从笔记本电脑到白色家电，运动控制式用户界面和增强的保护系统给所有的消费电子产品带来很多好处。现在轮到MEMS陀螺仪大显神威了，消费电子集成MEMS陀螺仪的浪潮刚刚掀起。陀螺仪能够测量沿一个轴或几个轴运动的角速度，而MEMS加速计则能测量线性加速度，因此这两者是一对理想的互补技术。事实上，如果组合使用加速计和陀螺仪这两种传感器，...[详细]
TI推出业界最高精度单芯片毫米波传感器产品组合

德州仪器(TI)正将前所未有的高精度和智能化引入包括汽车、工厂和楼宇自动化、以及医疗市场在内的广泛应用中。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。 TI的全新毫米波单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)产品组合包括5个解决方案，横跨具有完整端到端开发平台的76至81GHz传感器的两大产品系列。AWR1x和IWR1x传感器产品组合提供比目前市场上毫米波解决方案高3倍的感测精度，样片现已供货。...[详细]
Facebook机器人专利曝光扎克伯格攒的大招是个拍照小跟班！

去年，关于Facebook关停“失控”AI 项目的新闻满天飞，更有媒体爆出机器人开始使用自己的语言进行对话，人们开始恐慌机器人失控之后会主宰世界。事实上， Facebook正在开发的机器人并非如此。据外媒最新报道，Facebook已经为一款机器人设计申请了专利。这款配备了摄像头、麦克风和扬声器的机器人能够跟随你并且记录你的每一个动作。一个显示屏和一部摄像头构成了这种机器人的“头部单元”，让它...[详细]
单片机降低待机功耗到66微安的方法

功耗降到66微安了，开心。先上图，再说方法： LED采用如下方式连接到MCU的之前全部将管脚配置为开漏模式，这样配置管脚为低电平时LED点亮，配置管脚为高阻时LED熄灭。这样在休眠状态下，这些管脚的配置为开漏模式并设置为高阻，想不到这样会有比较大的电流泄露。修改前待机电流为320微安左右，将这些管脚修改为推挽模式之后，待机电流骤降为66微安。除去加速度传感器消耗的...[详细]
钳形电流表原理图

通常状况下霍尔传感器被用于测验直流电流。因为沟通钳形表不能选用电磁感应法。霍尔传感器如下图所示放置。发作的磁通量与钳头中首要直流和沟通电流成份额这是霍尔传感器查看磁通量并做为输出电压将之发散霍尔传感器:是一种半导体，可对被测物发作的偏置电流生成成份额电压并能在偏置电流运用于输入终端时发作输出终端磁场。钳形电流表如何操作？ Ø 通常状况下沟通钳形电流表的操作是遵从CT准则，CT准则常用于电...[详细]