IDT71598L20DRT,IDT71598L20DRT pdf中文资料,IDT71598L20DRT引脚图,IDT71598L20DRT电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

包装说明

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

最长访问时间

20 ns

其他特性

BATTERY BACKUP OPERATION

JESD-609代码

内存密度

65536 bit

内存集成电路类型

CACHE SRAM

内存宽度

功能数量

字数

16384 words

字数代码

16000

工作模式

ASYNCHRONOUS

组织

16KX4

并行/串行

PARALLEL

认证状态

Not Qualified

最大供电电压 (Vsup)

5.5 V

最小供电电压 (Vsup)

4.5 V

标称供电电压 (Vsup)

5 V

技术

CMOS

端子面层

TIN LEAD

Base Number Matches

参数对比

与IDT71598L20DRT相近的元器件有：IDT71598L25DRT、IDT71598L25DBRT、IDT71598S35DBRT、IDT71598L15DRT、IDT71598S25DBRT、IDT71598S20DBRT、IDT71598L35DBRT。描述及对比如下：

型号	IDT71598L20DRT	IDT71598L25DRT	IDT71598L25DBRT	IDT71598S35DBRT	IDT71598L15DRT	IDT71598S25DBRT	IDT71598S20DBRT	IDT71598L35DBRT
描述	Cache SRAM, 16KX4, 20ns	Cache SRAM, 16KX4, 25ns	Cache SRAM, 16KX4, 25ns	Cache SRAM, 16KX4, 35ns	Cache SRAM, 16KX4, 15ns	Cache SRAM, 16KX4, 25ns	Cache SRAM, 16KX4, 20ns	Cache SRAM, 16KX4, 35ns
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	EAR99	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	20 ns	25 ns	25 ns	35 ns	15 ns	25 ns	20 ns	35 ns
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
其他特性	BATTERY BACKUP OPERATION	BATTERY BACKUP OPERATION	BATTERY BACKUP OPERATION	-	BATTERY BACKUP OPERATION	-	-	BATTERY BACKUP OPERATION
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-	-
最高工作温度	-	-	125 °C	125 °C	-	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-	-	-55 °C	-55 °C	-	-55 °C	-55 °C	-55 °C
温度等级	-	-	MILITARY	MILITARY	-	MILITARY	MILITARY	MILITARY