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HYB25D256400CE-5

DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66

器件类别:存储    存储   

厂商名称:QIMONDA

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSSOP, TSSOP66,.46
针数
66
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.5 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
200 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
2,4,8
JESD-30 代码
R-PDSO-G66
JESD-609代码
e3
长度
22.22 mm
内存密度
268435456 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
66
字数
67108864 words
字数代码
64000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
64MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSSOP
封装等效代码
TSSOP66,.46
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
2.6 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
2,4,8
最大待机电流
0.005 A
最大压摆率
0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)
2.7 V
最小供电电压 (Vsup)
2.5 V
标称供电电压 (Vsup)
2.6 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.65 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与HYB25D256400CE-5相近的元器件有:HYB25D256160CF-5、HYB25D256400CT-7、HYB25D256800CC-6、HYB25D256800CF-5、HYB25D256800CT-5、HYB25D256400CC-5。描述及对比如下:
型号 HYB25D256400CE-5 HYB25D256160CF-5 HYB25D256400CT-7 HYB25D256800CC-6 HYB25D256800CF-5 HYB25D256800CT-5 HYB25D256400CC-5
描述 DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, PLASTIC, TFBGA-60 DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, PLASTIC, TFBGA-60
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合 符合 不符合 不符合
零件包装代码 TSOP2 BGA TSOP2 BGA BGA TSOP2 BGA
包装说明 TSSOP, TSSOP66,.46 TBGA, BGA60,8X12,40/32 TSSOP, TSSOP66,.46 TBGA, BGA60,9X12,40/32 TBGA, BGA60,9X12,40/32 TSSOP, TSSOP66,.46 TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数 66 60 66 60 60 66 60
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.5 ns 0.5 ns 0.75 ns 0.7 ns 0.5 ns 0.5 ns 0.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 200 MHz 200 MHz 133 MHz 166 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G66 R-PBGA-B60 R-PDSO-G66 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PDSO-G66 R-PBGA-B60
长度 22.22 mm 12 mm 22.22 mm 12 mm 12 mm 22.22 mm 12 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 4 16 4 8 8 8 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 66 60 66 60 60 66 60
字数 67108864 words 16777216 words 67108864 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 67108864 words
字数代码 64000000 16000000 64000000 32000000 32000000 32000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64MX4 16MX16 64MX4 32MX8 32MX8 32MX8 64MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP TBGA TSSOP TBGA TBGA TSSOP TBGA
封装等效代码 TSSOP66,.46 BGA60,8X12,40/32 TSSOP66,.46 BGA60,9X12,40/32 BGA60,9X12,40/32 TSSOP66,.46 BGA60,9X12,40/32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 245 260
电源 2.6 V 2.6 V 2.5 V 2.5 V 2.6 V 2.6 V 2.6 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
最大待机电流 0.005 A 0.005 A 0.004 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A
最大压摆率 0.25 mA 0.25 mA 0.17 mA 0.215 mA 0.25 mA 0.25 mA 0.25 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.3 V 2.3 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 2.6 V 2.6 V 2.5 V 2.5 V 2.6 V 2.6 V 2.6 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING BALL GULL WING BALL BALL GULL WING BALL
端子节距 0.65 mm 1 mm 0.65 mm 1 mm 1 mm 0.65 mm 1 mm
端子位置 DUAL BOTTOM DUAL BOTTOM BOTTOM DUAL BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 40 20 40
宽度 10.16 mm 8 mm 10.16 mm 8 mm 8 mm 10.16 mm 8 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
JESD-609代码 e3 - e0 e0 - e0 e0
端子面层 Matte Tin (Sn) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
湿度敏感等级 - 3 1 3 3 1 3
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