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GBJ1006

3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:重庆平伟实业

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参数对比
与GBJ1006相近的元器件有:GBJ1010、GBJ1008、GBJ1002、GBJ1004、GBJ1001、GBJ10005。描述及对比如下:
型号 GBJ1006 GBJ1010 GBJ1008 GBJ1002 GBJ1004 GBJ1001 GBJ10005
描述 3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 10 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 10 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
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