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HYB25M288180C-745

Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Infineon(英飞凌)
零件包装代码
BGA
包装说明
TBGA, BGA66,10X13,32
针数
62
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
访问模式
BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间
45 ns
其他特性
SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
711 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PBGA-B62
JESD-609代码
e0
长度
11 mm
内存密度
301989888 bit
内存集成电路类型
RAMBUS DRAM
内存宽度
18
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
62
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
SYNCHRONOUS
组织
16MX18
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TBGA
封装等效代码
BGA66,10X13,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
1.8/2.5,2.5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.05 mm
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
2.63 V
最小供电电压 (Vsup)
2.37 V
标称供电电压 (Vsup)
2.5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
10.5 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与HYB25M288180C-745相近的元器件有:HYB25R288180C-745、HYB25M288180C-653、HYB25R288180C-653、HYB25R288180C-840、HYB25R288180C-845、HYB25M288180C-845、HYB25M288180C-840。描述及对比如下:
型号 HYB25M288180C-745 HYB25R288180C-745 HYB25M288180C-653 HYB25R288180C-653 HYB25R288180C-840 HYB25R288180C-845 HYB25M288180C-845 HYB25M288180C-840
描述 Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62 Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62 Rambus DRAM, 16MX18, 53ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62 Rambus DRAM, 16MX18, 53ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62 Rambus DRAM, 16MX18, 40ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62 Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62 Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62 Rambus DRAM, 16MX18, 40ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TBGA, BGA66,10X13,32 TBGA, BGA66,10X13,32 TBGA, BGA66,10X13,32 FBGA-62 FBGA-62 FBGA-62 FBGA-62 FBGA-62
针数 62 62 62 62 62 62 62 62
Reach Compliance Code unknown unknown unknown not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间 45 ns 45 ns 53 ns 53 ns 40 ns 45 ns 45 ns 40 ns
其他特性 SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 711 MHz 711 MHz 600 MHz 600 MHz 800 MHz 800 MHz 800 MHz 800 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62 R-PBGA-B62
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm
内存密度 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit
内存集成电路类型 RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM
内存宽度 18 18 18 18 18 18 18 18
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 62 62 62 62 62 62 62 62
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 16MX18 16MX18 16MX18 16MX18 16MX18 16MX18 16MX18 16MX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA
封装等效代码 BGA66,10X13,32 BGA66,10X13,32 BGA66,10X13,32 BGA66,10X13,32 BGA66,10X13,32 BGA66,10X13,32 BGA66,10X13,32 BGA66,10X13,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.05 mm 1.05 mm 1.05 mm 1.05 mm 1.05 mm 1.05 mm 1.05 mm 1.05 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.5 mm 10.5 mm 10.5 mm 10.5 mm 10.5 mm 10.5 mm 10.5 mm 10.5 mm
厂商名称 Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
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