HM62W16255HLTT-15,HM62W16255HLTT-15 pdf中文资料,HM62W16255HLTT-15引脚图,HM62W16255HLTT-15电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与HM62W16255HLTT-15相近的元器件有：HM62W16255H、HM62W16255HLJP-15、HM62W16255HTT-12、HM62W16255HTT-15、HM62W16255HLTT-12、HM62W16255HJP-15、HM62W16255HJP-12、HM62W16255HLJP-12。描述及对比如下：

型号	HM62W16255HLTT-15	HM62W16255H	HM62W16255HLJP-15	HM62W16255HTT-12	HM62W16255HTT-15	HM62W16255HLTT-12	HM62W16255HJP-15	HM62W16255HJP-12	HM62W16255HLJP-12
描述	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	TSOP2	-	SOJ	TSOP2	TSOP2	TSOP2	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32	-	SOJ, SOJ44,.44	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	SOJ, SOJ44,.44	SOJ,	SOJ,
针数	44	-	44	44	44	44	44	44	44
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	-	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	15 ns	-	15 ns	12 ns	15 ns	12 ns	15 ns	12 ns	12 ns
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	-	R-PDSO-J44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-J44	R-PDSO-J44	R-PDSO-J44
长度	18.41 mm	-	28.33 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	28.33 mm	28.33 mm	28.33 mm
内存密度	4194304 bi	-	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM	-	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	16	-	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	-	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	44	-	44	44	44	44	44	44	44
字数	262144 words	-	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	-	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX16	-	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	-	SOJ	TSOP2	TSOP2	TSOP2	SOJ	SOJ	SOJ
封装等效代码	TSOP44,.46,32	-	SOJ44,.44	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	SOJ44,.44	SOJ44,.44	SOJ44,.44
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	-	3.76 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm
最大待机电流	0.0003 A	-	0.0003 A	0.005 A	0.005 A	0.0003 A	0.005 A	0.005 A	0.0003 A
最小待机电流	2 V	-	2 V	3 V	3 V	2 V	3 V	3 V	2 V
最大压摆率	0.16 mA	-	0.16 mA	0.18 mA	0.16 mA	0.18 mA	0.16 mA	0.18 mA	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	-	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	-	J BEND	GULL WING	GULL WING	GULL WING	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	0.8 mm	-	1.27 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	-	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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串行NAND在汽车电子领域的应用

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iPhone X迎来最大好消息：面部识别关键芯片开始发货

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新能源汽车再获补贴将拉动钕铁硼需求量

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总投资10亿，上海临港新片区“智芯谷”正式开工

3月18日，上海临港新片区重大项目闵行开发区临港园区三期标准厂房（智芯谷）项目正式开工建设。该项目用地面积12万平方米，建筑面积13万平方米，计划投资10亿元建设6栋单层厂房、3栋双层厂房、3栋高层研发中试厂房、1栋商业配套楼等多种物业形态，可满足企业研发、办公、中试、生产等各方面要求。根据施工进度安排，6栋单层厂房预计年内完工，双层厂房及高层研发中试厂房预计2021年12月完工。据悉，...[详细]
软银孙正义如何成为美国硅谷最有权势之人？

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装备材料基金入股华卓精科万业企业布局了光刻机双工台

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英特尔机顶盒或将成全球首款4K内容设备

据《连线》杂志网络版报道，英特尔周三宣布，旗下第四代Haswell处理器将支持4K分辨率。分析人士指出，如果英特尔将Haswell处理器技术与即将发布的电视机顶盒相结合，将有望发布全球首款真正的4K内容设备。　　Haswell处理器支持4K分辨率，对于PC行业是一个重大的好消息。而如果英特尔能将该技术融合至即将发布的机顶盒，那将会是更好的消息。凭借Iris图形技术和即将发布的机顶盒，英特...[详细]
传中电信下发4G需求书手机兼容FDD-LTE

今天，有传闻称12月26、27或者28日中国将发放4G牌照。中移动集团内部迎接4G空气紧张。今晚，传出中电信终端正在发力4G手机，向终端厂商下发4G“需求书”，除了要求手机兼容其传统的CDMA制式外，肯定兼容FDD-LTE。电信下发4G终端“需求书” 业内人士透露，近日，一些手机厂商已接到中电信相关部门通知，告知中电信对4G终端的想法，中电信对4G终端主推手机、上网卡、MIFI、CPE等...[详细]
美国宇航局要把人形机器人送上天？

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红外与蓝牙技术的比较

　　红外与蓝牙技术的比较　　——近年来，随着各种短距离无线通信技术的发展，学术界提出了一个新的概念，个人局域网（Personal Area Network，PAN）。　　——PAN的核心思想是，用无线电或红外线代替传统的有线电缆，实现个人信息终端的智能化互联，组建个人化的信息网络。从计算机网络的角度来看，PAN是一个局域网；从电信网络的角度来看，PAN是一个接入网，因此有人把PAN称为...[详细]