HD68450-6,HD68450-6 pdf中文资料,HD68450-6引脚图,HD68450-6电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与HD68450-6相近的元器件有：HD68450、HD68450-4、HD68450-8、HD68450Y-8、HD68450Y-6、HD68450Y-4、HD68450-10、HD68450Y-10。描述及对比如下：

型号	HD68450-6	HD68450	HD68450-4	HD68450-8	HD68450Y-8	HD68450Y-6	HD68450Y-4	HD68450-10	HD68450Y-10
描述	Direct Memory Access Controller(NMOS)	Direct Memory Access Controller(NMOS)	Direct Memory Access Controller(NMOS)	Direct Memory Access Controller(NMOS)	Direct Memory Access Controller(NMOS)	Direct Memory Access Controller(NMOS)	Direct Memory Access Controller(NMOS)	Direct Memory Access Controller(NMOS)	Direct Memory Access Controller(NMOS)
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIP	-	DIP	DIP	PGA	PGA	PGA	DIP	PGA
包装说明	DIP, DIP64,.9	-	DIP, DIP64,.9	DIP, DIP64,.9	PGA, PGA68,10X10	PGA, PGA68,10X10	PGA, PGA68,10X10	DIP, DIP64,.9	PGA, PGA68,10X10
针数	64	-	64	64	68	68	68	64	68
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknown	unknow
其他特性	CY STEAL, BURST, MAX/LTD SPEED AUTO REQ TRANSFER MODES; FIXED & ROTATIONAL PRIORITY INTRPT MODES	-	CY STEAL, BURST, MAX/LTD SPEED AUTO REQ TRANSFER MODES; FIXED & ROTATIONAL PRIORITY INTRPT MODES	CY STEAL, BURST, MAX/LTD SPEED AUTO REQ TRANSFER MODES; FIXED & ROTATIONAL PRIORITY INTRPT MODES	CY STEAL, BURST, MAX/LTD SPEED AUTO REQ TRANSFER MODES; FIXED & ROTATIONAL PRIORITY INTRPT MODES	CY STEAL, BURST, MAX/LTD SPEED AUTO REQ TRANSFER MODES; FIXED & ROTATIONAL PRIORITY INTRPT MODES	CY STEAL, BURST, MAX/LTD SPEED AUTO REQ TRANSFER MODES; FIXED & ROTATIONAL PRIORITY INTRPT MODES	CY STEAL, BURST, MAX/LTD SPEED AUTO REQ TRANSFER MODES; FIXED & ROTATIONAL PRIORITY INTRPT MODES	CY STEAL, BURST, MAX/LTD SPEED AUTO REQ TRANSFER MODES; FIXED & ROTATIONAL PRIORITY INTRPT MODES
地址总线宽度	24	-	24	24	24	24	24	24	24
总线兼容性	68000	-	68000	68000	68000	68000	68000	68000	68000
最大时钟频率	6 MHz	-	4 MHz	8 MHz	8 MHz	6 MHz	4 MHz	10 MHz	10 MHz
外部数据总线宽度	16	-	16	16	16	16	16	16	16
JESD-30 代码	R-CDIP-T64	-	R-CDIP-T64	R-CDIP-T64	S-CPGA-P68	S-CPGA-P68	S-CPGA-P68	R-CDIP-T64	S-CPGA-P68
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	81.28 mm	-	81.28 mm	81.28 mm	26.42 mm	26.42 mm	26.42 mm	81.28 mm	26.42 mm
DMA 通道数量	4	-	4	4	4	4	4	4	4
端子数量	64	-	64	64	68	68	68	64	68
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	-	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	-	DIP	DIP	PGA	PGA	PGA	DIP	PGA
封装等效代码	DIP64,.9	-	DIP64,.9	DIP64,.9	PGA68,10X10	PGA68,10X10	PGA68,10X10	DIP64,.9	PGA68,10X10
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE
封装形式	IN-LINE	-	IN-LINE	IN-LINE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	IN-LINE	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	-	5.08 mm	5.08 mm	5.1 mm	5.1 mm	5.1 mm	5.08 mm	5.1 mm
最大压摆率	400 mA	-	400 mA	400 mA	400 mA	400 mA	400 mA	-	-
最大供电电压	5.25 V	-	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压	4.75 V	-	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	NMOS	-	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	THROUGH-HOLE	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm	-	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	DUAL	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	22.86 mm	-	22.86 mm	22.86 mm	26.42 mm	26.42 mm	26.42 mm	22.86 mm	26.42 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型	DMA CONTROLLER	-	DMA CONTROLLER	DMA CONTROLLER	DMA CONTROLLER	DMA CONTROLLER	DMA CONTROLLER	DMA CONTROLLER	DMA CONTROLLER

