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HUF75545S3_NL

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262AA, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Fairchild

厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
TO-262AA
包装说明
TO-262AA, 3 PIN
针数
3
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75 A
最大漏极电流 (ID)
75 A
最大漏源导通电阻
0.01 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-262AA
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
270 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与HUF75545S3_NL相近的元器件有:HUF75545P3_NL、HUF75545S3ST_NL。描述及对比如下:
型号 HUF75545S3_NL HUF75545P3_NL HUF75545S3ST_NL
描述 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-262AA TO-220AB D2PAK
包装说明 TO-262AA, 3 PIN TO-220AB, 3 PIN TO-263AB, 3 PIN
针数 3 3 4
Reach Compliance Code not_compliant compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 80 V 80 V 80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 75 A 75 A 75 A
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.01 Ω 0.01 Ω 0.01 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 270 W 270 W 270 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 -
是否无铅 - 不含铅 不含铅
热门器件
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器件捷径:
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