型号
- 型号
- 关键词
| 型号 | F4100R12KS4BOSA1 | F4-100R12KS4 |
|---|---|---|
| 描述 | IGBT MODULE VCES 1200V 100A | Darlington Transistors TRANSISTOR ARRAYS |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 130 A | 130 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X26 | R-XUFM-X26 |
| 元件数量 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 26 | 26 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 390 ns | 390 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 190 ns | 190 ns |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
