IDT71V67603S150PFG8,IDT71V67603S150PFG8 pdf中文资料,IDT71V67603S150PFG8引脚图,IDT71V67603S150PFG8电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与IDT71V67603S150PFG8相近的元器件有：IDT71V67803S166PFG8、IDT71V67803S166PF8、IDT71V67603S150PFI8、IDT71V67603S166PFG8、IDT71V67603S166PF8、IDT71V67803S150PFGI8、IDT71V67603S150PF8、IDT71V67603S150PFGI8、IDT71V67803S150PFG8。描述及对比如下：

型号	IDT71V67603S150PFG8	IDT71V67803S166PFG8	IDT71V67803S166PF8	IDT71V67603S150PFI8	IDT71V67603S166PFG8	IDT71V67603S166PF8	IDT71V67803S150PFGI8	IDT71V67603S150PF8	IDT71V67603S150PFGI8	IDT71V67803S150PFG8
描述	Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合	符合	不符合	符合	不符合	符合	符合
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	LQFP,	LQFP,	LQFP, QFP100,.63X.87	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	LQFP,	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	compliant	compliant	compliant	not_compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.8 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.8 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.8 ns	3.8 ns	3.8 ns	3.8 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3	e3	e0	e0	e3	e0	e3	e0	e3	e3
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	18	18	36	36	36	18	36	36	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
字数	262144 words	524288 words	524288 words	262144 words	262144 words	262144 words	524288 words	262144 words	262144 words	524288 words
字数代码	256000	512000	512000	256000	256000	256000	512000	256000	256000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	256KX36	512KX18	512KX18	256KX36	256KX36	256KX36	512KX18	256KX36	256KX36	512KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	240	240	260	240	260	240	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	MATTE TIN	TIN LEAD	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn85Pb15)	MATTE TIN	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	20	20	30	20	30	20	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
是否无铅	不含铅	不含铅	-	-	不含铅	-	不含铅	-	不含铅	不含铅
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
最大时钟频率 (fCLK)	150 MHz	166 MHz	166 MHz	150 MHz	-	-	150 MHz	150 MHz	-	150 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	-	COMMON	COMMON	-	COMMON
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	-	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	-	-	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	-	QFP100,.63X.87
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	-	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V
最大待机电流	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.07 A	-	-	0.07 A	0.05 A	-	0.05 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	-	-	3.14 V	3.14 V	-	3.14 V
最大压摆率	0.305 mA	0.34 mA	0.34 mA	0.325 mA	-	-	0.325 mA	0.305 mA	-	0.305 mA
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1	1	-	-

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涡街流量计有哪些调试故障原因

涡街流量计在调试故障原因一安装不当方面的原因：（1）仪表上下游直管段长度不够，密封垫凸入管道内，管道的突缩，突扩阻流件，对流场产生严重的扰动等。（2）对含微量气体的液体流量测量或者含微量液体的气体流量测量的不良安装，造成异样流量介质在涡街流量计流量测量管道内的滞留，对流量测量造成干扰。（3）流量测量液体时把涡街流量计安装在自上而下的垂直流动或者向下倾斜流动的管道上，或者把涡街...[详细]
欧德宁离世,49年唯一位不具备工程背景CEO让Intel营收创新高

当地时间 10 月 2 日，英特尔前 CEO 保罗·欧德宁（Paul Otellini）在睡梦中离世，享年 66 岁。欧德宁生于 1950 年，出生、读书和工作都在旧金山这座城市。自他 1974 年从加州大学伯克利分校获得 MBA 学位后，他就成为了英特尔的一员，并在这里工作了 40 年， 2013 年才正式退休。 2005 年，欧德宁被任命为英特尔第五任 CEO，迄今为止，他是英特尔 49...[详细]
优傲机器人助力福特汽车提升生产效率

4台UR10用于优化福特罗马尼亚的发动机装配线，执行凸轮轴上润滑油、发动机加油和质检等多种任务。减少员工的重复性工作协作机器人快速集成到生产流程提升生产速度及效率部署灵活，快速切换作业市场压力增大，产线升级需求迫在眉睫一直以来，汽车行业的自动化水平在制造业中是数一数二的。大多数汽车制造厂商在焊接、涂装、冲压等环节都已经采用自动化技术。但随着生产模式和外部环境的变化，市场对汽车制...[详细]
魅族发布会三款新品的故事：产品线策略及未来的一年

一个多月前，魅族带着16th系列重回公众视野，骁龙845+屏下指纹+2698元一时间引爆了那一周的网友热议；2698作为一串神秘的数字在雷军、刘作虎、余承东等一杆科技大佬的微博下被刷屏。只是好消息和坏消息总是夹杂在一起。这之后的半个月，2698退场，登台的是“魅族16th供货不足”等字眼。在这个大背景下，魅族在上周又一口气推出了三款新机：魅族16X、魅蓝V8、魅族X8三款机型。能在九月...[详细]
传说中的3nm芯片是真的吗？

前几天，我国高层领导在访问IMEC（比利时微电子研究中心）时驻足端详硅晶圆的照片，在业界引发热议，关于IMEC的“前世今生”也被梳理得透透彻彻。而我们所关心的是，那个号称3nm的芯片是真的吗？如果是真的，何时会量产？从IMEC的发展轨迹中我们从中可以学到些什么？ 3nm是真的？在这则新闻之前两上月，IMEC在其每年举办的2018年IE...[详细]
深入解析CFL镇流器IC驱动LED应用电路

