HYB25M288180C-845,HYB25M288180C-845 pdf中文资料,HYB25M288180C-845引脚图,HYB25M288180C-845电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与HYB25M288180C-845相近的元器件有：HYB25M288180C-745、HYB25R288180C-745、HYB25M288180C-653、HYB25R288180C-653、HYB25R288180C-840、HYB25R288180C-845、HYB25M288180C-840。描述及对比如下：

型号	HYB25M288180C-845	HYB25M288180C-745	HYB25R288180C-745	HYB25M288180C-653	HYB25R288180C-653	HYB25R288180C-840	HYB25R288180C-845	HYB25M288180C-840
描述	Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 53ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 53ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 40ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, 40ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	FBGA-62	TBGA, BGA66,10X13,32	TBGA, BGA66,10X13,32	TBGA, BGA66,10X13,32	FBGA-62	FBGA-62	FBGA-62	FBGA-62
针数	62	62	62	62	62	62	62	62
Reach Compliance Code	not_compliant	unknown	unknown	unknown	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	45 ns	45 ns	45 ns	53 ns	53 ns	40 ns	45 ns	40 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	800 MHz	711 MHz	711 MHz	600 MHz	600 MHz	800 MHz	800 MHz	800 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62	R-PBGA-B62
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm
内存密度	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	62	62	62	62	62	62	62	62
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA
封装等效代码	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32	BGA66,10X13,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)

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车载机器视觉技术保障您的行路安全

　　引言　　随着我国道路交通事业发展迅猛，汽车保有量已超过1.5亿辆，并且保持继续增长的趋势。道路交通运输的蓬勃发展为我国的运输事业提供了强有力的支撑，但同时也带来了巨大的交通安全隐患。道路交通事故已成为各种事故之首，是建立交通运输安全可持续发展的交通体系的重大阻碍。因此，通过技术手段建立道路交通安全保障系统以减少交通事故是是当务之急。本文在剖析驾驶过程中驾驶员视觉功能的基础上，对基于...[详细]
达芬奇架构最强芯，华为Ascend 910 AI处理器即将问市

据华为官网消息，华为将于8月23日在在深圳举办Ascend 910 AI处理器和MindSpore开源计算框架发布会。华为表示，将在明日的发布会上推出业界迄今为止性能最快的AI处理器及全场景的AI计算框架。华为官方也公布，此次发布会将由华为轮值董事长徐直军发布Ascend 910 AI处理器和MindSpore计算框架。华为轮值董事长徐直军、首席战略架构师党文栓、芯片和硬件战略Fellow...[详细]
Mobileye再次成功上市

继英特尔推动其首次公开募股后，Mobileye现已在纳斯达克成功上市，股票代码为“MBLY” Mobileye 首席执行官Amnon Shashua 教授与员工敲响纳斯达克开市钟，庆祝Mobileye 重返美国股市，交易代码为“MBLY”. Credit: Photography courtesy of Nasdaq, Inc. Mobileye今日开始在纳斯达克股票交易市场挂牌上市...[详细]
英特尔公布与谷歌自动驾驶合作：09年开始供应芯片

凤凰科技讯据路透社北京时间9月19日报道，英特尔公司在周一公布了与谷歌母公司Alphabet旗下Waymo自动驾驶部门的一项合作。英特尔称，在Waymo计算平台设计期间，公司就已经在与Waymo合作，旨在让自动驾驶汽车能够实时处理信息。英特尔称，公司为传感器处理、通用计算和连通性开发的技术已被用于克莱斯勒Pacifica hybrid多用途汽车中。自2015年以来，Waymo一直在使用Pac...[详细]
什么是编码器什么叫编码器编码器什么意思

什么是编码器什么叫编码器编码器什么意思第一种含义：编码器是把角位移或直线位移转换成电信号的一种装置。前者成为码盘，后者称码尺．按照读出方式编码器可以分为接触式和非接触式两种．接触式采用电刷输出，一电刷接触导电区或绝缘区来表示代码的状态是“１”还是“０”；非接触式的接受敏感元件是光敏元件或磁敏元件，采用光敏元件时以透光区和不透光区来表示代码的状态是“１”还是“０”。按照工作原理编码...[详细]
英特尔发力自动驾驶，宣布多项与上海合作项目

不让NVIDIA专美于前，英特尔 (Intel)执行长Brian Krzanich于CES开幕演说中除阐述数据如何颠覆人们周遭的世界并带动新一波技术创新，包括自动驾驶、人工智能(AI)、虚拟实境、以及其他类型的沉浸式媒体外，亦发布英特尔在自动驾驶领域最新深耕成果，以及与法拉利(Ferrari)北美合作结盟，运用英特尔AI技术处理从赛道搜集到的数据，提供赛车迷与驾驶更好的体验。 Bri...[详细]
STM32WB55_NUCLEO开发（4）----手机与STM32WB通过密钥配对

