IDT71T65612S166PF,IDT71T65612S166PF pdf中文资料,IDT71T65612S166PF引脚图,IDT71T65612S166PF电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与IDT71T65612S166PF相近的元器件有：IDT71T65612S200BQ、IDT71T65612S200BG、IDT71T65812S166BG、IDT71T65812S166BQ、IDT71T65612S166BG、IDT71T65612S166BQ、IDT71T65812S200BQ、IDT71T65612S200PF、IDT71T65812S200BG。描述及对比如下：

型号	IDT71T65612S166PF	IDT71T65612S200BQ	IDT71T65612S200BG	IDT71T65812S166BG	IDT71T65812S166BQ	IDT71T65612S166BG	IDT71T65612S166BQ	IDT71T65812S200BQ	IDT71T65612S200PF	IDT71T65812S200BG
描述	ZBT SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 256KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FINE PITCH, BGA-165	ZBT SRAM, 256KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FINE PITCH, BGA-165	ZBT SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FINE PITCH, BGA-165	ZBT SRAM, 512KX18, 3.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FINE PITCH, BGA-165	ZBT SRAM, 256KX36, 3.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	QFP	BGA
包装说明	LQFP,	TBGA,	BGA,	BGA,	TBGA,	BGA,	TBGA,	TBGA,	LQFP,	BGA,
针数	100	165	119	119	165	119	165	165	100	119
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns	3.2 ns	3.2 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.2 ns	3.2 ns	3.2 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PBGA-B165	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B165	R-PBGA-B119	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	20 mm	15 mm	22 mm	22 mm	15 mm	22 mm	15 mm	15 mm	20 mm	22 mm
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	36	36	36	18	18	36	36	18	36	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	165	119	119	165	119	165	165	100	119
字数	262144 words	262144 words	262144 words	524288 words	524288 words	262144 words	262144 words	524288 words	262144 words	524288 words
字数代码	256000	256000	256000	512000	512000	256000	256000	512000	256000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX36	256KX36	256KX36	512KX18	512KX18	256KX36	256KX36	512KX18	256KX36	512KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	TBGA	BGA	BGA	TBGA	BGA	TBGA	TBGA	LQFP	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	225	225	225	225	225	225	225	240	225
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.2 mm	2.36 mm	2.36 mm	1.2 mm	2.36 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.6 mm	2.36 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	GULL WING	BALL
端子节距	0.65 mm	1 mm	1.27 mm	1.27 mm	1 mm	1.27 mm	1 mm	1 mm	0.65 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	20	20	20	20
宽度	14 mm	13 mm	14 mm	14 mm	13 mm	14 mm	13 mm	13 mm	14 mm	14 mm

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声明转文字: 编写程序将C语言的声明转换为文字描述

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模仿苹果而崛起于中国纽约时报解读小米

导语：《纽约时报》网络版近日刊文指出，凭借脱胎于苹果的营销策略，雷军带领下的小米手机取得了巨大成功，投资界也对小米的前景颇为看好。　　以下为文章全文：　　当中国成长最快的智能手机品牌小米的掌门人雷军谈起乔布斯时，他的话中满带着赞美——和一点点嫉妒。　　“乔布斯在世时，他是最棒的，”雷军在采访中说。“没人能超越他，没有手机能超越iPhone。” 　　分析人士认为，中国将在今年取...[详细]
和ITC结果不同德国法院宣判晶科、隆基等侵犯韩华德国专利

据国际能源网消息，近日，德国杜塞尔多夫地方法院法官宣判晶科能源、REC和隆基股份侵犯了韩华Q-Cells（以下简称“韩华”）的专利权，涉案专利是韩华欧洲专利EP2 220 689的德国部分。被判专利侵权的原因是在太阳能电池中非法使用韩华钝化技术的专利。法院授予了韩华禁令救济，限制相关侵权产品的进口和销售，并要求三被告召回自2019年1月30日以来在德国销售的侵权产品，韩华还可以销毁违规产品...[详细]
2017年电子及半导体领域机器视觉应用现状及发展规模

　　高性能、精密的专业设备制造领域中机器视觉的应用十分广泛，比较典型的是国际范围内最早带动整个机器视觉行业崛起的半导体行业，从上游晶圆加工制造的分类切割，到末端电路板印刷、贴片，都依赖于高精度的视觉测量对于运动部件的引导和定位。在国际市场上，半导体制造行业对于机器视觉的需求占全行业市场需求的40%-50%。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。　　在电子制造领域，小到电容、...[详细]
强制执行！广东东莞发改委：分布式光伏项目必须具备组件级快速关断！

2022年10月27日，东莞市发展和改革局办公室发布了《东莞市发展和改革局分布式光伏发电项目建设管理办法》文件，对全市范围内的分布式光伏发电项目的备案、建设、运维管理等方面提出了要求。 “项目建设管理”章节中的第16条明确要求：光伏项目必须具备组件级快速关断及管理能力，确保人员及财产安全。此红头规范文件在东莞市范围内属强制执行，也就意味着今后该地区所有分布式光伏项目都必须具备组件级关断功...[详细]
“过时”电子零部件通过物联网重受青睐