购买电源被圆通速递坑的全过程: 由于平时修理电器需要常用的维修电源，自己做了一台外壳太大，干脆购买一台吧这不从网络上选中浙江一家...; nhsl 淘e淘

wince4.2 下程序的如何调试: evc4.0的编译的debug是不是没有加堆栈的安全检测，最近在调试时报错老是不能定位到程序的出错函...; 鬼c^舞 WindowsCE

有谁能帮忙分析下这个DC-DC变压器的参数么？: 有谁能帮忙分析下这个变压器的参数么？负载各路功耗100mA。有谁能帮忙分析下这个DC-DC变压器的...; zbjshower 电源技术

谁帮帮我，这个错误是什么意思？: 版本是IAR 3.1A 连接时产生的错误 Error : Undefined external ?...; ftshlong 微控制器 MCU

ICD2.5 版原理图: 给大家一个ICD2.5版本的最新原理图。可以自制一个来玩一下。 ICD2.5 版原理图谢谢夏工!!...; oceanxia 单片机

wince 5中 dialog－based的APP 怎样实现窗口最小化？: wince control panel中的那些 applet都是 dialog based的app，...; iorihu WindowsCE

细数：英特尔IDF2015上的那些黑科技

穿梭在现实于虚拟之间，萌大叔刷脸解锁，听话的蜘蛛人，会写字的无人机，电子音乐与声波的奇妙表演……一整场的黑科技，让人目不暇接，在场的观众也无不兴奋。这就是今年英特尔IDF主题演讲中的Keynote环节，把英叔的极客本质体现的淋漓尽致，下面就跟着小编一起细数，看看有哪些已经实现了的未来生活吧：不一样的开场秀开场是一场炫技的电子音乐秀。这里的炫技不仅是表演者...[详细]
三星Note8真机谍照首次曝光确认将有256GB皇帝版

腾讯数码讯（水蓝）此前三星GALAXY Note 8规格参数和渲染图已经陆续曝光，而现在这款新机的真机谍照有终于浮出水面。根据国外网站MEDT独家放出了一组真机照片显示，三星GALAXY Note 8正面仍是全视曲面屏的造型，但看起来整机变得更快和更修长一些，背面则首次采用了平行双摄像头设计，同时在规格方面不仅会是6GB内存起步，而且韩国版本还会有256GB容量的“皇帝版”，将于9月15日正式开...[详细]
8位LED循环闪烁+ 外部中断控制LED闪烁

代码 #include reg51.h #define uint unsigned int #define uchar unsigned char #define ulint unsigned long int sbit led=P0^0; char time=0; void delay(uint x) { uint i; for(i=0;i x;i++) ; } v...[详细]
基于串行通信的车载信息采集系统的设计

　　1引言　　串行通信作为一种重要的通信技术已经在PC机通信及工业现场控制在线检测等领域得到了广泛的应用。本文所设计的车载信息采集系统是包含数据采集，数据传输和数据显示的结构系统，是对一款新型电动汽车的车载信息进行采集，传送和显示的设计过程：车载信息通过传感器（模拟量形式）或开关量形式被采到从单片机，主单片机和从单片机之间通过串行通信进行数据传输，并由主机将数据送往液晶面板显示出来。　　2总...[详细]
GaN Systems首次于中国亮相市场上电流能力最高的器件60A GaN

新款 GS66516T 650V 增强型功率开关采用上层冷却、低电感 GaNPX 封装和超低 FOM Island Technology ，是高频率和高效功率转换的完美选择安大略省、渥太华 2015 年 6 月 24 日氮化镓功率开关半导体领先开发商 GaN Systems Inc. 携其知名的增强型氮化镓（在硅上）高功率晶体管系列新款产品亮相上海 PCIM Asia （展...[详细]
华为P40 Pro为何未用120Hz屏？

今（8）日晚，华为举行了中国区春季新品线上发布会，正式发布了国行版华为P40系列手机。华为消费者业务CEO余承东回应了华为P40 Pro为什么没有使用刷新率为120Hz的屏幕，他表示：华为P40 Pro自然也可以用上120Hz屏幕，但是考虑到手机功耗等方面最终使用了90Hz屏幕且经过优化后已经十分流畅。 ...[详细]
前中国员工窃密ASML损失数亿美元？

据荷兰报刊《Financieele Dagblad》（FD）报道，中国员工从荷兰半导体设备制造商ASML窃取了企业机密，造成了数亿美元损失。报道指出，经调查发现，ASML美国子公司研发部门的高级中国员工窃取相关技术，并泄露给了一家中国企业。报道中甚至还表示，ASML是中国企业窃取知识产权的受害者。对于这一消息，11日晚间，ASML正式发表声明表示，这一说法并不正确，ASM...[详细]
PIC单片机的读/修改/写问题及其解决之道

