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GBJ1002

3 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

器件类别：半导体分立半导体

厂商名称：重庆平伟实业

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参数对比

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与GBJ1002相近的元器件有：GBJ1010、GBJ1008、GBJ1006、GBJ1004、GBJ1001、GBJ10005。描述及对比如下：

型号	GBJ1002	GBJ1010	GBJ1008	GBJ1006	GBJ1004	GBJ1001	GBJ10005
描述	3 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	3 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	10 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	3 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	10 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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器件捷径:

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