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IDT8MP628S50S

SRAM Module, 8KX16, 50ns, CMOS

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
50 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XSMA-T40
JESD-609代码
e0
内存密度
131072 bit
内存集成电路类型
SRAM MODULE
内存宽度
16
功能数量
1
端子数量
40
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装等效代码
SIP40,.1
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.03 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
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参数对比
与IDT8MP628S50S相近的元器件有:IDT8MP628S70S、IDT8MP628S85S、2SC3094。描述及对比如下:
型号 IDT8MP628S50S IDT8MP628S70S IDT8MP628S85S 2SC3094
描述 SRAM Module, 8KX16, 50ns, CMOS SRAM Module, 8KX16, 70ns, CMOS SRAM Module, 8KX16, 85ns, CMOS isc Silicon NPN Power Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 -
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
最长访问时间 50 ns 70 ns 85 ns -
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON -
JESD-30 代码 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 -
JESD-609代码 e0 e0 e0 -
内存密度 131072 bit 131072 bit 131072 bit -
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE -
内存宽度 16 16 16 -
功能数量 1 1 1 -
端子数量 40 40 40 -
字数 8192 words 8192 words 8192 words -
字数代码 8000 8000 8000 -
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C -
组织 8KX16 8KX16 8KX16 -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
封装等效代码 SIP40,.1 SIP40,.1 SIP40,.1 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY -
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 5 V 5 V 5 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
最大待机电流 0.03 A 0.03 A 0.03 A -
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V -
最大压摆率 0.3 mA 0.3 mA 0.3 mA -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V -
表面贴装 NO NO NO -
技术 CMOS CMOS CMOS -
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
Base Number Matches 1 1 1 -
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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