GS8322Z18E-225MT,GS8322Z18E-225MT pdf中文资料,GS8322Z18E-225MT引脚图,GS8322Z18E-225MT电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与GS8322Z18E-225MT相近的元器件有：GS8322Z72C-225M、GS8322Z72C-225MT、GS8322Z36E-225M、GS8322Z36E-225MT、GS8322Z18E-225M、GS8322Z18B-225M、GS8322Z18B-225MT、GS8322Z36B-225M、GS8322Z36B-225MT。描述及对比如下：

型号	GS8322Z18E-225MT	GS8322Z72C-225M	GS8322Z72C-225MT	GS8322Z36E-225M	GS8322Z36E-225MT	GS8322Z18E-225M	GS8322Z18B-225M	GS8322Z18B-225MT	GS8322Z36B-225M	GS8322Z36B-225MT
描述	ZBT SRAM, 2MX18, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	ZBT SRAM, 512KX72, 4.4ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-209	ZBT SRAM, 512KX72, 4.4ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-209	ZBT SRAM, 1MX36, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	ZBT SRAM, 1MX36, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	ZBT SRAM, 2MX18, 2.7ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	ZBT SRAM, 2MX18, 2.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119	ZBT SRAM, 2MX18, 2.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119	ZBT SRAM, 1MX36, 2.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119	ZBT SRAM, 1MX36, 2.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	LBGA, BGA209,11X19,40	LBGA, BGA209,11X19,40	15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	BGA, BGA119,7X17,50	14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119	14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119	14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
针数	165	209	209	165	165	165	119	119	119	119
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	unknown	unknown	compliant	compliant	unknown	compliant	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	2.7 ns	4.4 ns	4.4 ns	2.7 ns	2.7 ns	2.7 ns	2.7 ns	2.7 ns	2.7 ns	2.7 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE, IT ALSO OPERATES AT 3V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE, IT ALSO OPERATES AT 3V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE, IT ALSO OPERATES AT 3V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE, IT ALSO OPERATES AT 3V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE, IT ALSO OPERATES AT 3V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE, IT ALSO OPERATES AT 3V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE, IT ALSO OPERATES AT 3V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE, IT ALSO OPERATES AT 3V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE, IT ALSO OPERATES AT 3V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE, IT ALSO OPERATES AT 3V SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)	225 MHz	225 MHz	225 MHz	225 MHz	225 MHz	225 MHz	225 MHz	225 MHz	225 MHz	225 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
长度	17 mm	22 mm	22 mm	17 mm	17 mm	17 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	18	72	72	36	36	18	18	18	36	36
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	209	209	165	165	165	119	119	119	119
字数	2097152 words	524288 words	524288 words	1048576 words	1048576 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	2000000	512000	512000	1000000	1000000	2000000	2000000	2000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	2MX18	512KX72	512KX72	1MX36	1MX36	2MX18	2MX18	2MX18	1MX36	1MX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	BGA209,11X19,40	BGA209,11X19,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.5 mm	1.7 mm	1.7 mm	1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm	1.99 mm	1.99 mm	1.99 mm	1.99 mm
最大待机电流	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A
最小待机电流	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
最大压摆率	0.28 mA	0.39 mA	0.39 mA	0.36 mA	0.36 mA	0.28 mA	0.28 mA	0.28 mA	0.36 mA	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	15 mm	14 mm	14 mm	15 mm	15 mm	15 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	GSI Technology	-	-	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology

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长虹DTMB技术荣获国家科技进步一等奖

日前，在2016年度国家科学技术奖励大会上，绵阳市企业四川长虹电子控股集团有限公司联手清华大学等单位共同参与的“DTMB系统国际化和产业化的关键技术及应用”项目，荣获国家科学技术进步奖一等奖。　　“DTMB系统国际化和产业化的关键技术及应用”项目属广播电视工程技术领域的重大创新，在地面数字电视系统中，对数字电视信号进行信道编解码、调制解调、发射接收等地面传输技术处理，主要解决传输效率与可靠...[详细]
宽腾达携手联发科引领802.11ac

