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IDT71598S25DBRT

Cache SRAM, 16KX4, 25ns

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
包装说明
,
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
25 ns
JESD-609代码
e0
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
CACHE SRAM
内存宽度
4
功能数量
1
字数
16384 words
字数代码
16000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
16KX4
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
TIN LEAD
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参数对比
与IDT71598S25DBRT相近的元器件有:IDT71598L25DRT、IDT71598L20DRT、IDT71598L25DBRT、IDT71598S35DBRT、IDT71598L15DRT、IDT71598S20DBRT、IDT71598L35DBRT。描述及对比如下:
型号 IDT71598S25DBRT IDT71598L25DRT IDT71598L20DRT IDT71598L25DBRT IDT71598S35DBRT IDT71598L15DRT IDT71598S20DBRT IDT71598L35DBRT
描述 Cache SRAM, 16KX4, 25ns Cache SRAM, 16KX4, 25ns Cache SRAM, 16KX4, 20ns Cache SRAM, 16KX4, 25ns Cache SRAM, 16KX4, 35ns Cache SRAM, 16KX4, 15ns Cache SRAM, 16KX4, 20ns Cache SRAM, 16KX4, 35ns
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C EAR99 EAR99 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C EAR99 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 25 ns 25 ns 20 ns 25 ns 35 ns 15 ns 20 ns 35 ns
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
组织 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
最高工作温度 125 °C - - 125 °C 125 °C - 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C - - -55 °C -55 °C - -55 °C -55 °C
温度等级 MILITARY - - MILITARY MILITARY - MILITARY MILITARY
其他特性 - BATTERY BACKUP OPERATION BATTERY BACKUP OPERATION BATTERY BACKUP OPERATION - BATTERY BACKUP OPERATION - BATTERY BACKUP OPERATION
Base Number Matches - 1 1 1 1 1 - -
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