电子行业的迅速发展也替换下许多过时的电子零部件。在电子零部件和半导体领域，对多年前开发出的“过时”产品的需求再度高涨。原因是低价格的老款零部件也能支撑物联网(IoT)的各类设备。同时能充分发挥功能，不像智能手机等数字产品那样需要最尖端的性能。技术革新日新月异的高科技产业纷纷开始重新审视老款产品。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 “过时”电子零部件通过物联网重受青睐日本大型电...[详细]
2019年，从云、边缘计算再到容器，数字经济将进入元年

最近十年正值数字经济的成熟期，我们尤其在过去八年见证了空前的数据增长速度。今天，我们拥有前所未有的海量重要数据，这些数据不仅可以用于各行各业的高效预测，还可以真正成为企业创收和颠覆性创新的来源。为了紧跟行业快速变化的步伐，每家企业均在积极投资开展数字化转型，以获得迅速适应形势并超越竞争对手的能力。IDC白皮书中被称为数据成就者（Data Thriver）的企业赢得新客户的能力和盈利水平是非...[详细]
智能定硫仪的设计

智能定硫仪的设计从系统的构成，硬件软件等方面介绍了一种硫含量的检测系统。该系统能快速精确地测量煤和钢铁中的硫含量，为煤和钢铁的鉴定和合理使用提供科学依据。　　关键词：监测；硫含量；单片机；RS232 Design of Intellectual Meter on Analyse of Sulfur SHU Hui, CHEN Weibing (Nantong Vocationa...[详细]
音频创新：汽车、智能家居和专业音频应用的新风向

在持续创新和增强技术的推动之下，音频正在进入一个新时代。以下是您需要了解的关于快速发展的音频市场的信息。未来十年左右，研究人员和历史学家在回顾今天的音频市场时，可能会将其描述成为一个创新的黄金时代。音频技术从未像今天这样发展如此迅速地发展，并且应用领域如此广泛。先进的数字技术正在把娱乐、信息、通信和系统控制服务带入家庭、企业、汽车和其他众多场所。随着创新音频技术正在不断应用在各...[详细]
STM32学习笔记——外部中断的初步了解

STM32F103有76个中断，包括16个内核中断和60个可屏蔽中断，具有16级16级可编程的中断优先级。理解 STM32 的中断，要从中断优先级哦分组开始。而理解中断优先级分组，就要理解什么是抢占优先级，什么是响应优先级。所谓：抢占优先级：如果有两中断先后出发，已经在执行的中断优先级如果没有后出发的中断优先级高，就会先处理抢占优先级高的中断，也就是说有较高的抢占优先级的中断可以打断抢占优先...[详细]
基于PXI总线的数据传输接口设计与实现方案

　　使用PCI9054 提供的DMA 传输方式，并由其Local 端配置和启动DMA 传输来完成数字频谱数据的传输，达到用PXI 总线实现数字频谱分析仪与工控机的高速数据传输的目的。　　随着无线通信业务的飞速发展，频谱资源显得越来越缺乏，而实际中像广播电视等频段的频谱利用率却并不高，提高频谱的利用率成为一种共识。认知无线电是一种按伺机方式充分利用频谱的共享频谱技术，因此可以用来提高频谱利用...[详细]
赵伟国又又又怼高通：跨国企业应给中国企业一口饭吃

集微网8月23日消息，今日主题为“智能化：为经济赋能、为生活添彩”的首届中国国际智能产业博览会（简称智博会）在重庆正式开幕，本届智博会大咖云集，盛况空前。值得一提的是，在今日的开幕式上，紫光集团董事长赵伟国竟公开对高通表示出自己的不满。众所周知，高通和紫光集团旗下的紫光展锐虽然是竞争对手关系，但是高通一直主攻高端芯片，而紫光展锐主攻低端芯片，两者互不干涉，然而去年5月瓴盛科技的成立却...[详细]
清华大学 ATMEL AVR 微控制器实验室成立

爱特梅尔公司 (Atmel® Corporation) 宣布，基于企业与高校联手培养合格工程师的共同目标，清华大学－ ATMEL AVR微控制器实验室于2011年3月1日正式挂牌成立，成为爱特梅尔公司在中国地区的25个AVR微控制器大学实验室之一。该实验室作为清华大学基础工业训练中心的科研实践基地，将承担清华大学基础工业训练中心电类专业本科生微控制器的实践教学，成为推动双方长远发展、更好合...[详细]
华为确认LATTICE为“核心合作伙伴”

美国俄勒冈州希尔斯波罗市- 2012年4月18日 - 莱迪思半导体公司（NASDAQ: LSCC）今日宣布电信网络解决方案的全球领导者华为技术有限公司已确认莱迪思为“2011年核心合作伙伴”。华为表彰莱迪思的质量、交货、技术合作和服务是确认莱迪思为核心合作伙伴的主要原因。特别是，华为已经注意到莱迪思的设计支持和服务在供应商之中是最好的。在中国深圳举行的华为2011年度核心合作伙伴会...[详细]
晶闸管软启动降压原理是什么

晶闸管软启动降压原理是一种利用晶闸管（Thyristor）实现电动机或其他负载的软启动和降压的技术。在这篇文章中，我们将详细介绍晶闸管软启动降压原理的基本概念、工作原理、主要组成部分、应用领域以及优缺点。一、晶闸管软启动降压原理的基本概念晶闸管：晶闸管是一种半导体器件，具有单向导电性，可以实现对电流的控制。晶闸管的导通和关断由外部触发信号控制，具有较高的功率容量和较快的响应速度。软...[详细]