概述本篇文章主要介绍如何使用STM32CubeMX对生成STM32WB工程，并通过手机APP与其配对。硬件准备首先需要准备一个开发板，这里我准备的是NUCLEO-WB55RG 的开发板：源码下载 https://download.csdn.net/download/qq_24312945/85049930 设置配对方法参考文档： https://www.st.com/reso...[详细]
中国智能电网路径：三“化”三“统一”

灵活、互动的电力市场是智能电网发展的最终体现。虽然目前三网融合的动静很大，但是，不能小看相对专有和封闭的电网系统，它的覆盖面，不亚于任何一家电信和广电运营商。　　目前，智能电网建设已成为国家经济和能源政策的重要组成部分。中国电力行业面临的挑战是：输电网安全运行风险严峻、配电网供电可靠性亟待提高、可再生能源的影响日趋显著、电网抗攻击能力需要增强，以及电力企业经营管理压力加大。要建成成...[详细]
高通发布新款超声波屏下指纹传感器：解锁手机提速 50%

高通公司正式发布了其最新版本的超声波屏下指纹传感器，名为 3D Sonic Sensor Gen 2。根据高通公司的说法，新的 3D Sonic Sensor Gen 2 的尺寸为 8mm x 8mm，而第一代型号的面积为 4mm x 9mm，这意味着面积增加了 77%。在使用上，更大的接触面积意味着更容易准确地将手指放在传感器上。它还允许传感器在每次扫描时收集更多数据。当更大的传感...[详细]
联发科38亿美元收购晨星蔡明介称无永远的敌人

北京时间6月23日消息，联发科与晨星宣布合并，联发科将分两阶段收购晨星股票，第一阶段收购48%股权，第二阶段则预计100%收购完毕，总金额预计花费1150亿台币（244亿元人民币，38亿美元），以去年资料来看，合并晨星后，联发科规模将达41.89亿美元，可望超越NVIDIA成为全球第四大IC设计厂，仅次高通、博通与AMD三家。　　联发科宣布买晨星，市场都相当好奇联发科买下晨星后的效益何在，市场又...[详细]
2018年LG预计供应苹果1500万块6.5英寸有机屏 LG股价出现大幅上

之前，三星显示器的有机屏出现供货不足，三星寻求LG帮忙提供。据报道，今年LG预计给苹果供应1500万块OLED屏，受到有关给苹果供货消息的刺激，LG的有机屏量产技术在逐步改善之中，同时LG股价出现了大幅上涨。 2018年，美国苹果公司准备让韩国LG显示器公司提供有机屏（OLED，有机发光二极管屏幕），改变三星显示器一家公司供货的不正常状态。据外媒最新消息，LG今年将给苹果供应1500万块屏幕...[详细]
EVG 已在全球范围建立超过 1100 个EVG 晶圆键合室

随着胶囊化封装的先进微机械系统（MEMS）和互补金属氧化物半导体（CMOS）成像器件产量的加速提升，中国市场对 EVG 晶圆键合解决方案的需求也不断提升微机电系统（MEMS）、纳米技术以及半导体市场晶圆键合和光刻设备领先供应商EV 集团（EVG）今日宣布，目前已在全球范围内客户的工厂安装了超过 1100 个 EVG 晶圆键合室，取得了行业里程碑。这不仅巩固了 EVG 在晶圆键合方面的技术...[详细]
按键中断---那些年我们一起玩mini2440(arm9)裸机

ARM中断控制系统按键驱动程序设计一．Arm中断控制系统 1.查询方式程序不断地查询设备的状态，并做出相应的反应。该方式实现比较简单，常用在比较单一的系统中，比如：一个温控系统中可以实用查询的方式不断检测温度变化。特点：实现简单；但CPU利用率很低，不适合多任务的系统。 2.中断方式当事件发生时，硬件会设置某个寄存器；CPU在每执行完一个指令时，查看这个寄存器，如果所关注的事件发生了，...[详细]
深天马武汉子公司收到4亿元政府补助

电子网消息，深天马A29日晚间公告，公司全资子公司武汉天马微电子收到武汉东湖新技术开发区管理委员会拨付的LTPS AMOLED生产线项目生产性动力费用补助资金20,000万元、LTPS AMOLED生产线项目研发补助资金20,000万元。 ...[详细]
全球50大半导体消费厂商：惠普第1戴尔第2

据国外媒体报道，权威调研机构Gartner日前评出了“全球50大半导体消费厂商”，结果惠普、戴尔、诺基亚、摩托罗拉和三星分列前五名。报告显示，惠普2006年的半导体消费额为140亿美元，占业内总输出量的5%。戴尔和诺基亚的消费额均为120亿美元，摩托罗拉为110亿美元，而三星为100亿美元。全球50大半导体消费厂商2006年的总消费额为1610亿美元，占行业总输出量的61%。在这50家...[详细]