宽腾达世界最快的802.11ac MU-MIMO 4x4桥接器与联发科领先的802.11ac MU-MIMO移动用户端互操作，打造一个真正的多厂商行业生态系统阿姆斯特丹 IBC 2014展，2014年9月11日——超高性能Wi-Fi领导者宽腾达通讯有限公司今天提前在IBC 2014展览揭幕前宣布，其携手Wi-Fi、蓝牙、蜂窝3G/LTE以及HDTV创新芯片组全球市场领导者联发科技合作...[详细]
基于ARM－μClinux的无线家庭网关设计

引言随着网络技术和信息家电的飞速发展，越来越多的家庭要求建立家庭网络。家庭网关是整个家庭网络的核心，它主要实现Internet接入、远程控制，以及连接家庭内部的异构子网的功能。基于PC机方案的家庭网关不仅成本较高，而且要求计算机一直处于开关并可进行通信的状态，还不能在计算机上运行干扰通信任务的软件和硬件。所以，为适应普通用户，家庭网关应设计为基于廉价的非PC机设备。但是，若采用8位、16位单...[详细]
城市 NOA 的「入场券」：激光雷达在风口迎来2024

激光雷达，2023 年「成绩单」发布进行时。 2024 年 1 月 2 日，禾赛科技宣布 2023 年 12 月的交付数据成功突破 5 万大关。六天之后，速腾聚创宣布 2023 年 12 月的激光雷达单月销量约为 72,200 台，成为车载激光雷达行业「首个单月交付突破 7 万台」的激光雷达公司。单月交付从 1 万到 2 万花了 11 个月，而从 2 万到 5 万，再到 7 ...[详细]
安森美将携全面的智能图像感知方案亮相Vision China 2019

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ON )，将于3月20日至22日在上海举行的中国国际机器视觉展(Vision China)演示各种智能图像感知方案，展品包括 X-Class图像传感器平台、 KAI-50140 interline transfer CCD图像传感器、采用近红外(NIR+)技术的 AR0522 CMOS图像传感器，和 A...[详细]
工业污水的动态处理技术

1 概述伴随着工业的飞速发展，工厂产生的污水亦多，净化污水、保护环境已成为大家的共识，因此，如何提高工业污水的处理速度以适应工业的快速发展已成为当今社会各界普遍关注的重要课题。本文重点介绍工业污水的动态处理法思想，并阐述模糊控制技术和PLC(可编程控制器)技术在新工艺实现中的实现方法和控制原理。实践表明该系统工作可靠，自动化程度高。 2 基本思想工业污水动态处理法的动态基本思...[详细]
基于SPCE061A单片机的便携式多功能实时生理参数监测仪

　　前言　　本文利用凌阳单片机设计了便携式多功能实时生理参数监测仪，具有播放MP3的功能，可达到提高身体锻炼质量的效果。系统硬件设计　　系统以单片机为核心，配置了各种集成传感器，体积小巧。由于采用了微型封装的芯片及元器件，使连线变短，减少了通信接口，从而提高了整机工作的可靠性。系统硬件结构如图1所示。　　SPCE061A单片机　　SPCE061A单片机内部集成了ADC、 DAC、...[详细]
瑞萨副总裁谈转型：数据中心、5G和边缘计算

瑞萨电子（Renesas Electronics）在如今困难的市场大环境中，正在进行着公司合并后的转型和整理。IIBU（物联网和基础设施业务部门）对此做出了决定性的贡献。 Markt&Technik采访了瑞萨电子现任IIBU执行副总裁兼总经理、前IDT全球运营副总裁兼CTO的Sailesh Chittipeddi博士。瑞萨电子现任IIBU执行副总裁兼总经理Sailesh Chitti...[详细]
苹果iTV或延迟面世：业内称非简单饥渴营销

