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EDI8LM32257V12AC

Standard SRAM, 256KX32, 12ns, CMOS, PQCC68,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:White Electronic Designs Corporation

厂商官网:http://www.wedc.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
White Electronic Designs Corporation
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
12 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
S-PQCC-J68
JESD-609代码
e0
内存密度
8388608 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
32
端子数量
68
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX32
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QCCJ
封装等效代码
LDCC68,1.0SQ
封装形状
SQUARE
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.02 A
最小待机电流
3.14 V
最大压摆率
0.48 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
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参数对比
与EDI8LM32257V12AC相近的元器件有:EDI8LM32257V15AI、EDI8LM32257V20AI、EDI8LM32257V20AM、EDI8LM32257V15AC、EDI8LM32257V20AC、EDI8LM32257V15AM。描述及对比如下:
型号 EDI8LM32257V12AC EDI8LM32257V15AI EDI8LM32257V20AI EDI8LM32257V20AM EDI8LM32257V15AC EDI8LM32257V20AC EDI8LM32257V15AM
描述 Standard SRAM, 256KX32, 12ns, CMOS, PQCC68, Standard SRAM, 256KX32, 15ns, CMOS, PQCC68, Standard SRAM, 256KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, Standard SRAM, 256KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, Standard SRAM, 256KX32, 15ns, CMOS, PQCC68, Standard SRAM, 256KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, Standard SRAM, 256KX32, 15ns, CMOS, PQCC68,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
最长访问时间 12 ns 15 ns 20 ns 20 ns 15 ns 20 ns 15 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32
端子数量 68 68 68 68 68 68 68
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C -55 °C - - -55 °C
组织 256KX32 256KX32 256KX32 256KX32 256KX32 256KX32 256KX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ
封装等效代码 LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.02 A 0.02 A 0.02 A 0.02 A 0.02 A 0.02 A 0.02 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.48 mA 0.46 mA 0.44 mA 0.44 mA 0.46 mA 0.44 mA 0.46 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
厂商名称 White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation - - White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation
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