　　驱动CFL镇流器电路　　设计者用CFL中的镇流器IC来加热灯丝、点亮灯泡，为电灯提供电流。制造商大量生产这些IC，它们的价格大约为2美元。本设计实例是如何用CFL镇流器IC驱动LED，而不是驱动CFL。镇流器IC基本上就是一个用于脱机运行的自振半桥。它通常工作在320VDC，其功率大致相当于 230VAC主整流器或一个120V的倍压器。IC产生一个振幅为320Vp-p的方波电压，频率为...[详细]
惠普东芝蚕食ThinkPad 联想面临傲慢与偏见

　　联想继承ThinkPad经典品牌。(新浪科技配图) 　　　　导读：北京时间4月17日，国外媒体发表分析文章称，联想正在失去其目前的ThinkPad笔记本客户，因为他们一定程度上都由于对联想的偏见转而购买惠普、东芝等其他品牌的笔记本电脑。消费者并不太情愿购买一家中国公司的产品，这一点与数十年前日本消费类电子产品的境遇类似。文章善意指出：消费者没有过错，症结可能在于联想自身。　　联想在...[详细]
汽车主动避撞系统技术介绍及发展分析

目前研究开发的汽车主动避撞系统有以下3种类型：（1）车辆主动避撞报警CWS（collisionwarning）系统，此系统对探测到的危害情况给出警报，美国已经在一些重型载货车和公交车辆上实现商用。（2）车辆自适应巡航控制ACC（adaptivecruisecontrol）系统，此系统可以实现简单交通情况下的主动避撞及巡航控制，一些汽车公司在高档车型上已经开始采用ACC技术。（3...[详细]
指针式万用表在使用过程中出现指针调零困难怎么办

指针式万用表经长时间使用以后，有时会遇到指针调零困难现象，具体表现为指针不是超前就是滞后。遇到这种情况时，可以采用以下方法来进行处理。 (1)处理方法。拆开指针式万用表后盖，采用不会掉毛的柔软绒布蘸适量的无水酒精（含量95%以上），对调零丝绕电阻圆弧顶端滑触面进行擦洗，然后再将旋钮接触臂转动几下，使其接触可靠后即可使问题得到解决。 (2)故障原因。这种情况主要是由于万用表长时间使用以后，长期...[详细]
拉丝张力是决定光纤性质的关键因素

拉丝张力受玻璃粘滞流动影响，而粘滞流动受温度控制。所以拉丝张力主要受拉丝炉温控制，因此拉丝张力（F）可用拉丝温度（T）表示为： F=A+B/T （1）式中A和B分别为表面张力和粘滞流动常数。但是玻璃是一种近程有序、远程无序的无定形“过冷液体”。玻璃的粘度、离子扩散速度等一类性质，在高温熔体冷却过程中是逐渐变化的。在转变温度以下主要取...[详细]
基于PC的开放式多轴运动控制系统开发

运动控制技术的发展是制造自动化前进的旋律,是推动新的产业革命的关键技术。运动控制器已经从以单片机或微处理器为核心的运动控制器和以专业芯片(ASIC)作为核心处理器的运动控制器，发展到了基于PC总线的以DSP和FPGA作为核心处理器的开放式运动控制器。当今，随着计算机技术的高速发展，运动控制技术正在发生根本性的变革，由专用型封闭式开环控制模式向通用型开放式实时动态全闭环控制模式发展。开放式体系结...[详细]
ST为Garmin专门设计的Teseo GPS引擎已大批量产

中国，2007年8月27日 – 世界领先的车用半导体供应商意法半导体(纽约证券交易所代码:：STM)今天宣布该公司为Garmin公司的某些便携导航设备（PND）和手持GPS接收机专门设计的Teseo GPS引擎已开始大批量生产。 “我荣幸地宣布我们最先进的GPS技术已经被Garmin公司用于最新的手持和便携导航设备，”意法半导体汽车收音机及多媒体产品部总经理Domenico Rossi表示，“...[详细]
柴油机高压共轨系统

　　高压共轨(Common Rail)电喷技术是指在高压油泵、压力传感器和电子控制单元(ECU)组成的闭环系统中，将喷射压力的产生和喷射过程彼此完全分开的一种供油方式。它是由高压油泵将高压燃油输送到公共供油管(Rail)，通过公共供油管内的油压实现精确控制，使高压油管压力(Pressure)大小与发动机的转速无关，可以大幅度减小柴油机供油压力随发动机转速变化的程度. 目前世界上主...[详细]
博通李廷伟：技术发展源自应用创新

一项技术的出现取决与当前科技的发展水平，而一项技术的存活、发展则取决于能否在其基础上创造真正实用，抓住市场需求的创新应用。物联网及可穿戴市场正是如此。尽管智能可穿戴设备近来被国内的几家企业炒的火热，各种产品纷至沓来，但是我们依旧很难见到一些真正不可或缺的产品。物联网的情况也如出一辙，产品实用性差，市场缺乏规范。近日，博通大中国区总裁、全球销售高级副总裁李廷伟博士则表示，技术发展源...[详细]
悬臂测量机扫描检测提升沃尔沃品质与效率

质量一直是沃尔沃汽车关注的关键问题，其对于品质检测自然也有很高的要求。在沃尔沃根特工厂，白车身上焊接有近200个销钉需要检测，检测方式、效率、品质都成为急需解决的问题。面临问题使用传统的测量方法，需要将一个圆柱形的塑料安装在销钉上。首先测量底部平面，之后再测量销钉，最后构造销钉与平面的刺穿点，评价改点的位置。传统的销钉测量方法中，辅助圆柱的制造比较复杂，对圆度、配合直径和...[详细]