尽管苹果电视机iTV目前仍只是一个谜，但人们对它上市的猜想却从未停止。　　据媒体报道，投资银行Jefferies分析师彼得·米塞克(PeterMisek)日前发布投资者报告称，苹果电视机iTV可能将被推迟至2014年发布。　　对此，群智咨询研究总监李亚琴在接受《每日经济新闻》记者采访时表示，对苹果而言，此事应该是个难题，因为智能电视已经不是新应用，无法像其当初推智能手机一样，除非iTV...[详细]
使用差分放大器驱动模数转换器

高速差分放大器让包含高速模数转换器(ADC)的信号链设计更加灵活。差分运放能提供包括增益，阻抗变换和单端到差分转换等的信号调理功能。 ADC一般是固定增益的器件，当输入信号幅值小于满量程的输入范围的时候性能最好。对幅值不足一个最低有效位LSB的信号进行量化时会引入失真。同样对幅值超过满量程的信号也会引入失真。很多ADC会被轻微的过驱动损坏。CLC5526是一个可变增益的差分放大器，当驱动高速AD...[详细]
常用车载距离探测技术及装甲车辆防撞预警系统设计

近年来，装甲车辆在日常训练过程中，恶性事故时有发生，给部队的人员生命及装备安全带来极大的损失。装甲车辆在行驶中通常采用闭仓驾驶，驾驶员视线受到影响，而部队训练又经常在丘陵地域，路况十分不好，特别是北方部队，训练时经常伴有大量的灰尘，这就大大增加了车辆事故的发生概率。造成装甲车辆碰撞的原因十分复杂，既有装甲车辆自身的因素，也有人为的因素，还有道路、气象等环境因素，总而言之，人、车、环境是影响车辆行...[详细]
引用-IAR包含文件的路径定义

1) 在定义包含文件路径的文本框中，定义包含文件的路径有两种很重要的语法，一是$TOOLKIT_DIR$，这个语法表示包含文件的路径在IAR 安装路径的8051 文件夹下，也就是说如果IAR 安装在C 盘中，哪么它就表示C:Program FilesIAR SystemsEmbedded Workbench 4.05 Evaluation version8051 这个路径。二是$PR...[详细]
光伏行业如何厚积薄发？能源互联网是未来的方向吗？

中国储能网讯：新能源产业一直需要新的话题吸引全社会的关注，随着家庭光伏安装量剧增，新能源产业正在等待与下一个热点相结合，能源互联网正走入光伏、风电人的视野。9月24日，能源“思享汇”现场，一场主题为“厚积薄发，互联网+智慧能源”的巅峰对话，引发了十余位新能源企业高管对于“积累”和“互联网+”的热烈探讨。 “光伏行业厚积薄发，厚在什么地方？怎么薄发的？”国合洲际能源咨询...[详细]
CC－Link在天线开闭所控制中的应用

1 引言天线开闭所是低频发信系统的一个重要组成部分，它起着大功率发信机和天线之间的桥梁作用。在天线开闭所中通过交流电机控制一系列隔离开关的闭合、断开可以实现无线电信号经不同方向的天线辐射出去以及天线接地等功能。所以及时准确的实现开闭所多部电机的监控是开闭所控制的关键。目前大多数开闭所与大功率发信机之间的距离都比较远，而且现场设备和电缆都处在强电磁干扰环境中，传统的控制方法易导致现场配线...[详细]
关于ARM处理器中“8位位图”的理解分析

在ARM处理器的汇编语言中，对指令语法格式中的 shifter_operand 的常数表达式有这样的规定：“该常数必须对应8位位图，即常数是由一个8位的常数循环移位偶数位得到的。” 首先从ARM指令系统的语法格式说起。一条ARM指令语法格式分为如下几个部分： opcode { cond }{S} Rd , Rn {, shifter_operand } 其中，内的项是必须的，{}内的项是可...[详细]