　　何谓读-修改-写，导致的问题及其解决之道: 　　只要PICmicro的命令，所处理的FILE (暂存器，内存，和I/O的统称)，其最终的值，和命令处理前的值有关，那么，这种命令便是所谓的读-修改-写命令。因为这类命令的操作，可以再细分为三个小步骤，即是读(READ)，修改(MODIFY)，接著才是写(WRITE)。　　如：ADDWF，DECF，IORWF，XORWF，BSF，BCF，‥...[详细]
Zenzic发布全球首个自动驾驶发展路图

据外媒报道，Zenzic发布了世界上第一个自动驾驶发展路图——2030年英国互联与自动驾驶移动路图（UK Connected and Automated Mobility Roadmap to 2030）。该路图明确显示了到2030年，在道路上部署大量自动驾驶汽车所需的连接、跨部门相互依赖与协作。 Zenzic是一个由政府和行业共同建立的国家平台，其目的是协调英国测试和开发联网和自动驾驶汽车...[详细]
4S店实地走访：你以为电动车真的不用保养？

爱美之心，人皆有之～在原始社会，每当有祭祀活动的时候，部落人就会把动物的油脂涂抹在脸上，使自己的皮肤变得光滑水润。这应该算是护肤品的雏形了。在经过600多年的发展之后，护肤品已经成为女士包包里必备的一件东西，毕竟娇嫩的肌肤不好好保养咋行？说到保养，难道男士就注定要败给她们吗？！不，男士也需要保养，无论是脸还是自己的爱车～正所谓车如老婆，...[详细]
工作在降压模式的升压变换器驱动白光LED方案

　　如图所示电路提供了一种驱动大功率白光LED的解决方案，即利用工作在“降压”模式的标准升压变换器驱动白光LED．这种解决方案的效率高达96％，与效率只有85％的标准方案相比，它具有很多实际优点。　　图 ZXSC310的典型应用电路　　当MOSFET（VT1）导通时，电流从输入流过白光LED、并联滤波电容器（C2）、电感（L1）、VT1及检测电阻（R1），其电流值由检测电阻值和ZXSC...[详细]
国网湖北电力：按照特级保电要求，确保重要用户可靠供电

人民网武汉2月6日电专业运维、专人值守，国网湖北电力全面落实地方党委政府要求，全力确保重要用户可靠供电。截至 2月5日，该公司已全面完成包括雷神山、火神山在内的95家医院等重要用户电力配套设施新（改、扩）建工程，其余4个项目正在紧急施工（孝感1个，黄冈1个，鄂州2个）。据了解，国网湖北电力全面落实全省重要用户电力配套设施新建改造，按政府最新疫情防控要求，湖北省重要用户配套应急供电工程已...[详细]
发布仅仅4个月，realme Pad官方停止更新

据9To5Google报道，realme官方今日正式确认，四个月前发布的realme Pad不会再有Android 12更新。在本周发布的常见问题解答中，realme确认realme Pad不会获得Android 12的大版本更新，只会有常规的安全更新和性能更新，该机于去年9月正式发布，搭载Android 11系统，其生命周期仅有短短四个月。与之形成鲜明对比的是近似价位的诺基亚T20，其...[详细]
分析师：LG集团或成苹果汽车项目好伙伴前者可提供汽车零部件

北京时间12月26日早间消息，据报道，KB证券公司的一位分析师上周五在一份说明中对其客户表示，韩国LG集团的业务涵盖了消费电子公司和电动汽车电池制造，这将让其成为苹果公司的良好合作伙伴，当前这家美国科技巨头正在努力制造自己的智能汽车。　　金东元(Kim Dong-won)在报告中写道：“如果苹果计划在2026年开始销售新车，那么他们应该在明年开始打造自己的电动车供应链。”他还提到了本月早些时...[详细]
磁畴实现由“硬”变“软”，垂直性磁记录获突破性进展

借助伦敦大学学院(UCL)最新一项发明，工程师们现在可将垂直性磁记录从硬(永久性)变软(可擦除)。利用一种具有很强各向异性的设计材料，研究人员演示了如何利用纵向磁场来调节畴壁强度，从而将磁畴从永久性转换为可擦除。 “我们将磁体从硬转变软的想法，包括将一个小磁场垂直施加于首选的磁化方向。”UCL伦敦纳米技术中心总监Gabriel Aeppli表示，“该磁场可被用来调节畴壁钉扎(domain wa...[详细]